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TALBOT-LAU X射线源和干涉测量系统技术方案

技术编号:23364325 阅读:46 留言:0更新日期:2020-02-18 17:52
本公开涉及TALBOT‑LAU X射线源和干涉测量系统。提供了一种x射线源,以及采用该x射线源的x射线干涉测量系统。x射线源包括靶,所述靶包括衬底和多个结构。衬底包括导热的第一材料和第一表面。多个结构位于第一表面的至少一部分上或嵌入在第一表面的至少一部分中。结构彼此分开并与衬底热连通。结构包括与第一材料不同的至少一种第二材料,该至少一种第二材料被配置为在由具有0.5keV至160keV的能量范围内的能量的电子照射时生成x射线。x射线源还包括电子源,其被配置为生成电子,并且引导电子以撞击靶并且沿着相对于第一表面的该部分的表面法线的非零角度处的方向照射至少一些结构。

Talbot-Lau X-ray source and interferometry system

【技术实现步骤摘要】
TALBOT-LAUX射线源和干涉测量系统优先权声明本申请要求于2018年8月6日递交的美国临时申请No.62/715,164的优先权的权益,该临时申请的整体通过引用结合于此。
本申请总体涉及x射线源。
技术介绍
实验室x射线源通常用电子轰击金属靶(target),这些电子的减速产生从零到电子动能的所有能量的Bremsstrahlungx射线。此外,金属靶通过在靶原子的内核电子轨道中创建空穴来产生x射线,这些空穴然后由结合能低于内核电子轨道的靶的电子填充,伴随生成具有目标原子特征的能量的x射线。照射靶的电子的大部分功率被转换成热量(例如,约60%)以及反向散射电子和/或反射电子(例如,约39%),仅有约1%的入射功率被转换成x射线。由于该热量而导致的x射线靶的熔化可能是x射线源可以实现的最终亮度(例如,每立体弧度每面积每秒的光子数)的限制因素。
技术实现思路
本文描述的某些实施例提供了包括靶的x射线源,所述靶包括衬底和多个结构。衬底包括导热的第一材料和第一表面。多个结构位于第一表面的至少一部分上或嵌入在第一表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种x射线源,包括:/n靶,所述靶包括:/n衬底,所述衬底包括导热的第一材料和第一表面;以及/n多个结构,所述多个结构位于所述第一表面的至少一部分上或嵌入在所述第一表面的至少一部分中,所述结构彼此分开并且与所述衬底热连通,所述结构包括与所述第一材料不同的至少一种第二材料,所述至少一种第二材料被配置为在由具有处于0.5keV至160keV的能量范围内的能量的电子进行照射时生成x射线;以及/n电子源,所述电子源被配置为生成所述电子,并且引导所述电子以撞击所述靶并且沿着相对于所述第一表面的所述一部分的表面法线的非零角度处的方向照射所述结构中的至少一些结构,所述电子的所述角度和动能被配置为使得所述...

【技术特征摘要】
20180806 US 62/715,1641.一种x射线源,包括:
靶,所述靶包括:
衬底,所述衬底包括导热的第一材料和第一表面;以及
多个结构,所述多个结构位于所述第一表面的至少一部分上或嵌入在所述第一表面的至少一部分中,所述结构彼此分开并且与所述衬底热连通,所述结构包括与所述第一材料不同的至少一种第二材料,所述至少一种第二材料被配置为在由具有处于0.5keV至160keV的能量范围内的能量的电子进行照射时生成x射线;以及
电子源,所述电子源被配置为生成所述电子,并且引导所述电子以撞击所述靶并且沿着相对于所述第一表面的所述一部分的表面法线的非零角度处的方向照射所述结构中的至少一些结构,所述电子的所述角度和动能被配置为使得所述电子中的至少一些电子在所述靶内具有足以穿透所述第一表面并且照射所述结构中的至少两个结构的电子穿透深度。


2.根据权利要求1所述的x射线源,还包括x射线窗口,所述x射线窗口包括所述靶,所述x射线中的至少一些x射线穿过所述第一材料并且穿过所述靶的第二表面。


3.根据权利要求1所述的x射线源,其中,所述角度大于20度。


4.根据权利要求1所述的x射线源,其中,所述角度在40度至85度的范围内。


5.根据权利要求1所述的x射线源,其中,所述角度在40度至60度的范围内。


6.根据权利要求1所述的x射线源,其中,所述角度等于60度。


7.根据权利要求1所述的x射线源,其中,从所述电子到所述结构的能量沉积大于从所述电子到所述衬底的能量沉积。


8.根据权利要求1所述的x射线源,其中,所述衬底包括第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且大致平行于所述第一表面,并且所述衬底在所述第一表面和所述第二表面之间具有250微米至3000微米的范围内的厚度。


9.根据权利要求8所述的x射线源,其中,所述结构从所述第一表面朝向所述第二表面延伸至1微米至30微米的范围内的深度。


10.根据权利要求8所述的x射线源,其中,所述结构从所述第一表面朝向所述第二表面延伸至2微米至10微米的范围内的深度。


11.根据权利要求8所述的x射线源,其中,所述x射线穿过所述衬底的所述第二表面到达至少一个光学元件。


12.根据权利要求1所述的x射线源,其中,所述结构中的至少一些结构在至少一个横向方向上各自沿着所述第一表面延伸0.5微米至5微米的范围内的...

【专利技术属性】
技术研发人员:云文兵西尔维娅·贾·云·路易斯雅诺什·科瑞大卫·维恩
申请(专利权)人:斯格瑞公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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