一种高工艺稳定性的亚阈带隙基准源电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高工艺稳定性的亚阈带隙基准源电路，其特征在于，包括启动电路、饱和电流产生电路、亚阈电流产生电路、级联PTAT电路和PTAT电压调整管；还包括bc短接的pnp三极管。级联PTAT电路产生正温度系数电压，bc短接的pnp三极管产生负温度系数电压，加权求和在输出端得到0温度系数输出电压，正温度系数电压和负温度系数电压加权求和在输出端得到0温度系数输出电压。本发明专利技术中利用普通MOS管和高压MOS管的阈值差来产生亚阈电流，从而获得低功耗特性，在该电路设计中通过高压MOS管参数设计，保证该电路模块能够在极限工艺波动条件下始终产生亚阈电流，从而获得较高工艺稳定性。

A sub threshold bandgap reference circuit with high process stability

【技术实现步骤摘要】
一种高工艺稳定性的亚阈带隙基准源电路
本专利技术涉及带隙基准源电路
，特别涉及一种高工艺稳定性的亚阈带隙基准源电路。
技术介绍
带隙基准是集成电路的一个重要门类，也可以作为集成电路中的一个模块。对带隙基准的基本要求是输出电压随集成电路制造工艺、温度、电源电压等因素的变化而变化的幅度尽可能小。随着集成电路特征尺寸的持续减小，集成电路集成度越来越大，一块芯片中往往集成了上亿个晶体管。这样对于芯片低功耗的要求也越来越高，特别是移动芯片和可穿戴设备对功耗的需求更为迫切。目前如何在保证功能、精度的前提下，最大限度地降低功耗也是目前各类集成电路设计的研究方向之一。在带隙基准门类中，有一种亚阈带隙基准，其利用MOS管亚阈工作时电流非常小的特点来实现低功耗，是目前低功耗带隙基准的主流设计。MOS管亚阈值工作是介于MOS管截止态和正常工作状态之间的一种工作状态。故而其工作电流能够相比正常工作状态大大缩减以达到低功耗目的。但MOS亚阈工作也有较大隐患，由于亚阈工作区间较小，条件较为苛刻，如遇到工艺误差往往会使得MOS管实际工作状态脱离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高工艺稳定性的亚阈带隙基准源电路，其特征在于，包括启动电路、饱和电流产生电路、亚阈电流产生电路、级联PTAT电路和PTAT电压调整管；启动电路作用于饱和电流产生电路，饱和电流产生电路用于产生稳定饱和电流；饱和电流产生电路产生的MOS饱和电流提供给后继的亚阈电流产生电路，亚阈电流产生电路用于产生亚阈电流；产生的亚阈电流提供给级联PTAT电路和PTAT电压调整管，以获得正温度系数电压；/n还包括bc短接的pnp三极管，该三极管用于产生负温度系数电压；/n正温度系数电压和负温度系数电压加权求和在输出端得到0温度系数输出电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种高工艺稳定性的亚阈带隙基准源电路，其特征在于，包括启动电路、饱和电流产生电路、亚阈电流产生电路、级联PTAT电路和PTAT电压调整管；启动电路作用于饱和电流产生电路，饱和电流产生电路用于产生稳定饱和电流；饱和电流产生电路产生的MOS饱和电流提供给后继的亚阈电流产生电路，亚阈电流产生电路用于产生亚阈电流；产生的亚阈电流提供给级联PTAT电路和PTAT电压调整管，以获得正温度系数电压；
还包括bc短接的pnp三极管，该三极管用于产生负温度系数电压；
正温度系数电压和负温度系数电压加权求和在输出端得到0温度系数输出电压。


2.根据权利要求1所述的高工艺稳定性的亚阈带隙基准源电路，其特征在于，所述亚阈电流产生电路包括普通MOS管M14和高压MOS管M17，普通MOS管M14栅漏短接，普通MOS管M14和高压MOS管M17共栅极，普通MOS管M14和高压MOS管M17源极接地，普通MOS管M14中流入由饱和电流产生电路产生的恒定电流Isat，在高压MOS管M17产生亚阈电流。


3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锡锋，陆建恩，王津飞，
申请(专利权)人：江苏信息职业技术学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32