一种自适应同步整流电路制造技术

本申请涉及一种自适应同步整流电路，属于同步整流技术领域，所述自适应同步整流电路包括第一NMOS管Q1和控制模块，控制模块包括第一电阻R1，第二电阻R2和第一NPN三极管T1，第一NMOS管Q1串联在负载和待整流电源之间；第一电阻R1的一端连接工作电压Vcc，另一端与第一NPN三极管T1的集电极连接；第二电阻R2的一端连接工作电压Vcc，另一端与第一NPN三极管T1的基极连接；第一NPN三极管T1的发射极与第一NMOS管Q1的源极连接，第一NPN三极管T1的基极与第一NMOS管Q1的漏极连接，第一NPN三极管T1的集电极与第一NMOS管Q1的栅极连接；第一NMOS管Q1用于当源极和漏极间存在正向压降时导通，源极和漏极间存在反向压降时截止。采用本申请，可以基于简单的电路结构实现自适应同步整流。基于简单的电路结构实现自适应同步整流。基于简单的电路结构实现自适应同步整流。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应同步整流电路


[0001]本申请涉及同步整流
，尤其涉及一种自适应同步整流电路。

技术介绍

[0002]整流电路是一种可以将交流电能转换为直流电能的电路，一般可以设置在交流电源和电子设备之间，以将交流电的电转化为直流电，并进行滤波后提供给电子设备。最基本的整流电路可以利用整流二极管上PN结的单向导电性实现对交流电的整流，当PN结上存在正向电压时，PN结导通，电流可以顺利通过，而当PN结上加载反向电压时，PN结截止，电流则无法通过。
[0003]同步整流电路是基于整流电路的一种新的整流电路，其采用导通状态下电阻极低的功率管来替代整流二极管，以减少整流时产生的电能损耗，从而提高转换效率，降低电源发热。而功率管本身是需要外接控制的电路元器件，在整流过程中需要根据被整流电源的开关时序对功率管进行同步控制，如果当控制无法精确同步时，则会造成同步整流电路失效，导致整流的稳定性变差。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中同步整流的控制电路相对复杂，稳定性不可靠，若控制逻辑出现混乱，则无法较好的实现整流效果的问题，本申请实施例提供了一种自适应同步整流电路，所述技术方案如下：所述自适应同步整流电路包括第一NMOS管Q1和控制模块，所述控制模块包括第一电阻R1，第二电阻R2和第一NPN三极管T1，其中：所述第一NMOS管Q1的漏极和源极接入电源输入和参考接地端之间；所述第一电阻R1的一端连接工作电压Vcc，另一端与所述第一NPN三极管T1的集电极连接；所述第二电阻R2的一端连接工作电压Vcc，另一端与所述第一NPN三极管T1的基极连接；所述第一NPN三极管T1的发射极与所述第一NMOS管Q1的源极连接，所述第一NPN三极管T1的基极与所述第一NMOS管Q1的漏极连接，所述第一NPN三极管T1的集电极与所述第一NMOS管Q1的栅极连接；所述第一NMOS管Q1用于当源极和漏极间存在正向压降时导通，源极和漏极间存在反向压降时截止。
[0005]在一种可行的实施方式中，所述第一NMOS管Q1的源极电压越高，所述第一NPN三极管T1的基极和发射极的压差Vbe越小，所述第一NPN三极管T1的集电极的电流Ic越小，所述第一NMOS管Q1的栅极电压越大。
[0006]在一种可行的实施方式中，所述控制模块还包括第一二极管D1，所述第一二极管D1的一端与所述第一NPN三极管T1的基极连接，另一端与所述第一NMOS管Q1的漏极连接。
[0007]在一种可行的实施方式中，所述第一二极管D1的导通压降等于所述第一NPN三极管T1的基极和发射极间的导通压降。
[0008]在一种可行的实施方式中，所述控制模块还包括第二NPN三极管T2，所述第二NPN三极管T2的发射极和基极与所述第一NPN三极管T1的基极连接，所述第二NPN三极管T2的集电极与所述第一NMOS管Q1的漏极连接。
[0009]在一种可行的实施方式中，所述第二NPN三极管T2的基极和集电极间的导通压降等于所述第一NPN三极管T1的基极和发射极间的导通压降。
[0010]在一种可行的实施方式中，所述自适应同步整流电路还包括信号放大模块，所述信号放大模块的输入端与所述第一NPN三极管T1的集电极相连，所述信号放大模块的输出端与所述第一NMOS管Q1的栅极连接。
[0011]在一种可行的实施方式中，所述信号放大模块包括第三NPN三极管T3和第四PNP三极管T4，其中：所述第三NPN三极管T3的集电极连接工作电压Vcc，所述第三NPN三极管T3的发射极与所述第四PNP三极管T4的发射极相连，所述第四PNP三极管T4的集电极与所述第一NMOS管Q1的源极连接，所述第三NPN三极管T3的基极与所述第四PNP三极管T4的基极连接；所述第三NPN三极管T3的基极为所述信号放大模块的输入端，所述第三NPN三极管T3的发射极为所述信号放大模块的输出端。
