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本发明公开一种不同深度的垂直电容结构及制作方法，其中方法包括如下：在半导体衬底上制作孔；涂布第一光阻层，对孔内壁的一侧曝光显影并制作第一金属层；涂布第二光阻层，对孔内壁的另一侧曝光显影并制作第二金属层，第二金属层和第一金属层之间具有间隙；沉...
该专利属于福建省福联集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省福联集成电路有限公司授权不得商用。

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