一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种阵列基板及其制造方法，涉及显示面板领域，所述制造方法包括以下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层，形成位于像素区的栅极以及位于端子区的扫描线；S2：依次沉积第一绝缘层、半导体层和第二金属层，利用半透掩膜版形成位于像素区的栅极绝缘层、沟道半导体层、源极、漏极、与漏极接触的第一半导体层以及位于端子区的数据线；S3：沉积第二绝缘层，形成绝缘保护层，所述绝缘保护层上设有第一开孔并暴露出第一半导体层，通过第一开孔对第一半导体层进行导体化形成像素电极；S4：沉积第三绝缘层，形成介电层，并形成位于端子区扫描线上的第一接触孔以及数据线上的第二接触孔；S5：沉积透明电极，形成覆盖像素区和端子区的公共电极。

An array substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法
本专利技术属于显示面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法。技术背景边缘场开关(FringeFieldSwitching，简称FFS)技术是目前的一种液晶显示器技术，是一种广视角技术，能够实现大尺寸，高清晰显示画面。FFS液晶显示面板具有响应时间快、光透过率高、宽视角等优点，传统的FFS液晶显示面板都需要两层ITO来制作，这使得FFS液晶显示面板的制作流程要比一般的液晶面板多一至两道光罩(掩膜版)工艺，相应的成本也增加了。为了增强氧化物薄膜晶体管竞争力，缩减成本，提升产能，现有技术对减光罩技术进行了开发研究，在新型氧化物半导体技术(采用背沟道刻蚀(BackChannelEtching，BCE)，与9道量产工艺(采用刻蚀阻挡层(EtchingStopLayer，ESL)相比，减少1道掩膜版为8Mask)基础之上，通过采用半透掩膜(HalfToneMask，HTM)技术，同时在端子区采用第二绝缘层、第一绝缘层和栅极绝缘层三层绝缘层一次刻蚀技术，顶层透明电极连接第一层金属和第二层金属，进一步缩减栅极绝缘层掩膜版本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，阵列基板包括位于中间的像素区和位于边缘的端子区，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：在基板上沉积第一金属层，利用掩膜版进行图案化形成位于像素区的栅极以及位于端子区的扫描线；/nS2：在步骤S1的基础上依次沉积第一绝缘层、半导体层和第二金属层，利用第一半透掩膜版进行图案化形成位于像素区的栅极绝缘层、沟道半导体层、源极、漏极、与漏极接触的第一半导体层以及位于端子区的数据线；/nS3：在步骤S2的基础上沉积第二绝缘层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和端子区的绝缘保护层，所述绝缘保护层上设有第一开孔并暴露出第一半导体层，通过第一开孔对第一半导体层进行导体化形成像素电极；...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，阵列基板包括位于中间的像素区和位于边缘的端子区，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在基板上沉积第一金属层，利用掩膜版进行图案化形成位于像素区的栅极以及位于端子区的扫描线；
S2：在步骤S1的基础上依次沉积第一绝缘层、半导体层和第二金属层，利用第一半透掩膜版进行图案化形成位于像素区的栅极绝缘层、沟道半导体层、源极、漏极、与漏极接触的第一半导体层以及位于端子区的数据线；
S3：在步骤S2的基础上沉积第二绝缘层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和端子区的绝缘保护层，所述绝缘保护层上设有第一开孔并暴露出第一半导体层，通过第一开孔对第一半导体层进行导体化形成像素电极；
S4：在步骤S3的基础上沉积第三绝缘层，利用掩膜版形成覆盖像素区和端子区的介电层，并形成位于端子区扫描线上的第一接触孔以及数据线上的第二接触孔；
S5：在步骤S4的基础上沉积透明电极，利用掩膜版形成覆盖像素区和端子区的公共电极。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下步骤：
S21：在步骤S1的基础上依次沉积第一绝缘层、半导体层和第二金属层；
S22：形成覆盖第二金属层的光刻胶，采用第一半透掩膜版对光刻胶进行曝光，显影后形成无光刻胶保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶完整保留区；
S23：在步骤S22的基础上对无光刻胶保留区的第二金属层和半导体层进行刻蚀；
S24：对光刻胶进行灰化处理，去除掉光刻胶部分保留区的光刻胶，暴露出位于光刻胶部分保留区的第二金属层；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈方，简锦诚，郑帅，郝光叶，许家诚，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32