半导体静电防护结构制造技术

本发明专利技术为一种半导体静电防护结构，包括至少一裸片单元，裸片单元系由裸芯片切裂形成，裸片单元包括断裂的至少一第一讯号线，以及至少一第二讯号线，第二讯号线连接一控制装置，以接收控制装置的控制，裸片单元的第一讯号线上则设有至少一导电元件，以连接第一讯号线以及控制装置之接地端，令第一讯号线接地。本发明专利技术可防止第一讯号线产生静电，能有效避免漏电、线路烧坏或线路短路等情形，可提升产品的良率。

Semiconductor electrostatic protection structure

The invention relates to a semiconductor electrostatic protection structure, which comprises at least one bare chip unit which is formed by cutting the bare chip. The bare chip unit comprises at least one broken first signal line and at least one second signal line. The second signal line is connected with a control device to receive the control of the control device. The first signal line of the bare chip unit is provided with at least one conductive element to Connect the ground terminal of the first signal wire and the control device to make the first signal wire grounded. The invention can prevent the first signal line from generating static electricity, effectively avoid the situation of electric leakage, line burning or line short circuit, and can improve the yield of the product.

【技术实现步骤摘要】
半导体静电防护结构
本专利技术系有关一种半导体结构，特别是指一种具静电防护之半导体静电防护结构。
技术介绍
裸芯片(die)，又称芯片或裸片，裸芯片一般指的是，由半导体材料制作而成，且未经封装的一小块集成电路本体。请参照图1，如图所示，习知裸芯片90(die)系由复数个裸片单元92组而成，裸芯片90上布设有裸芯片线路94，以连接裸芯片90内的每一裸片单元92，裸芯片线路94更包括有复数薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)开关942，每一裸片单元92对应设有一薄膜晶体管开关942，以作为控制信号输入至裸片单元92的开关。当裸芯片90在进行点亮测试时，先透过控制信号控制薄膜晶体管开关942开启，接着将点亮信号由裸芯片线路94的信号接收端944输入，通过薄膜晶体管开关942后点亮裸片单元92。但点亮测试除了针对整个裸芯片90进行检测之外，更需针对单一裸片单元92进行测试。请持续参照图1，在进行单一裸片单元92测试时，须将裸芯片90切裂出复数裸片单元92，由于每一个裸片单元92上已独立设有裸片信号连接区922，因此控制装置(图中未示)只要连接到裸片信号连接区922，即可驱动裸片单元92，从而使裸片单元92点亮。但是切裂后的裸片单元92，其上的裸芯片线路94当然随之断裂，且在单独测试裸片单元92时，裸芯片线路94完全不会被使用到，除此之外，裸芯片线路94直接外露在裸片单元92表面，且位于裸片单元92边缘，因此断裂的裸芯片线路94很容易产生静电，易形成漏电、线路短路或线路烧坏等情形，而大幅影响到裸片单元92的良率。有鉴于此，本专利技术遂针对上述习知技术之缺失，提出一种半导体静电防护结构，以有效克服上述之该等问题。
技术实现思路
本专利技术之主要目的在提供一种半导体静电防护结构，其可防止静电产生，可有效避免漏电、线路烧坏或线路短路等情形，能有效提升产品的良率。本专利技术之另一目的在提供一种半导体静电防护结构，其结构简单，相对的能提升生产效率，有效降低制作成本。为达上述之目的，本专利技术系提供一种半导体静电防护结构，包括至少一裸片单元，裸片单元系由一裸芯片切裂形成，裸片单元包括断裂的至少一第一讯号线，以及至少一第二讯号线，一控制装置连接裸片单元之至少一第二讯号线，以控制裸片单元，至少一导电元件位于裸片单元之第一讯号线上，以连接第一讯号线以及控制装置的接地端。其中控制装置更包括一讯号连接埠，其连接至少一第二讯号线的第二接电端，导电元件则连接第一讯号线以及控制装置之讯号连接埠的接地部，以连接至控制装置的接地端，其中导电元件为导电胶带。其中控制装置更包括一讯号连接埠，连接至少一第二讯号线的第二接电端，讯号连接埠并延伸至第一讯号线的第一接电端，且讯号连接埠上对应第一接电端的位置更设置导电元件，导电元件连接控制装置之接地端，且导电元件连接第一讯号线的第一接电端，其中导电元件系利用导电胶连接第一讯号线的第一接电端，导电胶为异方性导电胶(AnisotropicConductiveFilm，ACF)。其中第一讯号线的第一接电端与第二讯号线的第二接电端并列设置在裸片单元上。其中控制装置为控制电路板。其中控制装置为软性印刷电路板(FlexiblePrintedCircuit，FPC)。其中裸芯片包括复数裸片单元，裸芯片上的至少一第一讯号线，连接每一裸片单元上的第二讯号线，当裸芯片切裂出复数裸片单元时，至少一第一讯号线则一并断裂。底下藉由具体实施例详加说明，当更容易了解本专利技术之目的、
