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本发明公开一种背面电容结构及制作方法，其中方法包括如下：在半导体衬底的正面设有氮化物层，在半导体衬底的背面正对氮化物层设置有孔，所述孔底为氮化物层：在孔内壁和半导体衬底的背面上设置有第一金属层；在孔内壁和半导体衬底的背面上设置有介质层，介质...
该专利属于福建省福联集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省福联集成电路有限公司授权不得商用。

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