一种形成氮化物半导体器件的工艺制造技术

本发明专利技术属于半导体器件加工技术领域，尤其为一种形成氮化物半导体器件的工艺，针对现有的氮化物半导体器件的抗静电能力弱，很容易因静电损耗氮化物半导体器件的特性的问题，现提出如下方案，该生产工艺包括以下步骤：S1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体，半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层；S2：对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻，以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽。本发明专利技术设计合理，在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹了橡胶，有效的避免了电荷在氮化物半导体器件表面的流动，解决了氮化物半导体器件抗静电能力弱的问题，扩展了氮化物半导体器件的适用范围。

A process for forming nitride semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
一种形成氮化物半导体器件的工艺
本专利技术涉及半导体器件加工
，尤其涉及一种形成氮化物半导体器件的工艺。
技术介绍
半导体器件的导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。半导体器（semiconductordevice）通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。但是现有技术中氮化物半导体器件的抗静电能力弱，很容易因静电损耗氮化物半导体器件的特性，所以我们提出了一种形成氮化物半导体器件的工艺，用以解决上述提出的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有的PC构件生产工艺不便对PC预制构件模板进行预处理加工工作、加热养护工作耗时较长、流动性差的缺点，而提出的一种形成氮化物半导体器件的工艺。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种形成氮化物半导体器件的工艺，包括以下步骤：S1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体，半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成氮化物半导体器件的工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体，半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层；/nS2：对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻，以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽；/nS3：在凹槽的底部内壁上铺设掩膜；/nS4：将掩膜以及沟道层和阻挡层均浸没在酸性溶液中进行酸洗操作；/nS5：在上述沟道层和阻挡层顶部的掩膜的顶部利用氮气生长出接触层；/nS6：利用碱性蚀刻剂除去掩膜上残留的残留物；/nS7：在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹上绝缘橡胶制品；/nS8：将制得的氮化物半导体器件进行强度和温度的性能检测；/nS9...

【技术特征摘要】
1.一种形成氮化物半导体器件的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体，半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层；
S2：对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻，以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽；
S3：在凹槽的底部内壁上铺设掩膜；
S4：将掩膜以及沟道层和阻挡层均浸没在酸性溶液中进行酸洗操作；
S5：在上述沟道层和阻挡层顶部的掩膜的顶部利用氮气生长出接触层；
S6：利用碱性蚀刻剂除去掩膜上残留的残留物；
S7：在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹上绝缘橡胶制品；
S8：将制得的氮化物半导体器件进行强度和温度的性能检测；
S9：将检测合格的氮化物半导体器件利用输送机输送至包装位置进行包装，进库；
S10：对库房的温度和湿度进行严格的控制。


2.根据权利要求1所述的一种形成氮化物半导体器件的工艺，其特征在于，所述S1中，沟道层和阻挡层的制作材料为氮化镓、氮化硅和氮化铝中的一种或多种。


3.根据权利要求1所述的一种形成氮化物半导体器件的工艺，其特征在于，所述S2中，蚀刻覆盖的面积为沟道层和阻挡层的一部分区域，形成的凹槽的长、宽和高分别为5cm、3cm和2cm。


4.根据权利要求1所述的一种形成氮化物半导体器件的工艺，其特征在于，所述S3中，掩膜是有含有硅和氮的无机物...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建峰，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14