【技术实现步骤摘要】
高PSRR的低压差线性稳压器
本专利技术属于低压差线性稳压器
，具体涉及一种高PSRR的低压差线性稳压器。
技术介绍
低压差线性稳压器(LowDropoutregulator，LDO)具有输出噪声小、电路结构简单、占用芯片面积小和电压纹波小等优点，已成为电源管理芯片中的一类重要电路。低压差线性稳压器能够为模拟电路和射频电路等噪声敏感电路提供低输出纹波的电源，而且由于结构相对简单，外围元器件少，因而被广泛应用于片上系统芯片中。参图1所示，现有技术中的LDO主要包括误差放大器EA、MOS管M1、分压电阻Rf1和Rf2。LDO基本原理为：误差放大器EA用于放大反馈输出电压Vfb与基准电压Vref之间的差值，MOS管M1的栅源电压VGATE增大或减小电流以控制输出电压，实现输出电压的稳定，最终Vref和Vfb误差放大经过误差放大器EA构成负反馈使得输出电压稳定在VOUT＝Vref×(Rf1+Rf2)/Rf1。现有技术中的LDO想要获得高PSRR(电源抑制比)，需要很高的开环增益以及很宽的带宽，这样就需要...
【技术保护点】
1.一种高PSRR的低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括误差放大器EA、MOS管M1和M2、分压电阻Rf1和Rf2、及补偿电路，补偿电路位于误差放大器EA输出端与低压差线性稳压器输出端V
【技术特征摘要】
1.一种高PSRR的低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括误差放大器EA、MOS管M1和M2、分压电阻Rf1和Rf2、及补偿电路，补偿电路位于误差放大器EA输出端与低压差线性稳压器输出端VOUT之间，其中，MOS管M1为高压PMOS管，MOS管M2为低压PMOS管，MOS管M1和MOS管M2串联于低压差线性稳压器输入端VIN和输出端VOUT之间，且MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的高PSRR的低压差线性稳压器，其特征在于，所述MOS管M2的源极与低压差线性稳压器输入端VIN相连，栅极与误差放大器EA输出端相连，MOS管M1的漏极与低压差线性稳压器输出端VOUT相连，栅极通过驱动电压PISO驱动。
3.根据权利要求2所述的高PSRR的低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括与MOS管M1的栅极相连的驱动电路，所述驱动电路用于为MOS管M1提供驱动电压PISO。
4.根据权利要求3所述的高PSRR的低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动电路包括若干MOS管、电阻及二极管。
5.根据权利要求3所述的高PSRR的低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动电路包括：
串联于低压差线性稳压器输入端VIN和地电位之间的MOS管M4和电阻R4；
串联于低压差线性稳压器输入端VIN和地电位之间的电阻R2、电阻R3、MOS管M5及二极管D1；
其中，MOS管M4和M5为PMOS管，MOS管M4的漏极和MOS管M5的栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员：张铮栋，王永攀，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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