检测晶圆完整性的方法、RTP机台技术

本申请公开了检测晶圆完整性的方法、RTP机台，涉及半导体制造领域。该方法包括通过晶圆取片刀从RTP机台的腔室中取出晶圆；RTP机台的腔室隔离门外侧设置有红外对射传感器，红外对射传感器垂直于晶圆取片刀，红外对射传感器关于晶圆的切槽与圆心的连线对称，每个红外对射传感器包括发射器和接收器，晶圆取片刀上设置有检测传感器；通过红外对射传感器检测晶圆上的第一区域是否发生破损，通过检测传感器检测晶圆的第二区域是否发生破损，第一区域与所述第二区域之和大于等于晶圆的表面区域；解决了现有的RTP机台检测晶圆破损情况时存在盲区，无法检测晶圆全部区域是否破损的问题；达到了消除检测盲区，全面检测晶圆的破损情况的效果。

Method of testing wafer integrity, RTP machine

【技术实现步骤摘要】
检测晶圆完整性的方法、RTP机台
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种检测晶圆完整性的方法、RTP机台。
技术介绍
RTA(rapidthermalanneal，快速热退火)是半导体制造过程中的常见工艺步骤。快速热退火结束时，晶圆从快速热退火设备中取出，并通过晶圆传送设备传送至其他处理设备中。在晶圆进行RTA工艺时，最高温度甚至可以达到1000多度，导致晶圆在形变过程中很可能因为原本晶圆质量或前道工艺应力问题发生破损。目前对晶圆进行RTA的机台，比如AMATRTP5.xVantage平台，具有检测晶圆是否发生破损的功能，然而，机台在检测时存在盲区，无法检测出晶圆在3点、9点方向的破损情况。
技术实现思路
本申请提供了一种检测晶圆完整性的方法，可以解决相关技术中现有机台无法准确检测退火处理后的晶圆是否出现破损的问题。第一方面，本申请实施例提供了一种检测晶圆完整性的方法，该方法包括：通过晶圆取片刀从快速热处理RTP机台的腔室中取出晶圆，晶圆取片刀上设置有检测传感器；通过红外对射传感器检测晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测晶圆完整性的方法，其特征在于，所述方法包括：/n通过所述晶圆取片刀从快速热处理RTP机台的腔室中取出晶圆；所述晶圆取片刀上设置有检测传感器；/n通过所述红外对射传感器检测所述晶圆上的第一区域是否发生破损，通过所述检测传感器检测所述晶圆的第二区域是否发生破损；所述红外对射传感器设置于所述RTP机台的腔室隔离门外侧，所述红外对射传感器垂直于晶圆取片刀，所述红外对射传感器关于晶圆的切槽与圆心的连线对称，每个所述红外对射传感器包括发射器和接收器；/n其中，所述晶圆上的第一区域是指晶圆上对应3点和9点方向的区域，所述晶圆上的第二区域是指晶圆上对应6点和12点方向的区域，所述第一区域与所述第二...

【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆完整性的方法，其特征在于，所述方法包括：
通过所述晶圆取片刀从快速热处理RTP机台的腔室中取出晶圆；所述晶圆取片刀上设置有检测传感器；
通过所述红外对射传感器检测所述晶圆上的第一区域是否发生破损，通过所述检测传感器检测所述晶圆的第二区域是否发生破损；所述红外对射传感器设置于所述RTP机台的腔室隔离门外侧，所述红外对射传感器垂直于晶圆取片刀，所述红外对射传感器关于晶圆的切槽与圆心的连线对称，每个所述红外对射传感器包括发射器和接收器；
其中，所述晶圆上的第一区域是指晶圆上对应3点和9点方向的区域，所述晶圆上的第二区域是指晶圆上对应6点和12点方向的区域，所述第一区域与所述第二区域之和大于等于所述晶圆的表面区域。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述红外对射传感器检测所述晶圆上的第一区域是否发生破损，包括：
当所述晶圆经过所述红外对射传感器的发射器和接收器之间时，检测所述红外对射传感器的发射器和接收器之间的光线是否被阻挡；
若检测到所述红外对射传感器的发射器和接收器之间的光线被阻挡，则确定所述晶圆的第一区域未发生破损；
若检测到所述红外对射传感器的发射器和接收器之间的光线未被阻挡，则确定所述晶圆的第一区域发生破损。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当检测到晶圆上的第一区域和/或第二区域发生破损时，所述RTP机台报警。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当检测到晶圆上的第一区域和第二区域未发生破损时，通过所述晶圆取片刀将所述晶圆送入晶圆传送盒。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述晶圆取片刀从快速热处理RTP机台的腔室中取出晶圆之前，还包括：
在所述RTP机台的腔室隔离门外侧设置所述红外对射传感器。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王家辉，何春雷，顾海龙，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31