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本发明公开了一种具有载流子存储区的LIGBT。所述LIGBT包括N型漂移区；所述N型漂移区包括N型硅条；所述N型硅条包括载流子存储区；所述载流子存储区掺杂有氢离子。本发明的LIGBT的N型漂移区包括N型硅条，并且该N型硅条包括掺杂有氢离子的...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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