一种MEMS结构及其形成方法技术

技术编号:23349890 阅读:64 留言:0更新日期:2020-02-15 06:09
本申请公开了一种MEMS结构的形成方法,包括:在衬底的正面形成第一牺牲层和突出于所述衬底外的支柱,并且所述第一牺牲层的顶面与所述支柱的顶面平齐;在所述支柱和所述第一牺牲层上方形成压电复合振动层;去除所述第一牺牲层形成空腔。该MEMS结构采用支柱支撑压电复合振动层,从而有利于提高MEMS结构的灵敏度。

A MEMS structure and its forming method

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS结构及其形成方法
本申请涉及半导体
,具体来说,涉及一种MEMS(MicroelectroMechanicalSystems的简写,即微机电系统)结构及其形成方法。
技术介绍
MEMS传声器(麦克风)主要包括电容式和压电式两种。MEMS压电传声器是利用微电子机械系统技术和压电薄膜技术制备的传声器,由于采用半导体平面工艺和体硅加工等技术,所以其尺寸小、体积小、一致性好。同时相对于电容传声器还有不需要偏置电压,工作温度范围大,防尘、防水等优点,但其灵敏度比较低,制约着MEMS压电传声器的发展。针对相关技术中如何提高压电式MEMS结构的灵敏度问题,目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中MEMS结构的灵敏度较低的问题,本申请提出一种MEMS结构及形成方法,能够提高MEMS结构的灵敏度。本申请的技术方案是这样实现的:根据本申请的一个方面,提供了一种MEMS结构的形成方法,包括:在衬底的正面形成第一牺牲层和突出于所述衬底外的支柱,并且所述第一牺牲层的顶面与所述支柱的顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS结构的形成方法,其特征在于,包括:/n在衬底的正面形成第一牺牲层和突出于所述衬底外的支柱,并且所述第一牺牲层的顶面与所述支柱的顶面平齐;/n在所述支柱和所述第一牺牲层上方形成压电复合振动层;/n去除所述第一牺牲层形成空腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS结构的形成方法,其特征在于,包括:
在衬底的正面形成第一牺牲层和突出于所述衬底外的支柱,并且所述第一牺牲层的顶面与所述支柱的顶面平齐;
在所述支柱和所述第一牺牲层上方形成压电复合振动层;
去除所述第一牺牲层形成空腔。


2.根据权利要求1所述的MEMS结构的形成方法,其特征在于,形成所述支柱的方法包括:在所述衬底的正面形成图案化的硬掩模层,并蚀刻所述衬底形成所述空腔,其中,在所述空腔内的部分衬底材料与所述硬掩模层的部分材料构成所述支柱。


3.根据权利要求1所述的MEMS结构的形成方法,其特征在于,形成所述支柱的方法包括:
在所述衬底的正面形成图案化的第一掩模层,利用所述图案化的第一掩模层对所述衬底进行第一次蚀刻,形成位于所述衬底中间的凸起,之后去除所述图案化的第一掩模层;在所述衬底的边缘部分和所述凸起上方形成图案化的第二掩模层,利用所述图案化的第二掩模层对所述衬底进行第二次蚀刻,从而形成所述支柱和所述空腔,之后去除所述图案化的第二掩模层。


4.根据权利要求1所述的MEMS结构的形成方法,其特征在于,形成所述第一牺牲层的方法包括:在所述空腔底部的所述衬底上方形成阻挡层,之后在所述空腔内填充所述第一牺牲层。


5.根据权利要求1所述的MEMS结构的形成方法,其特征在于,所述支柱的第一端连接至所述空腔底部的所述衬底的中间部分,所述支柱的第二端连接至所述压电复合振动层的中间部分和/或边缘部分。


6.根据权利要求1所述的MEMS结构的形成方法,其特征在于,在去除所述第一牺牲层之前,在所述压电复合振动层和所述第一牺牲层的上方形成第二牺牲层,之后在所述第二牺牲层的侧壁外去除所...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘端
申请(专利权)人:安徽奥飞声学科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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