一种针对米勒效应的驱动电路制造技术

本申请涉及一种针对米勒效应的驱动电路，属于开关控制技术领域，所述驱动电路包括驱动信号源

【技术实现步骤摘要】
一种针对米勒效应的驱动电路


[0001]本申请涉及开关控制
，尤其涉及一种针对米勒效应的驱动电路
。

技术介绍

[0002]功率
MOS
管可以通过其源极和漏极间的导通和截止，以实现电路的通路和断路的功能，即功率
MOSFET
管可以作为开关元器件被广泛应用于各种开关电路中
。
[0003]功率
MOS
管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是
Cgs、Cgd、Cds
，其中
,Cgd
为米勒电容，
Cgd
可以引起米勒效应，即在功率
MOS
管导通过程中，
Vgs
电压上升到某一电压值后，
Vgs
电压有一段稳定值，一段时间后
Vgs
电压又开始上升直至完全源极和漏极间完全导通
。
[0004]除了阻止
Vgs
电压上升，使得功率
MOS
管的源漏极间导通时间变长，损耗加剧外，米勒效应还会导致功率
MOS
管的误导通，从而会导致功率
MOS
管的损坏，而且由于寄生参数的影响，高频导通时会出现震荡，不利于整体电路的
EMC
性能，以致降低产品可靠性
。

技术实现思路

[0005]为了避免功率
MOS
管在关断期间因米勒效应导致源极和漏极间误导通，本申请实施例提供了一种针对米勒效应的驱动电路
>。
所述技术方案如下：所述驱动电路包括驱动信号源
、
稳压模块
、
第一
NMOS
管
Q1、
第一
PMOS
管
Q2
和第一二极管
D1,
其中：所述第一
NMOS
管
Q1
的漏极和源极接入电源输入和参考接地端之间；所述稳压模块的输入端与驱动信号源连接，所述稳压模块的输出端与所述第一二极管
D1
的阳极连接；所述第一二极管
D1
的阳极与第一
PMOS
管
Q2
的栅极连接，所述第一二极管
D1
的阴极与所述第一
PMOS
管
Q2
的源极连接，且与所述第一
NMOS
管
Q1
的栅极连接；所述第一
PMOS
管
Q2
的漏极与所述参考接地端连接；所述稳压模块用于当所述驱动信号源输入低电平时输出负压，以使所述第一
PMOS
管
Q2
的源极和漏极导通
。
[0006]可选的，所述稳压模块包括第一电容
C1
和第一稳压管
D2
，其中：所述第一电容
C1
与所述第一稳压管
D2
并联，所述第一稳压管
D2
的阳极连接所述稳压模块的输出端，所述第一稳压管
D2
的阴极连接所述稳压模块的输入端
。
[0007]可选的，所述第一稳压管
D2
的稳压值基于所述第一
PMOS
管
Q2
源极和漏极的驱动门槛电压和所述第一稳压管
D2
的导通电压确定
。
[0008]可选的，所述驱动电路还包括控制模块，所述控制模块包括第一电阻
R1
，第二电阻
R2
和第一
NPN
三极管
T1
，其中：所述第一电阻
R1
的一端连接工作电压
Vcc
，另一端与所述第一
NPN
三极管
T1
的集电极连接；所述第二电阻
R2
的一端连接工作电压
Vcc
，另一端与所述第一
NPN
三极管
T1
的基极
连接；所述第一
NPN
三极管
T1
的发射极与所述第一
NMOS
管
Q1
的源极连接，所述第一
NPN
三极管
T1
的基极与所述第一
NMOS
管
Q1
的漏极连接；所述第一
NPN
三极管
T1
的集电极设置为所述驱动信号源；所述第一
NMOS
管
Q1
用于当源极和漏极间存在正向压降时导通，源极和漏极间存在反向压降时截止
。
[0009]可选的，所述控制模块还包括第三二极管
D3
，所述第三二极管
D3
的一端与所述第一
NPN
三极管
T1
的基极连接，另一端与所述第一
NMOS
管
Q1
的漏极连接
。
[0010]可选的，所述控制模块还包括第二
NPN
三极管
T2
，所述第二
NPN
三极管
T2
的发射极和基极与所述第一
NPN
三极管
T1
的基极连接，所述第二
NPN
三极管
T2
的集电极与所述第一
NMOS
管
Q1
的漏极连接
。
[0011]可选的，所述驱动电路还包括信号放大模块，所述信号放大模块的输入端与所述第一
NPN
三极管
T1
的集电极相连，所述信号放大模块的输出端设置为所述驱动信号源
。
[0012]可选的，所述信号放大模块包括第三
NPN
三极管
T3
和第四
PNP
三极管
T4
，其中：所述第三
NPN
三极管
T3
的集电极连接工作电压
Vcc
，所述第三
NPN
三极管
T3
的发射极与所述第四
PNP
三极管
T4
的发射极相连，所述第四
PNP
三极管
T4
的集电极与所述第一
NMOS
管
Q1
的源极连接，所述第三
NPN
三极管
T3
的基极与所述第四
PNP
三极管
T4
的基极连接；所述第三
NPN
三极管
T3
的基极为所述信号放大模块的输入端，所述第三
NPN
三极管
T3
的发射极为所述信号放大模块的输出端
。
[0013]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种针对米勒效应的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括驱动信号源
、
稳压模块
、
第一
NMOS
管
Q1、
第一
PMOS
管
Q2
和第一二极管
D1,
其中：所述第一
NMOS
管
Q1
的漏极和源极接入电源输入和参考接地端之间；所述稳压模块的输入端与驱动信号源连接，所述稳压模块的输出端与所述第一二极管
D1
的阳极连接；所述第一二极管
D1
的阳极与第一
PMOS
管
Q2
的栅极连接，所述第一二极管
D1
的阴极与所述第一
PMOS
管
Q2
的源极连接，且与所述第一
NMOS
管
Q1
的栅极连接；所述第一
PMOS
管
Q2
的漏极与所述参考接地端连接；所述稳压模块用于当所述驱动信号源输入低电平时输出负压，以使所述第一
PMOS
管
Q2
的源极和漏极导通
。2.
根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述稳压模块包括第一电容
C1
和第一稳压管
D2
，其中：所述第一电容
C1
与所述第一稳压管
D2
并联，所述第一稳压管
D2
的阳极连接所述稳压模块的输出端，所述第一稳压管
D2
的阴极连接所述稳压模块的输入端
。3.
根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一稳压管
D2
的稳压值基于所述第一
PMOS
管
Q2
源极和漏极的驱动门槛电压和所述第一稳压管
D2
的导通电压确定
。4.
根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述驱动电路还包括控制模块，所述控制模块包括第一电阻
R1
，第二电阻
R2
和第一
NPN
三极管
T1
，其中：所述第一电阻
R1
的一端连接工作电压
Vcc
，另一端与所述第一
NPN
三极管
T1
的集电极连接；所述第二电阻
R2
的一端连接工作电压
Vcc
，另一端与所述第一
NPN
三极管
T1
的基极连接；所述第一
NPN
三极管
T1
的发射极与所述第一
NMOS
管
Q1
的源极连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏月锦，瞿鹏，
申请(专利权)人：南京户能电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：