一种电容结构及制作方法技术

本发明专利技术公开一种不同深度的垂直电容结构及制作方法，其中方法包括如下：在半导体衬底上制作孔；涂布第一光阻层，对孔内壁的一侧曝光显影并制作第一金属层；涂布第二光阻层，对孔内壁的另一侧曝光显影并制作第二金属层，第二金属层和第一金属层之间具有间隙；沉积第二氮化物层，第二氮化物层覆盖第一金属层和第二金属层，在孔内的第二氮化物层填满第一金属层和第二金属层间的间隙并作为介质层；在孔内的电容结构可以大大提高电容面积，提高了外延结构的面积利用率；占用的平面空间更小，有利于缩小器件尺寸；不改变原有的制程工艺上，制作出孔内的电容结构，节省工艺成本。

A kind of capacitor structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种电容结构及制作方法
本专利技术涉及半导体器件上电容制作领域，尤其涉及一种电容结构及制作方法。
技术介绍
目前的工艺中，电容的制作是由第一层金属和第二层金属及其之间的介质所形成。一般在半导体器件的正面制作被动元件电容，为了节省半导体器件面积，传统的平面电容结构面积S较低，电容值较低。一般情况下介质层材料一确定，最小间距即被确定，要增大电容一般是增大极板的面积，但这大大占用了芯片面积，不利于集成化。
技术实现思路
为此，需要提供一种电容结构及制作方法，解决传统平面电容占用半导体器件面积大、造成正面可用面积的浪费为实现上述目的，专利技术人提供了一种电容结构的制作方法，包括如下几个步骤：在半导体衬底上制作孔；涂布第一光阻层，曝光显影保留孔内壁的一侧上的第一光阻层，在半导体衬底上蒸镀金属，在孔内壁的另一侧沉积第一金属层，去除第一光阻层；涂布第二光阻层，曝光显影保留孔内第一金属层上的第二光阻层，在半导体衬底上蒸镀金属，在孔内壁第一金属层外的一侧沉积第二金属层，去除第二光阻层，第二金属层与第一金属层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容结构的制作方法，其特征在于，包括如下几个步骤：/n在半导体衬底上制作孔；/n涂布第一光阻层，曝光显影保留孔内壁的一侧上的第一光阻层，在半导体衬底上蒸镀金属，在孔内壁的另一侧沉积第一金属层，去除第一光阻层；/n涂布第二光阻层，曝光显影保留孔内第一金属层上的第二光阻层，在半导体衬底上蒸镀金属，在孔内壁第一金属层外的一侧沉积第二金属层，去除第二光阻层，第二金属层与第一金属层之间具有间隙；/n覆盖第二氮化物层，第二氮化物层在第一金属层和第二金属层上，在孔内形成介质层，介质层填充在第一金属层和第二金属层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容结构的制作方法，其特征在于，包括如下几个步骤：
在半导体衬底上制作孔；
涂布第一光阻层，曝光显影保留孔内壁的一侧上的第一光阻层，在半导体衬底上蒸镀金属，在孔内壁的另一侧沉积第一金属层，去除第一光阻层；
涂布第二光阻层，曝光显影保留孔内第一金属层上的第二光阻层，在半导体衬底上蒸镀金属，在孔内壁第一金属层外的一侧沉积第二金属层，去除第二光阻层，第二金属层与第一金属层之间具有间隙；
覆盖第二氮化物层，第二氮化物层在第一金属层和第二金属层上，在孔内形成介质层，介质层填充在第一金属层和第二金属层之间。


2.根据权利要求1所述的一种电容结构的制作方法，其特征在于，在半导体衬底上制作孔时，还包括如下步骤：
在半导体衬底的正面镀上第一氮化物层；
在半导体衬底的背面制作与第一氮化物层相连通的孔。


3.根据权利要求1所述的一种电容结构的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在沉积第一金属层时，保留半导体衬底的面上的第一金属层；或者：
在沉积第二金属层时，保留半导体衬底的面上的第二金属层；
而后在覆盖第二氮化物层时，保留半导体衬底的面上的第二氮化物层，第二氮化物层覆盖第一金属层或第二金属层。


4.根据权利要求3所述的一种电容结构的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智广，李立中，黄光伟，吴靖，马跃辉，庄永淳，林伟铭，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35