[0012]综上所述，本申请具有以下有益效果：通过采用上述技术方案，由第一电阻R1、第二电阻R2和第一NPN三极管T1构成了第一NMOS管Q1的控制模块，并由控制模块和第一NMOS管Q1构成了自适应同步整流电路。这样，当源极和漏极间存在正向压降时，第一NMOS管Q1的栅极处加载高电平，第一NMOS管Q1导通，当源极和漏极间存在反向压降时，第一NMOS管Q1的栅极处加载低电平，第一NOMS管Q1截止，从而可以基于上述简单的电路结构，实现自适应同步整流，而无需针对第一NMOS管Q1设置复杂的控制电路以及控制逻辑。
附图说明
[0013]图1为本申请实施例中一种自适应同步整流电路结构示意图；图2为本申请实施例中一种自适应同步整流电路结构示意图；图3为本申请实施例中一种自适应同步整流电路结构示意图；图4为本申请实施例中一种自适应同步整流电路结构示意图；图5为本申请实施例中一种自适应同步整流电路结构示意图；附图标记说明：1、控制模块；2、信号放大模块。
具体实施方式
[0014]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图1
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5及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0015]现有技术中，同步整流器采用了MOS管作为整流器件，而一般MOS管的内阻非常小，在流过相同电流条件下，其导通电压降远远小于普通肖特基二极管的正向导通压降，则MOS
管的损耗功率远远比二极管的小，所以同步整流的效率会高一些。但是MOS管需要驱动电路，同步整流电路中需要为MOS管额外添加一个控制电路，使得MOS管导通关断能够与待整流电源同步，而同步整流的控制电路相对复杂，稳定性不可靠，若控制逻辑出现混乱，则无法较好的实现整流效果。
[0016]针对现有技术中存在的问题，本申请实施例提供了一种自适应同步整流电路，该自适应同步整流电路可以用于实现自适应的同步整流功能，无需设置复杂的控制电路。参照图1所示，自适应同步整流电路包括第一NMOS管Q1和控制模块1，其中，第一NMOS管Q1作为同步整流开关，第一NMOS管Q1的漏极和源极接入电源输入和参考接地端之间，控制模块1为第一NMOS管Q1的控制侧，用于向第一NMOS管Q1的栅极提供控制电压，以实现第一NMOS管Q1的导通和截止。
[0017]上述控制模块1可以包括第一电阻R1，第二电阻R2和第一NPN三极管T1，其中第一电阻R1的一端连接工作电压Vcc，第一电阻R1的另一端与第一NPN三极管T1的集电极c连接，第二电阻R2的一端连接工作电压Vcc，第二电阻R2的另一端与第一NPN三极管T1的基极b连接。
[0018]第一NPN三极管T1的发射极e与第一NMOS管Q1的源极s连接，第一NPN三极管T1的基极b与第一NMOS管Q1的漏极d连接，第一NPN三极管T1的集电极c与第一NMOS管Q1的栅极g连接。
[0019]这样，当第一NMOS管Q1的源极s和漏极d之间加载有正向压降时，即Vs大于Vd时，第一NMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应同步整流电路，其特征在于，所述自适应同步整流电路包括第一NMOS管Q1和控制模块，所述控制模块包括第一电阻R1，第二电阻R2和第一NPN三极管T1，其中：所述第一NMOS管Q1的漏极和源极接入电源输入和参考接地端之间；所述第一电阻R1的一端连接工作电压Vcc，另一端与所述第一NPN三极管T1的集电极连接；所述第二电阻R2的一端连接工作电压Vcc，另一端与所述第一NPN三极管T1的基极连接；所述第一NPN三极管T1的发射极与所述第一NMOS管Q1的源极连接，所述第一NPN三极管T1的基极与所述第一NMOS管Q1的漏极连接，所述第一NPN三极管T1的集电极与所述第一NMOS管Q1的栅极连接；所述第一NMOS管Q1用于当源极和漏极间存在正向压降时导通，源极和漏极间存在反向压降时截止。2.根据权利要求1所述的自适应同步整流电路，其特征在于，所述第一NMOS管Q1的源极电压越高，所述第一NPN三极管T1的基极和发射极的压差Vbe越小，所述第一NPN三极管T1的集电极的电流Ic越小，所述第一NMOS管Q1的栅极电压越大。3.根据权利要求1所述的自适应同步整流电路，其特征在于，所述控制模块还包括第一二极管D1，所述第一二极管D1的一端与所述第一NPN三极管T1的基极连接，另一端与所述第一NMOS管Q1的漏极连接。4.根据权利要求3所述的自适应同步整流电路，其特征在于，所述第一二极管D1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏月锦，瞿鹏，任杰，
申请(专利权)人：南京户能电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：