通孔结构制造技术

三维集成电路(IC)封装的通孔结构的结构及方法。通孔结构包括：中间部分，延伸穿过平面结构；以及第一端及第二端，各自连接到中间部分且位于平面结构的不同侧上。第一端及第二端中的一者或多者包括多个通孔及准金属层中的一者或多者。

Through-hole structure

【技术实现步骤摘要】
通孔结构
本专利技术实施例涉及一种通孔结构。
技术介绍
半导体集成电路(IntegratedCircuit，IC)行业已经历了指数增长。在三维(three-dimensional，3D)集成电路封装中，可使用硅穿孔(through-siliconvia，TSV)来连接硅晶片衬底/管芯(或任何适合的平面结构)的相对侧上的集成电路/组件。硅穿孔是穿过/延伸穿过硅晶片衬底/管芯且连接所述硅晶片衬底/管芯的相对侧上的装置/结构(例如，金属内连线)的电连接。可使用集成电路设计工具(例如，电子设计自动化(ElectronicDesignAutomation，EDA)工具)将3D集成电路封装模型化。集成电路设计工具所应用的设计规则可用于确定硅穿孔与另一装置/结构(例如，金属内连线)之间的连接图案是否可接受。举例来说，可对包括硅穿孔的电路布局(layout)实行设计规则检查(designrulecheck，DRC)及/或电路布局验证(layoutversusschematic，LVS)检查，以检查是否已检测到对设计规则的任何违反。当未检测到违反时，可将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通孔结构，其中，包括：/n中间部分，延伸穿过平面结构；以及/n第一端及第二端，各自连接到所述中间部分且位于所述平面结构的不同侧上，其中所述第一端及所述第二端中的一者或多者包括多个通孔及准金属层中的一者或多者。/n

【技术特征摘要】
20180716 US 62/698,758;20190702 US 16/460,1371.一种通孔结构，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丰愿，刘钦洲，钱清河，叶政宏，黄博祥，詹森博，郑仪侃，水修铨，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71