一种TFT阵列基板的制作方法技术

本申请公开了一种TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层；对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接；在所述衬底基板、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述有源层上覆盖绝缘层；在所述绝缘层中开设通孔，以裸露出部分漏极；在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电性连接。本申请提供了一种新的三道光罩制程来制备TFT阵列基板，缩减了光罩数量，降低了三道光罩制程的工艺难度。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板的制作方法
本申请涉及显示面板
，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法。
技术介绍
目前，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列(Array)基板是液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)装置和有源矩阵驱动式有机电致发光(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。常见的TFT阵列基板主要采用非晶硅(A-Si)、低温多晶硅(LTPS)、金属氧化物(MetalOxide)或有机半导体等材料作为有源层。其中，采用非晶硅半导体和金属氧化物作为有源层的制造工艺中通常采用五道光罩(Mask)或四道光罩工艺；而采用LTPS作为有源层不但工艺流程复杂，需要更多道光罩，而且成本高。为了进一步减化TFT阵列基板的制作工艺，缩短生产时间，提升生产效率，节约成本，TFT阵列基板的制程中Mask需求从最初6Mask或5Mask降到4Mask。与4Mask技术相比，3Mask技术制备TFT阵列基板因节省一道Mask，较大幅度降低了设备、物料以及时间成本，大大提高了产品竞争力，优势明显，已经成为热门技术，而且也已经开始用在一些产品上。目前3Mask制程制备TFT阵列基板的技术通常是通过使钝化层(PV)与ITO(IndiumTinOxides，氧化铟锡)像素电极采用同一道Mask形成来实现，但是遇到光阻(PR)剥离困难的问题，因为PR上沉积ITO像素电极后会导致PR剥离需要的时间较长，影响生产时间，并且PR剥离残留和毛边问题都会严重影响制程或产品性能，导致上述3Mask制程制备TFT阵列基板的难度增大。因此，需要开发一种新的3Mask技术来制备TFT阵列基板，以解决上述问题。
技术实现思路
本申请实施例提供一种TFT阵列基板的制作方法，以解决三道光罩制程制备TFT阵列基板难度大的问题。本申请实施例提供了一种TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层；对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接；在所述衬底基板、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述有源层上覆盖绝缘层；在所述绝缘层中开设通孔，以裸露出部分漏极；在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电性连接。可选的，所述半导体图案包括第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案；所述在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层，包括以下步骤：在所述衬底基板上覆盖一层半导体层；对所述半导体层进行图案化处理，形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层。可选的，所述半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。可选的，所述对所述半导体层进行图案化处理，形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层，包括以下步骤：在所述半导体层上涂布光阻材料；采用第一道光罩对所述光阻材料进行曝光后显影，形成第一光阻层；以所述第一光阻层为遮蔽层对所述半导体层进行蚀刻，去除所述半导体层上未被所述第一光阻层覆盖的部分，以形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层；其中，覆盖在所述第一半导体子图案、所述第二半导体子图案以及所述第三半导体子图案上的光阻的厚度相同，且覆盖在所述有源层上的光阻的厚度大于覆盖在所述第一半导体子图案上的光阻的厚度；对所述第一光阻层进行灰化处理，去除覆盖在所述第一半导体子图案、所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案上的光阻，并薄化覆盖在所述有源层上的光阻，以裸露出所述第一半导体子图案、所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案。可选的，所述第一道光罩包括半色调光罩或灰阶光罩。可选的，所述对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，包括以下步骤：采用等离子体对所述间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案进行掺杂处理，以使所述间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案导体化，对应形成相互绝缘的栅极、源极和漏极。可选的，所述等离子体包括氢等离子体或者氦等离子体。可选的，对所述半导体图案进行导体化处理后，所述制作方法还包括以下步骤：对覆盖在所述有源层上的剩余光阻进行剥离，以裸露出所述有源层。可选的，所述在所述绝缘层中开设通孔，包括以下步骤：在所述绝缘层上涂布光阻材料；采用第二道光罩对所述光阻材料进行曝光后显影，以形成第二光阻层；以所述第二光阻层为遮蔽层对所述绝缘层进行蚀刻，去除所述绝缘层上未被所述第二光阻层覆盖的部分，以形成通孔。可选的，所述在所述绝缘层上形成像素电极，包括以下步骤：在形成有所述通孔的绝缘层上覆盖一层像素电极层；在所述像素电极层上涂布光阻材料；通过第三道光罩对所述光阻材料进行曝光后显影，以形成第三光阻层；以所述第三光阻层为遮蔽层对所述像素电极层进行蚀刻，去除所述像素电极层上未被所述第三光阻层覆盖的部分，以形成像素电极。本申请的有益效果为：本申请先在衬底基板上同层形成半导体图案和有源层，然后对半导体图案进行导体化，形成同层且绝缘的栅极、源极和漏极，使得TFT中的栅极、源极、漏极和有源层在同一层形成，且半导体图案和有源层可以共用一道光罩形成，而绝缘层中的通孔以及像素电极则分别可以采用不同的两道光罩形成，实现了三道光罩制程制备TFT阵列基板，因此，本申请提供了一种新的三道光罩制程来制备TFT阵列基板，缩减了光罩数量，避免了将绝缘层中的通孔与像素电极层采用同一道光罩形成，从而避免了采用氧化铟锡剥离技术实现三道光罩制程，降低了三道光罩制程的工艺难度。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的一种TFT阵列基板的制作方法的流程示意框图；图2为本申请实施例提供的一种半导体图案和有源层的制作流程示意框图；图3为本申请实施例提供的半导体层和第一光阻层的结构示意图；图4为本申请实施例提供的被第一光阻层覆盖的半导体图案的结构示意图；图5为本申请实施例提供的灰化后的第一光阻层和半导体层的结构示意图；图6为本申请实施例提供的对半导体图案进行导体化的结构示意图；图7为本申请实施例提供的绝缘层和通孔的结构示意图；图8为本申请实施例提供的绝缘层和像素电极的结构示意图。具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供衬底基板；/n在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层；/n对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接；/n在所述衬底基板、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述有源层上覆盖绝缘层；/n在所述绝缘层中开设通孔，以裸露出部分漏极；/n在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层；
对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接；
在所述衬底基板、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述有源层上覆盖绝缘层；
在所述绝缘层中开设通孔，以裸露出部分漏极；
在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电性连接。


2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体图案包括第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案；
所述在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层，包括以下步骤：
在所述衬底基板上覆盖一层半导体层；
对所述半导体层进行图案化处理，形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层。


3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。


4.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行图案化处理，形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层，包括以下步骤：
在所述半导体层上涂布光阻材料；
采用第一道光罩对所述光阻材料进行曝光后显影，形成第一光阻层；
以所述第一光阻层为遮蔽层对所述半导体层进行蚀刻，去除所述半导体层上未被所述第一光阻层覆盖的部分，以形成间隔设置的第一半导体子图案、第二半导体子图案和第三半导体子图案，以及与所述第二半导体子图案和所述第三半导体子图案连接的有源层；其中，覆盖在所述第一半导体子图案、所述第二半导体子图案以及所述第三半导体子图案上的光阻的厚度相同，且覆盖在所述有源层上的光阻的厚度大于覆盖在所述第一半导体子图案上的光阻的厚度；
对所述第一光阻层...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵文群，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44