一种图像传感器及图像传感器制作方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及图像传感器制作方法，涉及图像传感器技术领域。该图像传感器，包括半导体衬底，所述半导体衬底的内部设置有第一感光元件、第二感光元件与第三感光元件，所述半导体衬底的表面开设有隔离槽，所述隔离槽的内部设置有两个静电屏蔽层，两个所述静电屏蔽层的中间设置有两个电磁屏蔽层，两个所述电磁屏蔽层的中间设置有绝缘介质层，所述半导体衬底的上表面设置有电极层。通过在感光元件之间设置隔离槽，然后在隔离槽中形成静电屏蔽层、电磁屏蔽层与绝缘介质层，从而有效的预防了相邻感光元件之间的相互干扰，提高了传感器的信噪比，同时又使得传感器具有高敏感度，进一步的提升了传感器的各方面性能。

An image sensor and its making method

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器及图像传感器制作方法
本专利技术涉及图像传感器
，具体为一种图像传感器及图像传感器制作方法。
技术介绍
图像传感器是利用光电器件的光电转换功能，将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号，与光敏二极管，光敏三极管等"点"光源的光敏元件相比，图像传感器是将其受光面上的光像，分成许多小单元，将其转换成可用的电信号的一种功能器件，图像传感器分为光导摄像管和固态图像传感器，与光导摄像管相比，固态图像传感器具有体积小、重量轻、集成度高、分辨率高、功耗低、寿命长、价格低等特点，因此在各个行业得到了广泛应用。随着科技的进步，图像传感器的性能越来越强大，可感测及识别精细物体，提高影像品质，虽然现有的图像传感器相比较之间的传感器提升了许多，但是现有的图像传感器仍受到电流、电压以及磁场的干扰，同时对这些干扰预防的效果不太理想，导致图像传感器的提升效果受到限制。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种图像传感器及图像传感器制作方法，解决了现有的图像传感器仍受到电流、电压以及磁场的干扰，同时对这些干扰预防的效果不太理想，导致图像传感器的提升效果受到限制的问题。(二)技术方案为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种图像传感器，包括半导体衬底，所述半导体衬底的内部设置有第一感光元件、第二感光元件与第三感光元件，所述半导体衬底的表面开设有隔离槽，所述隔离槽的内部设置有两个静电屏蔽层，两个所述静电屏蔽层的中间设置有两个电磁屏蔽层，两个所述电磁屏蔽层的中间设置有绝缘介质层，所述半导体衬底的上表面设置有电极层，所述所述半导体衬底的上表面且位于电极层的上方设置有掩膜层，所述掩膜层的上表面设置有金属介质层，所述金属介质层的上表面设置有滤色层，所述滤色层的上表面设置有第一微透镜、第二微透镜与第三微透镜。优选的，所述隔离槽的数量为两个，且两个所述隔离槽分别位于第一感光元件与第二感光元件、第二感光元件与第三感光元件的中间。优选的，所述电极层的数量为三个，且三个所述电极层分别位于第一感光元件、第二感光元件与第三感光元件的正上方。优选的，所述掩膜层、金属介质层与滤色层之间贯穿开设有线槽，所述线槽的数量为三个，且三个所述线槽分别位于第一微透镜、第二微透镜与第三微透镜的下方。优选的，所述滤色层的上表面设置有三个挡光圈，所述第一微透镜、第二微透镜与第三微透镜均位于挡光圈的内部。一种图像传感器的制作方法，包括以下制作步骤：S1.准备半导体衬底，检查半导体衬底的表面是否存在损伤或者缺陷；S2.在半导体衬底内部形成第一感光元件、第二感光元件与第三感光元件，并在第一感光元件与第二感光元件、第二感光元件与第三感光元件的中间形成隔离槽；S3.在隔离槽的内部形成两个静电屏蔽层，在两个静电屏蔽层的中间形成两个电磁屏蔽层，在两个电磁屏蔽层的中间形成绝缘介质层；S4.在半导体衬底的上表面形成电极层、掩膜层、金属介质层与滤色层，在掩膜层、金属介质层与滤色层之间形成线槽。S5.在滤色层的上表面形成第一微透镜、第二微透镜与第三微透镜，在第一微透镜、第二微透镜与第三微透镜的外围形成挡光圈。(三)有益效果本专利技术提供了一种图像传感器及图像传感器制作方法。具备以下有益效果：该图像传感器及图像传感器制作方法，通过在感光元件之间设置隔离槽，然后在隔离槽中形成静电屏蔽层、电磁屏蔽层与绝缘介质层，从而有效的预防了相邻感光元件之间的相互干扰，提高了传感器的信噪比，同时又使得传感器具有高敏感度，进一步的提升了传感器的各方面性能，通过设置的挡光圈，也可以避免第一微透镜、第二微透镜与第三微透镜之间的相互干扰。附图说明图1为本专利技术整体结构示意图；图2为本专利技术半导体衬底示意图。其中，1、半导体衬底；2、第一感光元件；3、第二感光元件；4、第三感光元件；5、隔离槽；6、静电屏蔽层；7、电磁屏蔽层；8、绝缘介质层；9、电极层；10、掩膜层；11、金属介质层；12、滤色层；13、线槽；14、第一微透镜；15、第二微透镜；16、第三微透镜；17、挡光圈。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例：如图1-2所示，本专利技术实施例提供一种图像传感器，包括半导体衬底1，半导体衬底1的内部设置有第一感光元件2、第二感光元件3与第三感光元件4，半导体衬底1的表面开设有隔离槽5，隔离槽5的内部设置有两个静电屏蔽层6，两个静电屏蔽层6的中间设置有两个电磁屏蔽层7，两个电磁屏蔽层7的中间设置有绝缘介质层8，半导体衬底1的上表面设置有电极层9，半导体衬底1的上表面且位于电极层9的上方设置有掩膜层10，掩膜层10的上表面设置有金属介质层11，金属介质层11的上表面设置有滤色层12，滤色层12的上表面设置有第一微透镜14、第二微透镜15与第三微透镜16。隔离槽5的数量为两个，且两个隔离槽5分别位于第一感光元件2与第二感光元件3、第二感光元件3与第三感光元件4的中间，电极层9的数量为三个，且三个电极层9分别位于第一感光元件2、第二感光元件3与第三感光元件4的正上方，掩膜层10、金属介质层11与滤色层12之间贯穿开设有线槽13，线槽13的数量为三个，且三个线槽13分别位于第一微透镜14、第二微透镜15与第三微透镜16的下方，滤色层12的上表面设置有三个挡光圈17，第一微透镜14、第二微透镜15与第三微透镜16均位于挡光圈17的内部。通过在感光元件之间设置隔离槽5，然后在隔离槽5中形成静电屏蔽层6、电磁屏蔽层7与绝缘介质层8，从而有效的预防了相邻感光元件之间的相互干扰，提高了传感器的信噪比，同时又使得传感器具有高敏感度，进一步的提升了传感器的各方面性能，通过设置的挡光圈17，也可以避免第一微透镜14、第二微透镜15与第三微透镜16之间的相互干扰。一种图像传感器的制作方法，包括以下制作步骤：S1.准备半导体衬底1，检查半导体衬底1的表面是否存在损伤或者缺陷；S2.在半导体衬底1内部形成第一感光元件2、第二感光元件3与第三感光元件4，并在第一感光元件2与第二感光元件3、第二感光元件3与第三感光元件4的中间形成隔离槽5；S3.在隔离槽5的内部形成两个静电屏蔽层6，在两个静电屏蔽层6的中间形成两个电磁屏蔽层7，在两个电磁屏蔽层7的中间形成绝缘介质层8；S4.在半导体衬底1的上表面形成电极层9、掩膜层10、金属介质层11与滤色层12，在掩膜层10、金属介质层11与滤色层12之间形成线槽13。S5.在滤色层12的上表面形成第一微透镜14、第二微透镜15与第三微透镜16，在第一微透镜14、第二微透镜15与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括半导体衬底(1)，其特征在于：所述半导体衬底(1)的内部设置有第一感光元件(2)、第二感光元件(3)与第三感光元件(4)，所述半导体衬底(1)的表面开设有隔离槽(5)，所述隔离槽(5)的内部设置有两个静电屏蔽层(6)，两个所述静电屏蔽层(6)的中间设置有两个电磁屏蔽层(7)，两个所述电磁屏蔽层(7)的中间设置有绝缘介质层(8)，所述半导体衬底(1)的上表面设置有电极层(9)，所述所述半导体衬底(1)的上表面且位于电极层(9)的上方设置有掩膜层(10)，所述掩膜层(10)的上表面设置有金属介质层(11)，所述金属介质层(11)的上表面设置有滤色层(12)，所述滤色层(12)的上表面设置有第一微透镜(14)、第二微透镜(15)与第三微透镜(16)。/n

