移相全桥副边全波整流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种移相全桥副边全波整流电路，涉及开关电源技术领域，旨在解决现有的移相全桥副边全波整流电路工作稳定性差的问题。其技术方案要点是，MOS管Q1的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q3，MOS管Q2的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q4；泄放MOS管Q3的栅级与第一隔离驱动器相连，泄放MOS管Q4的栅级与第二隔离驱动器相连；第一隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q1和泄放MOS管Q3，第二隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q2和泄放MOS管Q4。提高了整流电路的工作稳定性。

Phase shifted full bridge secondary full wave rectifier circuit

【技术实现步骤摘要】
移相全桥副边全波整流电路
本技术涉及开关电源
，尤其是涉及一种移相全桥副边全波整流电路。
技术介绍
为了满足宽输入电压范围要求，电源只能通过选用硬开关PWM技术；为实现高功率密度，电源只能通过采用高的开关频率，来减小磁性器件的体积，满足小型化要求；而满足大的输出电流要求，电源一般采用副边同步整流技术，通过降低导通损耗，来进一步提高电源的高效率。现有授权公告号为CN204794706U的中国专利公开了一种移相全桥同步整流电路，其包括移相全桥PWM控制器、第一时序控制器、第一隔离驱动器、第二时序控制器、第二隔离驱动器、MOS管A、MOS管B、MOS管C、MOS管D、MOS管SR1、MOS管SR2、变压器T1，由移相全桥控制器产生的MOS管A和MOS管D脉宽驱动信号经过第一隔离驱动器放大后对MOS管SR1进行同步驱动，由移相全桥控制器产生的MOS管B和MOS管C脉宽驱动信号经过第二隔离驱动器放大后对MOS管SR2进行同步驱动，降低了电路的导通损耗。但是，上述中的现有技术方案存在以下缺陷：由第一隔离驱动器到MOS管SR1的线路和由第二隔离驱动器到MOS管SR2的线路均有一定的距离（驱动线路与工作线路距离），线路比较长，所以会产生感抗，从而会产生振荡高频电压，容易出现MOS管SR1和MOS管SR2已经关断而又因为高频电压而打开的情况，从而使得副边的两个主功率MOS（MOS管SR1和MOS管SR2）不能可靠关断，由此而导致了整流电路的工作稳定性差的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种移相全桥副边全波整流电路，其具有能够提高整流电路工作稳定性的效果。本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种移相全桥副边全波整流电路，包括变压器、输出端、MOS管Q1、MOS管Q2、低通滤波电路、移相全桥PWM控制器、第一隔离驱动器和第二隔离驱动器；所述第一隔离驱动器和第二隔离驱动器均与移相全桥PWM控制器相连，所述MOS管Q1的栅级与第一隔离驱动器相连，所述MOS管Q2的栅级与第二隔离驱动器相连；所述MOS管Q1的漏级与变压器的副边第一端相连，所述MOS管Q2的漏级与变压器的副边第二端相连，所述低通滤波电路分别与变压器的中心抽头、MOS管Q1的源级、MOS管Q2的源级、输出端相连；所述MOS管Q1的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q3，所述MOS管Q2的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q4；所述泄放MOS管Q3的栅级与第一隔离驱动器相连，所述泄放MOS管Q4的栅级与第二隔离驱动器相连；所述第一隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q1和泄放MOS管Q3，所述第二隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q2和泄放MOS管Q4。通过采用上述技术方案，MOS管Q1和MOS管Q2交替工作，即交替打开。其中，第一隔离驱动器控制MOS管Q1关断时，会同时控制泄放MOS管Q3打开，使MOS管Q1的栅级与地相连，从而快速将高频电压导走，并快速将MOS管Q1的栅级电压拉低，使MOS管Q1可靠关断。在第二隔离驱动器控制MOS管Q2关断时，会同时控制泄放MOS管Q4打开，使MOS管Q2的栅级与地相连，从而快速将相应的高频电压导走，并快速将MOS管Q2的栅级电压拉低，使MOS管Q2可靠关断。泄放MOS管Q3和泄放MOS管Q4的设置，提高了整流电路的工作稳定性。本技术进一步设置为：所述MOS管Q1、MOS管Q2、泄放MOS管Q3和泄放MOS管Q4均为NMOS开关管。通过采用上述技术方案，NMOS导通电阻小、容易制造，使用方案成熟且利于节省成本。本技术进一步设置为：所述MOS管Q1连接有第一RCD吸收电路，所述MOS管Q2连接有第二RCD吸收电路；所述第一RCD吸收电路包括两个并联的第一二极管、两个并联的第一电容和两个并联的第一电阻，两个所述第一二极管的阳极均与MOS管Q1的漏级相连，两个所述第一二极管的阴极均与两个第一电容的一极以及两个第一电阻的一端相连；两个所述第一电容的另一极均与MOS管Q1的源级相连，两个第一电阻的另一端均与低通滤波电路相连；所述第二RCD吸收电路包括两个并联的第二二极管、两个并联的第二电容和两个并联的第二电阻，两个所述第二二极管的阳极均与MOS管Q2的漏级相连，两个所述第二二极管的阴极均与两个第二电容的一极以及两个第二电阻的一端相连；两个所述第二电容的另一极均与MOS管Q2的源级相连，两个第二电阻的另一端均与低通滤波电路相连。通过采用上述技术方案，RCD吸收电路由电阻、电容和二极管构成，过电压的抑制要好于RC吸收电路，与RC电路相比Vce升高的幅度更小，起到了尖峰吸收的作用。另一方面，采用2个电阻并联、两个二极管并联、两个电容并联的方式能够分担损耗，避免采用单一电阻、电容和二极管时产生过热损坏的情况，从而进一步提高了电路的工作稳定性。本技术进一步设置为：所述第一RCD吸收电路还包括第一TVS二极管，所述第二RCD吸收电路还包括第二TVS二极管；所述第一TVS二极管的阳极与MOS管Q1的源级相连，所述第一TVS二极管的阴极与第一二极管的阴极相连；所述第二TVS二极管的阳极与MOS管Q2的源级相连，所述第二TVS二极管的阴极与第二二极管的阴极相连。通过采用上述技术方案，TVS二极管具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力，当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击，使得RCD吸收电路的尖峰吸收效果更好。本技术进一步设置为：所述低通滤波电路包括电感、滤波电容、电解电容和滤波电阻，所述电感的一端与变压器的中心抽头连接，所述电感的另一端与第一RCD吸收电路、第二RCD吸收电路、滤波电容的一极、电解电容的正极以及滤波电阻的一端均连接，所述滤波电阻的另一端连接至输出端，所述滤波电容的另一极以及电解电容的负极均接地。通过采用上述技术方案，将方波电压通过LC滤波电路逆成直流电压，从而输出到输出端。本技术进一步设置为：所述滤波电阻由两个第三电阻并联组成。通过采用上述技术方案，避免了使用单一电阻时发热大的问题，两个电阻并联，分担了损耗。本技术进一步设置为：所述滤波电阻与输出端之间串接有防反灌电路。通过采用上述技术方案，能够防止电流反灌到电路中对电路造成损害，起到了保护的作用。本技术进一步设置为：所述防反灌电路包括防反MOS管Q5和驱动电路，所述防反MOS管Q5为NMOS管；所述防反MOS管Q5的源级连接至滤波电阻，所述防反MOS管Q5的漏级连接至输出端；所述驱动电路与防反MOS管Q5的源级、漏级、栅级均连接，且所述驱动电路用于根据防反MOS管Q5的源级和漏级之间的电压控制防反MOS管Q5的导通和关断。通过采用上述技术方案，当向输出端输出电压时，控制电路控制防反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种移相全桥副边全波整流电路，包括变压器(1)、输出端(2)、MOS管Q1、MOS管Q2、低通滤波电路(3)、移相全桥PWM控制器(4)、第一隔离驱动器(5)和第二隔离驱动器(6)；所述第一隔离驱动器(5)和第二隔离驱动器(6)均与移相全桥PWM控制器(4)相连，所述MOS管Q1的栅级与第一隔离驱动器(5)相连，所述MOS管Q2的栅级与第二隔离驱动器(6)相连；所述MOS管Q1的漏级与变压器(1)的副边第一端相连，所述MOS管Q2的漏级与变压器(1)的副边第二端相连，所述低通滤波电路(3)分别与变压器(1)的中心抽头、MOS管Q1的源级、MOS管Q2的源级、输出端(2)相连；其特征在于：/n所述MOS管Q1的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q3，所述MOS管Q2的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q4；所述泄放MOS管Q3的栅级与第一隔离驱动器(5)相连，所述泄放MOS管Q4的栅级与第二隔离驱动器(6)相连；所述第一隔离驱动器(5)用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q1和泄放MOS管Q3，所述第二隔离驱动器(6)用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q2和泄放MOS管Q4。/n...

