一种基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种基板及其制备方法、显示装置，显示技术领域，可减小第二过孔的坡度角，以提高显示装置的显示效果。一种基板的制备方法，包括：依次在衬底上形成第一平坦薄膜和第二平坦薄膜，所述第一平坦薄膜的硬度大于所述第二平坦薄膜的硬度；采用光刻工艺对所述第二平坦薄膜和所述第一平坦薄膜进行刻蚀，得到依次设置于所述衬底上的第一平坦层和第二平坦层；所述第一平坦层包括第一过孔，所述第二平坦层包括第二过孔，至少部分所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第一过孔在所述衬底上的正投影重叠。

A substrate and its preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
一种基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的迅速发展，为了给用户带来更优的体验，手机等显示装置也不断更新迭代。显示装置包括多个导电膜层，多个导电膜层之间设置有绝缘层，部分导电膜层之间需通过绝缘层上的过孔电连接，若过孔的坡度角较大(85°～90°)，通过过孔的导电膜层很容易在过孔中断线，从而影响显示装置的显示效果。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种基板及其制备方法、显示装置，可减小第二过孔的坡度角，以提高显示装置的显示效果。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种基板的制备方法，包括：依次在衬底上形成第一平坦薄膜和第二平坦薄膜，所述第一平坦薄膜的硬度大于所述第二平坦薄膜的硬度；采用光刻工艺对所述第二平坦薄膜和所述第一平坦薄膜进行刻蚀，得到依次设置于所述衬底上的第一平坦层和第二平坦层；所述第一平坦层包括第一过孔，所述第二平坦层包括第二过孔，至少部分所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第一过孔在所述衬底上的正投影重叠。可选的，形成所述第一平坦薄膜和所述第二平坦薄膜，包括：在所述衬底上形成第一有机硅薄膜，所述第一有机硅薄膜的材料包括端羟基；采用双键改性剂对所述第一有机硅薄膜进行处理；所述双键改性剂包括羧基和双键，所述双键改性剂与所述第一有机硅薄膜中的所述端羟基发生酯化反应，得到所述第一平坦薄膜；在所述第一平坦薄膜背离所述衬底一侧形成第二有机硅薄膜，所述第二有机硅薄膜的材料中的Si-O骨架与所述第一有机硅薄膜的材料中的Si-O骨架相同。可选的，所述双键改性剂的材料包括丙烯酸、甲基丙烯酸中的一种。可选的，所述第二有机硅薄膜包括羟基；形成第二平坦薄膜，还包括：采用羟基改性剂对所述第二有机硅薄膜进行处理；所述羟基改性剂与所述第二有机硅薄膜中的所述羟基发生化学反应，得到所述第二平坦薄膜。采用光刻工艺对所述第一平坦薄膜和所述第二平坦薄膜进行刻蚀，包括：在所述第二平坦薄膜背离所述衬底一侧形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括酚醛树脂；对所述第二平坦薄膜和所述第一平坦薄膜进行刻蚀，得到依次位于所述衬底上的第一平坦层和第二平坦层。可选的，所述羟基改性剂的材料包括甲酸、乙酸、六甲基二硅氯烷中的一种。可选的，对所述第二平坦薄膜和所述第一平坦薄膜进行刻蚀后，所述基板的制备方法还包括：剥离所述光刻胶图案。可选的，剥离所述光刻胶图案后，所述基板的制备方法还包括：在所述第二平坦层背离所述衬底一侧形成发光器件。第二方面，提供一种基板，由第一方面所述的基板的制备方法制备得到。可选的，第一过孔的尺寸小于第二过孔的尺寸，所述第二过孔靠近与其对应的所述第一过孔的边沿超出所述第二过孔靠近与其对应的所述第一过孔的边沿。第三方面，提供一种显示装置，包括第二方面所述的基板。本专利技术实施例提供一种基板及其制备方法、显示装置，相较于第一平坦薄膜的硬度与第二平坦薄膜的硬度相同，本专利技术实施例通过使更靠近衬底的第一平坦薄膜的硬度大于第二平坦薄膜的硬度，若要在第一平坦薄膜中形成第一过孔，则必然增加刻蚀第二平坦薄膜和第一平坦薄膜的总时长。这样一来，硬度较小的第二平坦薄膜的刻蚀时间增加，最终形成的第二过孔的坡度角(侧壁与水平方向的夹角)小于现有技术的坡度角，若在第二平坦层背离衬底一侧形成走线等导电膜层，可改善导电膜层在第二过孔中断线的问题，以提高显示装置的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种基板的制备流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种基板的制备过程图；图4a为本专利技术实施例提供的一种基板的制备过程图；图4b为本专利技术实施例提供的一种基板的制备过程图；图5为本专利技术实施例提供的一种基板的制备过程图；图6为本专利技术实施例提供的一种基板的制备过程图；图7为本专利技术实施例提供的一种第一平坦薄膜的制备流程图；图8为本专利技术实施例提供的一种第一有机硅薄膜与双键改性剂的反应式；图9为本专利技术实施例提供的一种基板的结构示意图。