薄膜物相含量的测量方法技术

本公开提供了一种薄膜物相含量的测量方法，包括：制备已知厚度的待测薄膜和参考薄膜；测量所述待测薄膜的第一摇摆曲线；测量所述参考薄膜的第二摇摆曲线；根据所述第一摇摆曲线计算第一校正强度曲线；根据所述第二摇摆曲线计算第二校正强度曲线；以及根据所述第一校正强度曲线和所述第二校正强度曲线，获得所述待测薄膜相对于所述参考薄膜的物相含量。该测量方法根据待测薄膜参与布拉格衍射的晶面数量与参考薄膜参与布拉格衍射的晶面数量的关系，对薄膜中的物相含量进行量化。

Measurement method of phase content of film

【技术实现步骤摘要】
薄膜物相含量的测量方法
本专利技术涉及X射线衍射
，更具体地，涉及一种薄膜物相含量的测量方法。
技术介绍
半导体器件的制造工艺包括多个薄膜制造步骤，例如，在形成金属布线的步骤包括沉积Al膜及对其图案化。现有的薄膜沉积工艺例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)已经可以通过工艺参数的控制，例如沉积温度和时间的控制，实现精确的厚度控制。然而，在不同工艺参数下沉积的薄膜晶体学特征仍然存在着明显的区别，对半导体器件的特性有很大的影响。例如，与非外延生长的金属膜相比，外延生长的金属膜具有更佳的覆盖性和更低的电阻率。为了对薄膜晶体学特征进行量化，可以采用薄膜物相含量的测量方法，在薄膜中获得特定晶体学特征的相成分的含量。例如，薄膜中各组成相的相对含量。进一步地，在薄膜物相含量测量的基础上，可以对比不同工艺参数获得的薄膜的晶体学特征，进行工艺参数的优化，以提升所制造的半导体器件的特性。因此，在半导体器件的制造工艺中，对薄膜物相含量的测量至关重要。虽然在现有技术中已经将X射线衍射分析用于测量薄膜厚度和应变，但还没有提供对物相含量进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜物相含量的测量方法，其中，包括：/n制备已知厚度的待测薄膜和参考薄膜；/n测量所述待测薄膜的第一摇摆曲线；/n测量所述参考薄膜的第二摇摆曲线；/n根据所述第一摇摆曲线计算第一校正强度曲线；/n根据所述第二摇摆曲线计算第二校正强度曲线；以及/n根据所述第一校正强度曲线和所述第二校正强度曲线，获得所述待测薄膜相对于所述参考薄膜的物相含量。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜物相含量的测量方法，其中，包括：
制备已知厚度的待测薄膜和参考薄膜；
测量所述待测薄膜的第一摇摆曲线；
测量所述参考薄膜的第二摇摆曲线；
根据所述第一摇摆曲线计算第一校正强度曲线；
根据所述第二摇摆曲线计算第二校正强度曲线；以及
根据所述第一校正强度曲线和所述第二校正强度曲线，获得所述待测薄膜相对于所述参考薄膜的物相含量。


2.根据权利要求1所述的测量方法，其中，所述物相含量是薄膜选定晶面相关的特定晶体学特征的相成分的含量。


3.根据权利要求1所述的测量方法，其中，在计算所述第一校正强度曲线和所述第二校正强度曲线的步骤中，对不同入射角下的衍射强度进行作用面积校正。


4.根据权利要求3所述的测量方法，其中，根据以下公式获得所述第一校正强度曲线和所述第二校正强度曲线中的至少一个：
P'(α)＝P(α)/IA(1)



其中，P(α)表示不同入射角下的测量衍射强度，P’(α)表示不同入射角下的校正衍射强度，IA表示面积校正因子，α表示入射角，α0表示布拉格角。


5.根据权利要求4所述的测量方法，其中，所述第一摇摆曲线和所述第二摇摆曲线分别是...

【专利技术属性】
技术研发人员：江佩，周阳，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42