技术实现思路
、特点及其所达成之功效。附图说明图1系为习知裸片切裂示意图。图2系为本专利技术第一实施例裸芯片切裂状态示意图。图3系为本专利技术第一实施例平面示意图。图4系为本专利技术第二实施例平面示意图。附图标记：1半导体静电防护结构10裸片单元12第二讯号线120第二接地端14控制装置140、144讯号连接埠142接地部16、18导电元件20裸芯片22第一讯号线220第一接电端2半导体静电防护结构具体实施方式本专利技术提供一种半导体静电防护结构，其系由一裸芯片(Dic)切裂而成的裸片单元改良的量测试结构，能有效防止在切裂后裸片单元(Cell)上残留的线路产生静电，可避免漏电、线路烧坏或线路短路等情形，能有效提升产品的良率。接下来说明本专利技术之结构，首先请参照图2，如图所示，半导体静电防护结构1为裸片单元(Cell)之结构，裸片单元10系由一裸芯片20切裂而成，其中裸芯片20之结构系包括有复数裸片单元10，每一裸片单元10上独立设有第二讯号线12，裸芯片20上更布设有至少一第一讯号线22，第一讯号线22电性连接每一裸片单元10上独立的第二讯号线12，且第一讯号线22的第一接电端220与第二讯号线12的第二接电端120并列设置。当需要测试单独的一颗裸片单元10时，将裸芯片20切裂成复数独立的裸片单元10，当然裸芯片20上的至少一第一讯号线22也随之断裂。接下来请参照图3，以说明本专利技术第一实施例半导体静电防护结构1之结构，半导体静电防护结构1包括至少一裸片单元10，裸片单元10包括断裂的至少一第一讯号线22，以及至少一第二讯号线12，截断后第一讯号线22的第一接电端220以及第二讯号线12的第二接电端120并列设置在裸片单元10上。一控制装置14可为控制电路板，如软性印刷电路板(FlexiblePrintedCircuit，FPC)，控制装置14包括有一讯号连接埠140，控制装置14透过讯号连接埠140电性连接至裸片单元10之第二讯号线12的第二接电端120，讯号连接埠140上更设有一接地部142，电性连接至控制装置14的接地端。一导电元件16本实施例举例导电元件16为导电胶带，导电元件16服贴于裸片单元10之第一讯号线22的第一接电端220，以及控制装置14之讯号连接埠140的接地部142上，令第一讯号线22可连接至控制装置14的接地端，藉此第一讯号线22进行接地的动作，防止静电产生，能有效避免漏电、线路烧坏或线路短路等情形，能有效提升产品的良率。除了上述实施例之外，本专利技术更提供另外一种实施例，本专利技术第二实施例与上述实施例相同，皆由一裸芯片切裂出来，故裸芯片切裂为复数裸片单元的过程则不再重复赘述。请参照图4，以说明本专利技术第二实施例之半导体静电防护结构2，如图所示，半导体静电防护结构2包括至少一裸片单元10，裸片单元10包括断裂的第一讯号线22，以及至少一第二讯号线12，且第一讯号线22的第一接电端220以及第二讯号线12的第二接地端120系并列设置在裸片单元10上。一控制装置14可为控制电路板，如软性印刷电路板(FlexiblePrintedCircuit，FPC)，控制装置14包括有一讯号连接埠144，讯号连接埠144电性连接至裸片单元10的第二讯号线12的第二接电端120，除此之外，讯号连接埠144的宽度更延伸至第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体静电防护结构，其特征在于，包括：/n至少一裸片单元，该裸片单元系由裸芯片切裂形成，该裸片单元包括断裂的至少一第一讯号线，以及至少一第二讯号线；/n一控制装置，连接该裸片单元之该第二讯号线，以控制该裸片单元；以及/n至少一导电元件，位于该裸片单元之该第一讯号线上，以连接该第一讯号线以及该控制装置之接地端。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体静电防护结构，其特征在于，包括：
至少一裸片单元，该裸片单元系由裸芯片切裂形成，该裸片单元包括断裂的至少一第一讯号线，以及至少一第二讯号线；
一控制装置，连接该裸片单元之该第二讯号线，以控制该裸片单元；以及
至少一导电元件，位于该裸片单元之该第一讯号线上，以连接该第一讯号线以及该控制装置之接地端。


2.如权利要求1所述之半导体静电防护结构，其中该控制装置更包括一讯号连接埠，连接该第二讯号线的第二接电端，该导电元件则连接该控制装置之该讯号连接埠的接地部，以连接至该控制装置的接地端。


3.如权利要求1所述之半导体静电防护结构，其中该导电元件为导电胶带。


4.如权利要求1所述之半导体静电防护结构，其中该控制装置更包括一讯号连接埠，连接该第二讯号线的第二接电端，该讯号连接埠并延伸至该第一讯号线的第一接电端，且该讯号连接埠上对应该第一接电端的位置更设置该...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺庆华，尹苏兵，
申请(专利权)人：业成科技成都有限公司，业成光电深圳有限公司，英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51