一种ORing防反电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ORing防反电路，属于开关电源的技术领域，旨在提供一种防止输出端电压灌入输入端的ORing防反电路，其技术方案要点是包括输入端，用于接收输入电压；输出端，用于输出输出电压；防反MOS管Q1，所述防反MOS管Q1为NMOS管；所述防反MOS管Q1的源极连接至输入端，所述防反MOS管Q1的漏极连接至输出端；驱动电路，驱动电路与防反MOS管Q1的源极、漏极、栅极均连接，所述驱动电路用于根据防反MOS管Q1的源极和漏极之间的电压控制防反MOS管Q1的导通和关断。防止输出端电压灌入输入端，保护输入端电路安全。

An oring anti reverse circuit

【技术实现步骤摘要】
一种ORing防反电路
本技术涉及开关电源的
，特别涉及一种ORing防反电路。
技术介绍
随着电子产业的发展，电源供应系统已广泛运用于供应电源。电源供应系统通常包含连接于系统总线的多个相互并联的电源供应单元，相应地，在每个电源供应单元与系统总线之间。需设置具有隔离二极管，以防止反相电流自系统总线倒流至电源供应单元。但是隔离二极管的关断速度慢，且消耗的电能较多，工作效率低。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种ORing防反电路，具有防止输出端电压灌入输入端的优点。本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种ORing防反电路，包括输入端，用于接收输入电压；输出端，用于输出输出电压；防反MOS管Q1，所述防反MOS管Q1为NMOS管；所述防反MOS管Q1的源极连接至输入端，所述防反MOS管Q1的漏极连接至输出端；驱动电路，驱动电路与防反MOS管Q1的源极、漏极、栅极均连接，所述驱动电路用于根据防反MOS管Q1的源极和漏极之间的电压控制防反MOS管Q1的导通和关断。通过采用上述技术方案，驱动电路比较输入端和输出端电流的大小，当输入端电压大于输出端电压时，驱动电路驱动防反MOS管Q1打开正常工作；当输入端电压小于输出端电压时，驱动电路驱动防反MOS管Q1关断，防止输出端电压灌入输入端，保护输入端电路安全。进一步的，所述驱动电路包括比较电路、开关电路和辅助电源信号VS_ORING，所述比较电路用于比较输入端和输出端电压并输出比较结果，所述开关电路根据比较电路的比较结果输出控制防反MOS管Q1的导通或关断。通过采用上述技术方案，比较电路比较输入端和输出端电压的大小，开关电路根据比较结果控制防反MOS管Q1的导通或关断，防止输出端电压灌入输入端，保护输入端电路安全。进一步的，所述比较电路包括NPN型的双极晶体管阵列，所述双极晶体管阵列包括N型三极管Q2和Q3，所述N型三极管Q2和Q3共基极，N型三极管Q2和Q3的基极连接至辅助电源信号VS_ORING，所述N型三极管Q2发射极连接输入端，集电极连接至辅助电源信号VS_ORING和开关电路；所述N型三极管Q3的集电极连接至输出端，发射极连接至辅助电源信号VS_ORING。通过采用上述技术方案，当输入端电压大于输出端电压时，N型三极管Q2关断，N型三极管Q3导通并驱动开关电路控制防反MOS管Q1导通；当输入端电压小于输出端电压时，N型三极管Q2导通，N型三极管Q3关断并驱动开关电路控制防反MOS管Q1关断，防止输出端电压灌入输入端，保护输入端电路安全。进一步的，所述开关电路包括开关管Q4和Q5，所述开关管Q4为N型三极管，所述开关管Q5为P型三极管，所述开关管Q4和Q5的基极均连接至辅助电源信号VS_ORING，所述开关管Q4的集电极连接至辅助电源信号VS_ORING，发射极连接至防反MOS管Q1的栅极；所述开关管Q5的集电极连接至输入端，发射极连接至防反MOS管Q1的栅极。通过采用上述技术方案，当输入端电压大于输出端电压时，比较电路输出比较结果至开关电路，开关管Q4导通，开关管Q5截止，从而将MOS管Q1导通。当输入端电压小于输出端电压时，比较电路输出比较结果至开关电路，开关管Q4截止，开关管Q5导通，从而将MOS管Q1导通。进一步的，所述输出端上连接有滤波电容C2和C3，所述滤波电容C2和C3背向输出端一端接地。通过采用上述技术方案，滤波电容C2和C3滤掉输出端的杂波，便于下一步使用。进一步的，所述开关管Q5的基极与集电极之间并联有旁路电容C1。通过采用上述技术方案，把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除。进一步的，所述开关管Q4的集电极和开关管Q5的集电极之间并联有滤波电容C4。通过采用上述技术方案，滤掉输入端的噪声，减轻驱动电路的振荡。综上所述，本技术具有以下有益效果：1.防止输出端电压灌入输入端，保护输入端电路安全；2.电能损耗较小，使得电源传输效率降高。附图说明图1是实施例中ORing防反电路的电路原理图。图中，1、驱动电路；2、比较电路；3、开关电路；4、双极晶体管阵列。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。实施例：一种ORing防反电路，如图1所示，包括输入端、输出端、防反MOS管Q1和驱动电路1。输入端用于接收输入电压，输出端用于输出输出电压，防反MOS管Q1的源极连接至输入端，防反MOS管Q1的漏极连接至输出端，驱动电路1比较输入端和输出端的电压，从而驱动防反MOS管Q1的导通或截止。驱动电路1包括比较电路2、开关电路3和辅助电源信号VS_ORING，比较电路2用于比较输入端和输出端电压并输出比较结果，开关电路3根据比较电路2的比较结果输出控制防反MOS管Q1的导通或关断。比较电路2包括NPN型的双极晶体管阵列4、电阻R1和电阻R2，双极晶体管阵列4包括N型三极管Q2和Q3，N型三极管Q2和Q3共基极，N型三极管Q2和Q3的基极通过电阻R1连接至辅助电源信号VS_ORING，N型三极管Q2发射极连接输入端，集电极连接至开关电路3，N型三极管Q2集电极与开关电路3的连接端通过电阻R2连接至辅助电源信号VS_ORING。N型三极管Q3的集电极连接至输出端，N型三极管Q3的发射极与基极连接并通过电阻R1连接至辅助电源信号VS_ORING。开关电路3包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C4，开关管Q4为N型三极管，开关管Q5为P型三极管，开关管Q4和Q5的基极均连接至辅助电源信号VS_ORING，开关管Q4的集电极连接至辅助电源信号VS_ORING，发射极连接至防反MOS管Q1的栅极；开关管Q5的集电极连接至输入端，发射极连接至防反MOS管Q1的栅极。开关管Q4和Q5的两个基极连接，两个发射极连接，开关管Q4和Q5的基极和发射极之间连接有电阻R3，开关管Q5的发射极和集电极之间连接有电阻R4。开关管Q5的基极与集电极之间并联有旁路电容C1，把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，提高电路响应速度。开关管Q4的集电极和开关管Q5的集电极之间并联有滤波电容C4，滤掉输入端的噪声，减轻驱动电路1的振荡。输出端上连接有滤波电容C2和C3，滤波电容C2和C3背向输出端一端接地。其中G-OS是辅助电源信号VS_ORING的参考地具体实施过程：1，正常工作时，防反MOS管Q1左侧电压大于右侧(V输入端>V输出端)，其寄生二极管导通，则源极电位大于漏极电位。即N型三极管Q2发射极电位大于N型三极管Q3集电极的电位，此时N型三极管Q2的VBE<VBEon，则N型三极管Q2截止，从而使开关管Q4导通Q5截止，又因为防反MOS管Q1的VGS=VVS_本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ORing防反电路，其特征在于：包括输入端，用于接收输入电压；/n输出端，用于输出输出电压；/n防反MOS管Q1，所述防反MOS管Q1为NMOS管；所述防反MOS管Q1的源极连接至输入端，所述防反MOS管Q1的漏极连接至输出端；/n驱动电路（1），驱动电路（1）与防反MOS管Q1的源极、漏极、栅极均连接，所述驱动电路（1）用于根据防反MOS管Q1的源极和漏极之间的电压控制防反MOS管Q1的导通和关断。/n