附图标记：1-框架；2-显示面板；3-电路板；4-盖板；11-第一平坦薄膜；12-第二平坦薄膜；13-光刻胶；131-光刻胶图案；14-薄膜晶体管；15-发光器件；151-第一电极；152-发光功能层；153-第二电极；21-第一平坦层；22-第二平坦层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。显示装置可以用作手机、平板电脑、个人数字助理(personaldigitalassistant，PDA)、车载电脑等，本专利技术实施例对显示装置的具体用途不做特殊限制。如图1所示，该显示装置例如可以包括框架1、显示面板2、电路板3、盖板4、以及包括摄像头等的其他电子配件。以上述显示面板2的出光方向为顶发光为例，框架1可以是U形框架，显示面板2和电路板3设置于框架1中。盖板4设置于显示面板2的出光侧，电路板3设置于显示面板2背离盖板4一侧。上述显示面板2例如可以是OLED显示面板，或发微发光二极管(lightemittingdiode，简称Micro-LED)显示面板，或量子点电致(QuantumDotLightEmittingDiodes，简称QLED)显示面板，或液晶显示面板。上述显示面板2包括阵列基板和对置基板。本专利技术实施例提供一种基板的制备方法，可用于制备上述阵列基板和对置基板。如图2所示，基板的制备方法，可通过如下步骤实现：S11、如图3所示，依次在衬底10上形成第一平坦薄膜11和第二平坦薄膜12，第一平坦薄膜11的硬度大于第二平坦薄膜12的硬度。在一些实施例中，第一平坦薄膜11用于在步骤S12中形成第一平坦层，第二平坦薄膜12用于在步骤S12中形成第二平坦层。第一平坦层和第二平坦层构成对基板起到平坦作用的平坦层。在一些实施例中，不对第一平坦薄膜11和第二平坦薄膜12的厚度进行限定，只要第一平坦薄膜11和第二平坦薄膜12的厚度之和在上述平坦层的厚度范围内即可。其中，第一平坦薄膜11的厚度与第二平坦薄膜12的厚度可以相同，也可以不相同。在一些实施例中，不对第一平坦薄膜11和第二平坦薄膜12的材料进行限定。可选的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：/n依次在衬底上形成第一平坦薄膜和第二平坦薄膜，所述第一平坦薄膜的硬度大于所述第二平坦薄膜的硬度；/n采用光刻工艺对所述第二平坦薄膜和所述第一平坦薄膜进行刻蚀，得到依次设置于所述衬底上的第一平坦层和第二平坦层；所述第一平坦层包括第一过孔，所述第二平坦层包括第二过孔，至少部分所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第一过孔在所述衬底上的正投影重叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：
依次在衬底上形成第一平坦薄膜和第二平坦薄膜，所述第一平坦薄膜的硬度大于所述第二平坦薄膜的硬度；
采用光刻工艺对所述第二平坦薄膜和所述第一平坦薄膜进行刻蚀，得到依次设置于所述衬底上的第一平坦层和第二平坦层；所述第一平坦层包括第一过孔，所述第二平坦层包括第二过孔，至少部分所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第一过孔在所述衬底上的正投影重叠。


2.根据权利要求1所述的基板的制备方法，其特征在于，形成所述第一平坦薄膜和所述第二平坦薄膜，包括：
在所述衬底上形成第一有机硅薄膜，所述第一有机硅薄膜的材料包括端羟基；
采用双键改性剂对所述第一有机硅薄膜进行处理；所述双键改性剂包括羧基和双键，所述双键改性剂与所述第一有机硅薄膜中的所述端羟基发生酯化反应，得到所述第一平坦薄膜；
在所述第一平坦薄膜背离所述衬底一侧形成第二有机硅薄膜，所述第二有机硅薄膜的材料中的Si-O骨架与所述第一有机硅薄膜的材料中的Si-O骨架相同。


3.根据权利要求2所述的基板的制备方法，其特征在于，所述双键改性剂的材料包括丙烯酸、甲基丙烯酸中的一种。


4.根据权利要求2或3所述的基板的制备方法，其特征在于，所述第二有机硅薄膜包括羟基；
形成第二平坦薄膜，还包括：
采用羟基改性剂对所述第二有机硅薄膜进...

【专利技术属性】
技术研发人员：程磊磊，李伟，徐纯洁，王庆贺，刘宁，周斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11