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括半导体衬底(1)，其特征在于：所述半导体衬底(1)的内部设置有第一感光元件(2)、第二感光元件(3)与第三感光元件(4)，所述半导体衬底(1)的表面开设有隔离槽(5)，所述隔离槽(5)的内部设置有两个静电屏蔽层(6)，两个所述静电屏蔽层(6)的中间设置有两个电磁屏蔽层(7)，两个所述电磁屏蔽层(7)的中间设置有绝缘介质层(8)，所述半导体衬底(1)的上表面设置有电极层(9)，所述所述半导体衬底(1)的上表面且位于电极层(9)的上方设置有掩膜层(10)，所述掩膜层(10)的上表面设置有金属介质层(11)，所述金属介质层(11)的上表面设置有滤色层(12)，所述滤色层(12)的上表面设置有第一微透镜(14)、第二微透镜(15)与第三微透镜(16)。


2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于：所述隔离槽(5)的数量为两个，且两个所述隔离槽(5)分别位于第一感光元件(2)与第二感光元件(3)、第二感光元件(3)与第三感光元件(4)的中间。


3.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于：所述电极层(9)的数量为三个，且三个所述电极层(9)分别位于第一感光元件(2)、第二感光元件(3)与第三感光元件(4)的正上方。


4.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于：所述掩膜层(10)、金属介质层(11)与滤色层(12)之间贯穿开设有线槽(13...

【专利技术属性】
技术研发人员：路永乐，
申请(专利权)人：徐州陀微传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32