【技术实现步骤摘要】
金属-绝缘体-金属电容器结构
本公开实施例涉及半导体装置及其制造方法，且特别涉及金属-绝缘体-金属电容器结构及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已历经快速成长。集成电路的材料和设计上的技术进展已经产生了数个世代的集成电路，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，当几何尺寸(亦即使用生产工艺可以产生的最小元件(或线))缩减时，功能密度(亦即单位晶片面积的内连接装置数量)通常也增加。这种尺寸微缩的工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而提供一些效益。半导体许多技术上的进步发生在存储器装置领域，其中一些关于电容器结构。电容器结构是许多数据处理和数据储存应用的元件。这种电容器结构包含位于介电质或其他绝缘层两侧上的两个导电电极，可基于用于形成电极的材料来对它们进行分类。举例来说，在金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal；MIM)电容器中，电极大致上为金属。金属-绝缘体-金属电容器提供的优点是在施加于其上的电压范围相对宽时仍具...
【技术保护点】
1.一种金属-绝缘体-金属电容器结构，包括：/n一半导体基板；/n一底部导电层，位于该半导体基板上方，其中该底部导电层相对于该半导体基板的一顶表面具有一倾斜侧壁；/n一顶部导电层，位于该底部导电层上方，其中该顶部导电层相对于该半导体基板的该顶表面具有一垂直侧壁；以及/n一绝缘层，介于该底部导电层和该顶部导电层之间，其中该绝缘层覆盖该底部导电层的该倾斜侧壁。/n
【技术特征摘要】
20180730 US 62/711,711;20181010 US 16/156,7791.一种金属-绝缘体-金属电容器结构，包括：
一半导体基板；
一底部导电层，位于该半...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄致凡，高弘昭，萧远洋，萧琮介，沈香谷，陈蕙祺，陈殿豪，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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