【技术特征摘要】
1.一种ORing防反电路，其特征在于：包括输入端，用于接收输入电压；
输出端，用于输出输出电压；
防反MOS管Q1，所述防反MOS管Q1为NMOS管；所述防反MOS管Q1的源极连接至输入端，所述防反MOS管Q1的漏极连接至输出端；
驱动电路（1），驱动电路（1）与防反MOS管Q1的源极、漏极、栅极均连接，所述驱动电路（1）用于根据防反MOS管Q1的源极和漏极之间的电压控制防反MOS管Q1的导通和关断。


2.根据权利要求1所述的一种ORing防反电路，其特征在于：所述驱动电路（1）包括比较电路（2）、开关电路（3）和辅助电源信号VS_ORING，所述比较电路（2）用于比较输入端和输出端电压并输出比较结果，所述开关电路（3）根据比较电路（2）的比较结果输出控制防反MOS管Q1的导通或关断。


3.根据权利要求2所述的一种ORing防反电路，其特征在于：所述比较电路（2）包括NPN型的双极晶体管阵列（4），所述双极晶体管阵列（4）包括N型三极管Q2和Q3，所述N型三极管Q2和Q3共基极，N型三极管Q2和Q3的基极连接至辅助电源信号VS_ORING，所述N型...

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿鹏，代郭峰，任杰，
申请(专利权)人：南京户能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32