电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟，所述电极间隔离结构包括：内隔离管；以及外隔离管，套设于所述内隔离管外，所述外隔离管的长度小于所述内隔离管，且所述外隔离管在所述内隔离管表面上的垂直投影位于所述内隔离管表面内，并且所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁间隔设置以使得所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁之间形成缝隙。

Isolation structure between electrodes, vapor deposition equipment and graphite boat

【技术实现步骤摘要】
电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟。
技术介绍
气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在待成膜基板上形成薄膜，其可以分为化学气相沉积和物理气相沉积。如图1A和图1B所示，气相沉积设备通过在相对的两个电极片，电极片1和电极片2之间施加一定频率的电压，电极片1和电极片2通过隔离管3隔离，从而可以在电极片1和电极片2之间产生电磁场，以使得气体在待成膜基板表面沉积。然而，在气相沉积设备使用了一段时间之后，如图1C所示，会在隔离管3表面也形成一层薄膜4，若薄膜4为导体或半导体薄膜，随着薄膜4厚度的增加，电极片1和电极片2之间的阻抗会降低，甚至发生短路，使得气相沉积设备不稳定，气相沉积设备的沉积速率随着使用时间的增加而降低，特别是在高温环境下，半导体的电导率会迅速增大，这样会加剧沉积的稳定性，甚至使气相沉积设备无法正常工作，这将严重影响薄膜沉积的重复性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟，以解决现有的气相沉积设备的电极片之间的阻抗降低，导致沉积速率随着使用时间的增加而降低，甚至无法正常工作的问题。根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种电极间隔离结构，包括：内隔离管；以及外隔离管，套设于所述内隔离管外，所述外隔离管的长度小于所述内隔离管，且所述外隔离管在所述内隔离管表面上的垂直投影位于所述内隔离管表面内，并且所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁间隔设置以使得所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁之间形成缝隙。可选地，所述电极间隔离结构还包括：支撑结构，从所述内隔离管的外壁径向向外延伸至与所述外隔离管的内壁相接触。可选地，所述支撑结构包括环绕所述内隔离管的外壁设置的至少一条凸筋；或者所述支撑结构包括设置在所述内隔离管的外壁的至少一个凸块。可选地，所述支撑结构设置在所述内隔离管轴向方向上的中部。可选地，所述内隔离管与所述外隔离管同轴设置。可选地，所述外隔离管在所述内隔离管表面上的垂直投影的边缘与相同侧的所述内隔离管的边缘间隔预定间距。可选地，所述预定间距在0.1mm至5mm的范围内。可选地，所述外隔离管为多个，位于外侧的所述外隔离管套设于位于内侧的所述外隔离管外，相邻两个所述外隔离管之间间隔设置，以使得相邻两个所述外隔离管中位于内侧的所述外隔离管的外壁与位于外侧的所述外隔离管的内壁之间形成缝隙。可选地，所述缝隙的延伸方向与所述内隔离管或所述外隔离管的轴向方向不平行。可选地，所述缝隙在径向方向上的宽度在0.05mm至5mm的范围内，在轴向方向上的深度在0.1mm至10mm的范围内。可选地，所述缝隙在轴向方向上的深度与在径向方向上的宽度之间的比值大于或等于0.5。可选地，所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁上形成有凹凸结构。可选地，所述内隔离管的外壁上的凹凸结构的凸起部分与所述外隔离管的内壁上的凹凸结构的凹进部分相对齐，并且所述内隔离管的外壁上的凹凸结构的凹进部分与所述外隔离管的内壁上的凹凸结构的凸起部分相对齐。可选地，所述内隔离管的外壁上凸起部分与所述外隔离管的内壁上的凹进部分的形状相对应，并且所述内隔离管的外壁上凹进部分与所述外隔离管的内壁上的凸起部分的形状相对应。可选地，所述凹凸结构在所述电极间隔离结构的纵向横截面上的形状包括矩形、梯形、锯齿形和波浪形中的至少一种。根据第二方面，本专利技术实施例提供了一种气相沉积设备，包括：至少两个电极片；以及上述第一方面中任一项所述的电极间隔离结构，设置在相邻两个所述电极片之间，用于隔离所述相邻两个电极片。可选地，所述气相沉积设备为化学气相沉积设备。根据第三方面，本专利技术实施例提供一种石墨舟，包括：至少两个电极片；上述第一方面中任一项所述的电极间隔离结构，设置在相邻两个所述电极片之间，用于隔离所述相邻两个电极片；以及固定杆，穿过所述至少两个电极片和所述电极间隔离结构，以将所述至少两个电极片和所述电极间隔离结构固定在一起。根据本专利技术实施例的电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟，通过相互套设的内隔离管和外隔离管，外隔离管的长度小于内隔离管，外隔离管在内隔离管表面上的垂直投影位于内隔离管表面内，并通过使内隔离管的外壁与述外隔离管的内壁间隔设置以在内隔离管的外壁与外隔离管的内壁之间形成缝隙，所形成的缝隙使得气体难以在其内部沉积，使得电极片之间难以导通，不会降低电极片之间的阻抗，从而使得气相沉积设备工作稳定。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中：图1A示出了现有技术的气相沉积设备的电极间隔离结构的示意图；图1B示出了图1A中的电极间隔离结构的纵向截面图；图1C示出了现有技术的气相沉积设备在使用一段时间后电极间隔离结构的示意图；图2A示出了根据本专利技术实施例的气相沉积设备的示意图；图2B示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的立体剖视图；图2C示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的纵向截面图；图2D示出了根据本专利技术实施例的气相沉积设备在使用一段时间后的示意图；图3示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的一种可选实施方式的示意图；图4A示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的立体示意图；图4B示出了图4A中的电极间隔离结构的横向截面图；图5示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图6A示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图6B示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图7A示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图7B示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图8A示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图8B示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图8C示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图；图8D示出了根据本专利技术实施例的电极间隔离结构的另一种可选实施方式的纵向截面图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图2A至图2C所示，根据本专利技术实施例的气相沉积设备可以包括至少两个电极片10，以及设置在相邻两个电极片10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极间隔离结构，其特征在于，包括：/n内隔离管；以及/n外隔离管，套设于所述内隔离管外，所述外隔离管的长度小于所述内隔离管，且所述外隔离管在所述内隔离管表面上的垂直投影位于所述内隔离管表面内，并且所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁间隔设置以使得所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁之间形成缝隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种电极间隔离结构，其特征在于，包括：
内隔离管；以及
外隔离管，套设于所述内隔离管外，所述外隔离管的长度小于所述内隔离管，且所述外隔离管在所述内隔离管表面上的垂直投影位于所述内隔离管表面内，并且所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁间隔设置以使得所述内隔离管的外壁与所述外隔离管的内壁之间形成缝隙。


