具有载流子存储区的LIGBT制造技术

本发明专利技术公开了一种具有载流子存储区的LIGBT。所述LIGBT包括N型漂移区；所述N型漂移区包括N型硅条；所述N型硅条包括载流子存储区；所述载流子存储区掺杂有氢离子。本发明专利技术的LIGBT的N型漂移区包括N型硅条，并且该N型硅条包括掺杂有氢离子的载流子存储区，从而该载流子存储区既可以表现为空穴阻挡层，在LIGBT正向导通时，能够降低饱和压降Vcesat，也可以表现为复合中心，在LIGBT关断时，能够缩短少子的寿命，从而能够缩短关断时间。

LIGBT with carrier store

【技术实现步骤摘要】
具有载流子存储区的LIGBT
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种具有载流子存储区的LIGBT。
技术介绍
LIGBT(LateralInsulatedGateBipolarTransistor，横向绝缘栅双极型晶体管)综合了BJT(BipolarJunctionTransistor，双极型三极管)和横向功率MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金氧半场效晶体管)的优点，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点，在各种功率集成电路领域得到广泛的应用。LIGBT导通时由于其漂移区的电导调制效应，可以获得较低的饱和压降。但是在LIGBT关断时，由于其漂移区内存储了大量的少数载流子(少子)，从而导致LIGBT关断时间较长。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中LIGBT关断时间较长的缺陷，提供一种兼顾关断时间和饱和压降的具有载流子存储区的LIGBT。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：一种具有载流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有载流子存储区的LIGBT，其特征在于：/n所述LIGBT包括N型漂移区；/n所述N型漂移区包括N型硅条；/n所述N型硅条包括载流子存储区；/n所述载流子存储区掺杂有氢离子。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有载流子存储区的LIGBT，其特征在于：
所述LIGBT包括N型漂移区；
所述N型漂移区包括N型硅条；
所述N型硅条包括载流子存储区；
所述载流子存储区掺杂有氢离子。


2.如权利要求1所述的具有载流子存储区的LIGBT，其特征在于，所述N型硅条平行于所述LIGBT的沟道长度方向。


3.如权利要求1所述的具有载流子存储区的LIGBT，其特征在于，所述N型漂移区还包括P型硅条，所述P型硅条与所述N型硅条间隔设置。


4.如权利要求3所述的具有载流子存储区的LIGBT，其特征在于，所述P型硅条平行于所述LIGBT的沟道长度方向。


5.如权利要求1所述的具有载流子存储区的LIGBT，其特征在于，所述氢离子经由离子注入、扩散、蒸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学良，刘建华，郎金荣，闵亚能，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31