一种背面电容结构及制作方法技术

本发明专利技术公开一种背面电容结构及制作方法，其中方法包括如下：在半导体衬底的正面设有氮化物层，在半导体衬底的背面正对氮化物层设置有孔，所述孔底为氮化物层：在孔内壁和半导体衬底的背面上设置有第一金属层；在孔内壁和半导体衬底的背面上设置有介质层，介质层覆盖第一金属层；在半导体衬底的第一金属层上的介质层设置有通孔；在半导体衬底的背面上制作孔，制作孔内的电容结构可以大大提高电容面积，提高了外延结构的面积利用率；占用的平面空间更小，有利于缩小器件尺寸；不改变原有的制程工艺上，制作出背面电容，节省工艺成本。

A back capacitor structure and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种背面电容结构及制作方法
本专利技术涉及半导体器件上电容制作领域，尤其涉及一种背面电容结构及制作方法。
技术介绍
电容的制作是由第一金属层和第二金属层及其之间的介质所形成的，结构如图1所示。一般在半导体器件的正面制作被动元件电容，为了节省半导体器件面积，传统的平面电容结构面积S较低，电容值较低。一般情况下介质层材料一确定，最小间距即被确定，要增大电容一般是增大极板的面积，但这大大占用了芯片面积，不利于集成化。
技术实现思路
为此，需要提供一种背面电容结构及制作方法，解决传统平面电容占用半导体器件面积大的问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种背面电容结构的制作方法，包括如下步骤：在半导体衬底的正面沉积氮化物层，在半导体衬底的背面正对氮化物层处制作孔，所述孔底为所述氮化物层；在半导体衬底的背面上沉积金属，在孔内壁和半导体衬底的背面上制作第一金属层；沉积氮化物层，在孔内壁和半导体衬底的背面上形成覆盖第一金属层的介质层；涂布第一光阻层，在半导体衬底的第一金属层上显影出通孔，蚀刻去除通孔内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面电容结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在半导体衬底的正面沉积氮化物层，在半导体衬底的背面正对氮化物层处制作孔，所述孔底为所述氮化物层；/n在半导体衬底的背面上沉积金属，在孔内壁和半导体衬底的背面上制作第一金属层；/n沉积氮化物层，在孔内壁和半导体衬底的背面上形成覆盖第一金属层的介质层；/n涂布第一光阻层，在半导体衬底的第一金属层上显影出通孔，蚀刻去除通孔内的氮化物层。/n涂布第二光阻层，显影保留通孔处的第二光阻层；/n沉积金属，制作覆盖介质层的第二金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种背面电容结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在半导体衬底的正面沉积氮化物层，在半导体衬底的背面正对氮化物层处制作孔，所述孔底为所述氮化物层；
在半导体衬底的背面上沉积金属，在孔内壁和半导体衬底的背面上制作第一金属层；
沉积氮化物层，在孔内壁和半导体衬底的背面上形成覆盖第一金属层的介质层；
涂布第一光阻层，在半导体衬底的第一金属层上显影出通孔，蚀刻去除通孔内的氮化物层。
涂布第二光阻层，显影保留通孔处的第二光阻层；
沉积金属，制作覆盖介质层的第二金属层。


2.根据权利要求1所述的一种背面电容结构的制作方法，其特征在于，在正面沉积氮化物层时，还包括如下步骤：
正面上蜡，再上一层蓝宝石，翻转到背面。


3.根据权利要求1所述的一种背面电容结构的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤；
制作与通孔内的第一金属层连接的金属连线。


4.根据权利要求1所述的一种背面电容结构的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴淑芳，陈智广，李立中，黄光伟，吴靖，马跃辉，庄永淳，林伟铭，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35