一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，包括环化聚异戊二烯：重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～2.0，环化率55%~85%；环化聚丁二烯：重均分子量范围为2W~4W，分子量分布Mw/Mn范围为1.2～2.4，环化率60%~80%；光敏剂：所述光敏剂为2，6‑二[（4‑叠氮基苯基）亚甲基]‑4‑甲基‑环己酮；偶联剂。该组合物有效保护台面芯片各个位置的衬底，不出现腐蚀钻蚀问题且不出现浮胶、显影不净等质量异常问题。

A high uniformity negative photoresist composition for mesa device

【技术实现步骤摘要】
一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物
本专利技术涉及一种组合物，尤其涉及一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物。
技术介绍
环化橡胶——双叠氮负性光刻胶因具有优秀的透光性、粘合性、抗酸抗碱性、柔顺性等特性，在分立器件及功率器件芯片的生产中，仍具有不可替代的作用。特别是在台面功率芯片的制造中，因环化橡胶——双叠氮负性光刻胶的优秀的耐蚀刻性能，可以达成100um-150um的器件深槽腐蚀的要求。但目前市场使用的环化橡胶——双叠氮负性光刻胶，因涂布后在台面管芯的不同位置的胶膜厚度均匀性差异过大，对台面形成后的芯片保护效果不佳，导致台面涂布时，台面边界位置的光刻胶厚度过薄，难以抵挡蚀刻液的侵蚀，导致衬底氧化层缺损，甚至蚀穿氧化层，引起保护环位置出现镀金现象，影响产品外观，严重时氧化层被穿透，导致芯片打火击穿，可靠性差。即使调整涂胶程序，也不能兼顾台面各个位置的厚度均达到合适水平，过低的涂胶转速还可能导致显影时胶膜溶胀严重，出现浮胶、钻蚀等现象。因高台面导致的涂布均匀性差，衬底保护不良等问题是目前台面芯片制程面临的主要问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，其特征在于：包括/n环化聚异戊二烯：重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～2.0，环化率55%~85%；/n环化聚丁二烯：重均分子量范围为2W~4W，分子量分布Mw/Mn范围为1.2～2.4，环化率60%~80%；/n光敏剂：所述光敏剂为2，6-二[（4-叠氮基苯基）亚甲基]-4-甲基-环己酮/n偶联剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，其特征在于：包括
环化聚异戊二烯：重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～2.0，环化率55%~85%；
环化聚丁二烯：重均分子量范围为2W~4W，分子量分布Mw/Mn范围为1.2～2.4，环化率60%~80%；
光敏剂：所述光敏剂为2，6-二[（4-叠氮基苯基）亚甲基]-4-甲基-环己酮
偶联剂。


2.根据权利要求1所述的用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，其特征在于：所述环化聚异戊二烯重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～1.5。


3.根据权利要求1所述的用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，其特征在于：所述环化聚异戊二烯的环化率为65%~80%。


4.根据权利要求1所述的用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，其特征在于：所述环化聚异戊二烯在组合物中的质量浓度范围为10～30%。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：马骥，
申请(专利权)人：苏州瑞红电子化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32