【技术特征摘要】
1.一种移相全桥副边全波整流电路，包括变压器(1)、输出端(2)、MOS管Q1、MOS管Q2、低通滤波电路(3)、移相全桥PWM控制器(4)、第一隔离驱动器(5)和第二隔离驱动器(6)；所述第一隔离驱动器(5)和第二隔离驱动器(6)均与移相全桥PWM控制器(4)相连，所述MOS管Q1的栅级与第一隔离驱动器(5)相连，所述MOS管Q2的栅级与第二隔离驱动器(6)相连；所述MOS管Q1的漏级与变压器(1)的副边第一端相连，所述MOS管Q2的漏级与变压器(1)的副边第二端相连，所述低通滤波电路(3)分别与变压器(1)的中心抽头、MOS管Q1的源级、MOS管Q2的源级、输出端(2)相连；其特征在于：
所述MOS管Q1的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q3，所述MOS管Q2的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q4；所述泄放MOS管Q3的栅级与第一隔离驱动器(5)相连，所述泄放MOS管Q4的栅级与第二隔离驱动器(6)相连；所述第一隔离驱动器(5)用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q1和泄放MOS管Q3，所述第二隔离驱动器(6)用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q2和泄放MOS管Q4。


2.根据权利要求1所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述MOS管Q1、MOS管Q2、泄放MOS管Q3和泄放MOS管Q4均为NMOS开关管。


3.根据权利要求2所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述MOS管Q1连接有第一RCD吸收电路(7)，所述MOS管Q2连接有第二RCD吸收电路(8)；
所述第一RCD吸收电路(7)包括两个并联的第一二极管、两个并联的第一电容和两个并联的第一电阻，两个所述第一二极管的阳极均与MOS管Q1的漏级相连，两个所述第一二极管的阴极均与两个第一电容的一极以及两个第一电阻的一端相连；两个所述第一电容的另一极均与MOS管Q1的源级相连，两个第一电阻的另一端均与低通滤波电路(3)相连；
所述第二RCD吸收电路(8)包括两个并联的第二二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿鹏，任杰，
申请(专利权)人：南京户能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32