一种直拉硅晶体生长热场结构制造技术

技术编号:23381511 阅读:20 留言:0更新日期:2020-02-19 02:10
本实用新型专利技术专利涉及直拉硅单晶生长领域,具体涉及一种直拉硅晶体生长热场结构。包括电极座和多个加热器组件;加热器组件在竖直方向呈S形连续折返结构,其水平方向截面形状呈圆弧形,每个加热器组件的首尾两端分别接至一个电极座;多个加热器组件之间通过电极座首尾相连,组成一个圆环形的热场结构。本实用新型专利技术加热器由整体圆改为1/4圆弧或1/2圆弧,减少对石墨原材料尺寸要求;加热器局部损坏后可通过更换单个组建恢复使用,降低使用成本;更改为1/4圆弧或1/2圆弧后原料利用率提高,采购成本降低。

Thermal field structure of Czochralski silicon crystal growth

【技术实现步骤摘要】
一种直拉硅晶体生长热场结构
本技术专利涉及直拉硅单晶生长领域,具体涉及一种直拉硅晶体生长热场结构。
技术介绍
直拉法硅单晶生长过程中,使用石墨材料加工而成的零件组成热场,提供晶体生长必须的机械支撑、热量传输和温度梯度等。石墨材料通常采用等静压或模压形式加工而成,因此石墨基材存在几何尺寸上限。随着晶体生长技术的进步,热场尺寸逐渐增大,热场部件尺寸已经接近石墨材料的尺寸极限,同时制造热场部件成本也大幅度增加。将尺寸较大的整个部件拆解为多个部件的组合形式,不但解决了材料尺寸受限问题,也可以提高石墨基材利用率,大幅降低使用成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是,克服现有技术中的不足,提供一种直拉硅晶体生长热场结构。为解决上述技术问题,本技术采用的解决方案是:提供一种直拉硅晶体生长热场结构,包括电极座和多个加热器组件;加热器组件在竖直方向呈S形连续折返结构,其水平方向截面形状呈圆弧形,每个加热器组件的首尾两端分别接至一个电极座;多个加热器组件之间通过电极座首尾相连,组成一个圆环形的热场结构。作为一种改进,加热器组件与电极座通过紧固螺母连接。作为一种改进,加热器组件水平方向截面形状呈1/2圆弧形。作为一种改进,加热器组件水平方向截面形状呈1/4圆弧形。作为一种改进,电极座为石墨电极座或碳碳复合材料电极座。与现有技术相比,本技术的技术效果是:1、加热器由整体圆改为1/4圆弧或1/2圆弧,减少对石墨原材料尺寸要求;2、加热器局部损坏后可通过更换单个组建恢复使用,降低使用成本;3、更改为1/4圆弧或1/2圆弧后原料利用率提高,采购成本降低。附图说明图1为本技术中加热器组件水平方向截面形状为1/4圆弧形的结构示意图;图2为本技术中使用两组水平方向截面形状1/4圆弧形加热器组件的结构示意图。附图标记为:1-加热器组件;2-电极座;3-紧固螺母。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式,进一步阐明本技术。在阅读了本技术之后,其他技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均属于本申请所附权利要求所限定的范围。一种直拉硅晶体生长热场结构,包括电极座2和多个加热器组件1;加热器组件1在竖直方向呈S形连续折返结构,其水平方向截面形状呈圆弧形,每个加热器组件1的首尾两端分别通过紧固螺母3连接接至一个电极座2;多个加热器组件1之间通过电极座2首尾相连,组成一个圆环形的热场结构。加热器组件1水平方向截面形状呈1/2圆弧形或1/4圆弧形。电极座2与加热器组件1均可使用石墨或碳碳复合材料。最后需要注意的是,以上列举的仅是本技术的具体实施例。显然,本技术不限于以上实施例,还可有很多变形。本领域的普通技术人员能从本技术公开的内容中直接导出或联想到的所有变形,均应认为是本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直拉硅晶体生长热场结构,包括电极座和多个加热器组件;其特征在于:所述加热器组件在竖直方向呈S形连续折返结构,其水平方向截面形状呈圆弧形,每个加热器组件的首尾两端分别接至一个电极座;多个加热器组件之间通过电极座首尾相连,组成一个圆环形的热场结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种直拉硅晶体生长热场结构,包括电极座和多个加热器组件;其特征在于:所述加热器组件在竖直方向呈S形连续折返结构,其水平方向截面形状呈圆弧形,每个加热器组件的首尾两端分别接至一个电极座;多个加热器组件之间通过电极座首尾相连,组成一个圆环形的热场结构。


2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于:所述加热器组件与电极座通过紧...

【专利技术属性】
技术研发人员:高宇胡建荣傅林坚其他发明人请求不公开姓名
申请(专利权)人:浙江晶盛机电股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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