一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法，所述双沟道立体TFT器件的制造方法，包括如下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；S4：在步骤S3的基础上形成有金属氧化物形成的图案化的半导体层；S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。本发明专利技术能显著提高TFT器件的宽长比，从而提高显示器件的开口率,同时工艺较为简单。

A dual channel three-dimensional TFT device, display panel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法
本专利技术涉及显示面板的
，尤其涉及一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法。
技术介绍
显示面板通过TFT器件使得电流进入显示面板内，TFT器件具有两种形式的，一种为栅极位于下方的底栅结构的TFT器件，另一种为栅极位于上方的顶栅结构的TFT器件。如图1和图2所示，TFT器件包括位于底部或顶部的栅极10、与栅极10重叠设置的半导体层20、位于栅极和半导体层20之间的绝缘层30、均与半导体层20接触的源极41和漏极42，对于顶栅结构的TFT器件，还设有位于顶部的金属遮光层50和位于金属遮光层50和半导体层20之间的第二绝缘层60。不论是底栅结构的TFT器件，还是顶栅结构的TFT器件，TFT器件的宽长比越大，通过的电流越大，因此较高的宽长比的TFT器件可以做的更小，可以显著提高显示产品的开口率。目前TFT器件的宽长比受制于曝光精度,运用于显示产品的中的TFT器件的沟道长W通常在2um以上，所以TFT器件的宽长比比较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能提高TFT器件的宽长比且提高开口率的双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法。本专利技术提供一种双沟道立体TFT器件的制造方法，包括如下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；S4：在步骤S3的基础上形成有金属氧化物形成的图案化的半导体层；S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。优选地，步骤S3中，漏极包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，其中，漏极的第一部分在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；第二部分在数据线上的投影位于数据线的下方。优选地，步骤S4中，所述半导体层分别在缓冲层两端的斜面处形成第一沟道和第二沟道，第一沟道为半导体层与漏极一侧接触处，第二沟道为半导体层与漏极另一侧接触处。优选地，步骤S3包括如下具体步骤：S31：在步骤S2的基础上涂布第一光阻层，第一光阻层在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；S32：对第一光阻层进行灰化处理，使得第一光阻层的宽度缩小；S33：通过第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面。优选地，步骤S31中，第一光阻层包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，第一部分在数据线上的投影与数据线之间具有夹角，第二部分在数据线上的投影位于数据线的下方。本专利技术还提供一种显示面板，包括如下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；S4：在步骤S3的基础上形成有金属氧化物形成的图案化的半导体层；S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。S6：在步骤S5的基础上先依序第一绝缘层和有机绝缘绝缘层，然后在漏极开设接触孔；S7：在步骤S5的基础上形成图形化的像素电极，像素电极通过接触孔与漏极连接。本专利技术还提供一种双沟道立体TFT器件，包括位于底层的源极、位于源极上方且相对设置的第一沟道和第二沟道、位于第一沟道和第二沟道上方的漏极以及位于漏极上的栅极，其中，漏极包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，所述第一部分在源极上的投影与源极之间具有夹角，第一沟道和第二沟道分别位于第一部分的两侧；第二部分在源极上的投影位于源极的下方。优选地，还包括位于源极和漏极之间的缓冲层，第一沟道和第二沟道分别位于缓冲层两端的斜面上。优选地，所述夹角为45度。本专利技术还包括一种显示面板，包括所述的双沟道立体TFT器件。本专利技术提供一种新型的双沟道立体TFT器件，能显著提高TFT器件的宽长比，从而提高显示器件的开口率,同时工艺较为简单。附图说明图1为现有底栅结构的TFT器件的结构示意图；图2为现有顶栅结构的TFT器件的结构示意图；图3为本专利技术显示面板的制造步骤之一的截面图；图4为本专利技术显示面板的制造步骤之二的截面图；图5(a)为本专利技术显示面板的制造步骤之三的截面图；图5(b)为本专利技术显示面板的制造步骤之三的俯视图；图6(a)为本专利技术显示面板的制造步骤之四的截面图；图6(b)为本专利技术显示面板的制造步骤之四的俯视图；图7(a)为本专利技术显示面板的制造步骤之五的截面图；图7(b)为本专利技术显示面板的制造步骤之五的俯视图；图8(a)为本专利技术显示面板的制造步骤之六的截面图；图8(b)为本专利技术显示面板的制造步骤之六的俯视图；图9(a)为本专利技术显示面板的制造步骤之七的截面图；图9(b)为本专利技术显示面板的制造步骤之七的俯视图；图10(a)为本专利技术显示面板的制造步骤之三的具体步骤之一截面图；图10(b)为本专利技术显示面板的制造步骤之三的具体步骤之一截面图；图11(a)为本专利技术显示面板的制造步骤之三的具体步骤之二截面图；图11(b)为本专利技术显示面板的制造步骤之三的具体步骤之二截面图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。本专利技术提供一种双沟道立体TFT器件的制造方法，包括如下步骤：S1：如图3所示，在基板10上沉积第一金属层并形成图形化的数据线20(数据线20同时充当源极)；S2：如图4所示，在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线20的缓冲层30，然后沉积位于缓冲层30上的第二金属层40；其中，第二金属层40为Ti或Mo等可以进行干刻的金属。S3：如图5(a)和图5(b)所示，在步骤S2的基础上对第二金属层40和缓冲层30进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层40形成与数据线20具有夹角的漏极40本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；/nS2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；/nS3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；/nS4：在步骤S3的基础上形成有金属氧化物形成的图案化的半导体层；/nS5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。/n

【技术特征摘要】
1.一种双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；
S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；
S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；
S4：在步骤S3的基础上形成有金属氧化物形成的图案化的半导体层；
S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。


2.根据权利要求1所述的双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，步骤S3中，漏极包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，其中，漏极的第一部分在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；第二部分在数据线上的投影位于数据线的下方。


3.根据权利要求1所述的双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，步骤S4中，所述半导体层分别在缓冲层两端的斜面处形成第一沟道和第二沟道，第一沟道为半导体层与漏极一侧接触处，第二沟道为半导体层与漏极另一侧接触处。


4.根据权利要求1所述的双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，步骤S3包括如下具体步骤：
S31：在步骤S2的基础上涂布第一光阻层，第一光阻层在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；
S32：对第一光阻层进行灰化处理，使得第一光阻层的宽度缩小；
S33：通过第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：易志根，潘明超，殷大山，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32