阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本发明专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)等平面显示装置因具有高清画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。目前，平板显示器件向大尺寸、高集成度、高分辨率、高驱动频率方向发展，对迁移率的要求越来越高，因而基于LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的面板技术成为主流。然而，上述现有技术提供的低温多晶硅薄膜晶体管虽然迁移率高，但是其关态电流大，用它驱动像素电极时，存在功耗高的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，能有效降低显示面板的功耗。本专利技术一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上沉积缓冲层，并对所述缓冲层进行一次高温退火工艺，接着沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行高温退火，使所述非晶硅层形成多晶硅层，通过第一次光刻，使所述多晶硅层形成位于第一区域的第一半导体层；依次沉积栅极绝缘层、栅金属层，通过第二次光刻，使所述栅金属层形成位于第一区域的第一栅极和位于第二区域的第二栅极；依次沉积栅极保护层、金属氧化物半导体层，通过第三次光刻，使所述金属氧化物半导体层形成位于第二区域的第二半导体层；沉积第一保护层，通过第四次光刻，在所述第一保护层、所述栅极保护层上和所述栅极绝缘层上形成多个第一过孔，在所述第一保护层上形成多个第二过孔；沉积源漏金属层，通过第五次光刻，使所述源漏金属层形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体层连通。如上所述的制作方法，还包括：沉积第二保护层，通过第六次光刻，在所述第二保护层上形成位于第二区域的接触过孔；沉积透明导电层，通过第七次光刻，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极通过所述接触过孔与所述第二漏极连通。如上所述的制作方法，所述缓冲层包括上下两层，所述缓冲层的上层为氧化硅，所述缓冲层的下层为氮化硅。如上所述的制作方法，所述氧化硅的厚度为所述氮化硅的厚度为如上所述的制作方法，所述栅极金属层包括金属铜。如上所述的制作方法，所述栅金属层还包括设置在金属铜下方的金属缓冲层，所述金属缓冲层包括金属钼或金属钛。如上所述的制作方法，所述栅极保护层包括上下两层，其中，所述栅极保护层的上层为氧化硅，所述栅极保护层的下层为氮化硅或氮氧化硅。如上所述的制作方法，所述第一保护层为氧化硅。本专利技术另一方面提供一种阵列基板，采用如上所述的制作方法制作而成，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管间隔设置，所述第一薄膜晶体管位于第一区域，所述第二薄膜晶体管位于第二区域；所述第一薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、栅极绝缘层、第一栅极、栅极保护层、第一保护层，第一源极和第一漏极设置在第一保护层上，所述栅极绝缘层、所述栅极保护层和所述第一保护层上具有多个第一过孔，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通；所述第二薄膜晶体管包括依次设置在所述栅极绝缘层上的第二栅极、栅极保护层、第二半导体层、第一保护层，第二源极和第二漏极设置在第一保护层上，所述第一保护层上具有多个第二过孔，所述第二源极和所述第二漏极分别通过第二过孔与所述第二半导体层连通；所述第一半导体层为多晶硅半导体层，所述第二半导体层为金属氧化物半导体层。本专利技术还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，通过将阵列基板设计为双薄膜晶体管结构，利用多晶硅薄膜晶体管高迁移率的特点，使其控制金属氧化物薄膜晶体管，同时使用金属氧化物薄膜晶体管驱动像素电极，这样设计可以充分利用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的优点，一方面可以满足周边区域集成度高，对迁移率要求高的需求，另一方面可以降低显示面板的功耗。进一步地，第一栅极和第二栅极采用双层结构，上层为Cu，下层为金属缓冲层，金属缓冲层一方面可以增加Cu与基板的附着力，另一方面可以阻止Cu离子扩散到栅极绝缘层中；顶栅结构的多晶硅薄膜晶体管和底栅结构的金属氧化物薄膜晶体管共用栅极绝缘层，栅极绝缘层分为上下两层，下层为氮化硅，可以有效阻止Cu离子的扩散，防止Cu离子扩散到上面的金属氧化物半导体层中，同时有效阻止第一栅极的Cu离子扩散与其上方的源漏极相连，防止多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体晶体管失效；下层采用氧化硅，可以提升其与金属氧化物半导体层间的接触性能，从而提升金属氧化半导体薄膜晶体管的性能；充分利用了金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管的制备工艺的特点，在不增加工艺步骤的前提下，通过合理设计阵列基板的结构和工艺流程，提升了金属氧化物薄膜晶体管的性能和稳定性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板完成步骤S101后的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板完成步骤S102后的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板完成步骤S103后的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的阵列基板完成步骤S104后的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板完成步骤S105后的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的阵列基板完成步骤S106后的结构示意图。附图标记：11-第一区域；12-第二区域；13-衬底基板；14-缓冲层；15-第一半导体层；16-栅极绝缘层；171-第一栅极；172-第二栅极；18-栅极保护层；19-第二半导体层；20-第一保护层；211-第一源极；212-第一漏极；2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积缓冲层，并对所述缓冲层进行一次高温退火工艺，接着沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行高温退火，使所述非晶硅层形成多晶硅层，通过第一次光刻，使所述多晶硅层形成位于第一区域的第一半导体层；/n依次沉积栅极绝缘层、栅金属层，通过第二次光刻，使所述栅金属层形成位于第一区域的第一栅极和位于第二区域的第二栅极；/n依次沉积栅极保护层、金属氧化物半导体层，通过第三次光刻，使所述金属氧化物半导体层形成位于第二区域的第二半导体层；/n沉积第一保护层，通过第四次光刻，在所述第一保护层、所述栅极保护层上和所述栅极绝缘层上形成多个第一过孔，在所述第一保护层上形成多个第二过孔；/n沉积源漏金属层，通过第五次光刻，使所述源漏金属层形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体层连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积缓冲层，并对所述缓冲层进行一次高温退火工艺，接着沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行高温退火，使所述非晶硅层形成多晶硅层，通过第一次光刻，使所述多晶硅层形成位于第一区域的第一半导体层；
依次沉积栅极绝缘层、栅金属层，通过第二次光刻，使所述栅金属层形成位于第一区域的第一栅极和位于第二区域的第二栅极；
依次沉积栅极保护层、金属氧化物半导体层，通过第三次光刻，使所述金属氧化物半导体层形成位于第二区域的第二半导体层；
沉积第一保护层，通过第四次光刻，在所述第一保护层、所述栅极保护层上和所述栅极绝缘层上形成多个第一过孔，在所述第一保护层上形成多个第二过孔；
沉积源漏金属层，通过第五次光刻，使所述源漏金属层形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体层连通。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：
沉积第二保护层，通过第六次光刻，在所述第二保护层上形成接触过孔；
沉积透明导电层，通过第七次光刻，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极通过所述接触过孔与所述第二漏极连通。


3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述缓冲层包括上下两层，所述缓冲层的上层为氧化硅，所述缓冲层的下层为氮化硅。


4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述氧化硅的厚度为所述氮化硅的厚度为


5.根据权利要求1所述的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51