恒流控制电源电路及场致发射电子源制造技术

本公开提供了一种电源电路及场致发射电子源，该电源电路包括：经由漏极和源极依次串联连接的场效应晶体管S

Constant current control power circuit and field emission electron source

【技术实现步骤摘要】
恒流控制电源电路及场致发射电子源
本公开涉及电子源发射
，更具体地，涉及一种电源电路及应用该电源电路的场致发射电子源。
技术介绍
电源电路的性能对电子设备的性能至关重要。例如，在场致发射电子源产品中，当施加到场致发射电子源回路的电流发生变化时，将导致场致发射电子源性能下降。在固体中含有大量的电子，这些电子由于受到原子核的吸引而被束缚在固体内部，在常态下这些电子所具有的能量都不足以逸出物体表面，只有在一定的外界能量作用下或通过消除电子束缚的方法，才能使电子从固体内部通过表面向真空逸出。我们称能在真空中定向产生大量电子的系统为电子源。一种方法是依靠外部电场压抑材料的表面势垒，使势垒降低、变窄，当势垒的宽度窄到可与电子波长相比拟时，电子的隧道效应开始起作用，自由电子就可以顺利穿透表面势垒进入真空中。这种利用外界强电场，把电子拉出固体表面的现象就是场致发射现象，这种类型的电子源称为场发射电子源。研究表明，当外电场场强达到10的6次方时，已经有很明显的电子发射现象了。场致电子发射不存在时间延迟性，响应速度达到微秒级，即场致发射电子源可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源电路，包括：/n经由漏极和源极依次串联连接的场效应晶体管S

【技术特征摘要】
1.一种电源电路，包括：
经由漏极和源极依次串联连接的场效应晶体管Si，1≤i≤n，i、n为自然数，n≥2，其中S1的源极与电压源的负极连接，Sn的漏极作为电源电路的输出端，用于连接负载；
串联连接的第一组二极管D1i，1≤i≤n，i、n为自然数，n≥2，其中D11并联连接在S2的栅极与所述电压源的负极之间，D1n并联连接在Sn的栅极与Sn的漏极之间，当n>2时，其余的D1i并联连接在Si的栅极与Si+1的栅极之间；
第一组电阻R1j，2≤j≤n，其中R1j并联连接Si的栅极和源极，其中j与i的取值相对应；i、j为自然数；以及
电压控制模块，调整所述电压源的输出电压，以使通过负载的电流恒定；
其中，所述场效应晶体管Si，1≤i≤n工作在可变电阻区。


2.根据权利要求1所述的电源电路，其中，场效应晶体管Si，1≤i≤n为N沟道增强型场效应管。


3.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述电压控制模块包括：
检测单元，与连接到所述电源电路的输出端的负载串联连接，以检测通过负载的电流；以及
控制信号生成单元，根据通过负载的电流生成控制信号，并将所述控制信号施加到所述电压源。


4.根据权利要求3所述的电源电路，其中，所述控制信号生成单元被配置为：
将通过负载的电流与电流设定值进行比较；
当通过负载的电流小于所述电流设定值时，增加所述电压源的输出电压；
当通过负载的电流大于所述电流设定值时，减小所述电压源的输出电压。


5.根据权利要求1所述的电源电路，还包括：并联连接的第二组二极管D2k，2≤k≤n，其中D2k...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐华平，尹翔宇，秦占峰，潘劲松，张庆辉，占杨炜，
申请(专利权)人：新鸿电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32