2.根据权利要求1所述的电极间隔离结构，其特征在于，还包括：
支撑结构，从所述内隔离管的外壁径向向外延伸至与所述外隔离管的内壁相接触。


3.根据权利要求2所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述支撑结构包括环绕所述内隔离管的外壁设置的至少一条凸筋；或者
所述支撑结构包括设置在所述内隔离管的外壁的至少一个凸块。


4.根据权利要求2所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述支撑结构设置在所述内隔离管轴向方向上的中部。


5.根据权利要求1所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述内隔离管与所述外隔离管同轴设置。


6.根据权利要求1所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述外隔离管在所述内隔离管表面上的垂直投影的边缘与相同侧的所述内隔离管的边缘间隔预定间距。


7.根据权利要求6所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述预定间距在0.1mm至5mm的范围内。


8.根据权利要求1所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述外隔离管为多个，位于外侧的所述外隔离管套设于位于内侧的所述外隔离管外，相邻两个所述外隔离管之间间隔设置，以使得相邻两个所述外隔离管中位于内侧的所述外隔离管的外壁与位于外侧的所述外隔离管的内壁之间形成缝隙。


9.根据权利要求1所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述缝隙的延伸方向与所述内隔离管或所述外隔离管的轴向方向不平行。


10.根据权利要求1-9中任一项所述的电极间隔离结构，其特征在于，所述缝隙在径向方...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶继春，闫宝杰，曾俞衡，王玉明，程海良，陈晖，廖明墩，谢利华，李旺鹏，
申请(专利权)人：苏州拓升智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32