n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片技术

本发明专利技术提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。

Manufacturing method of n-type monocrystalline silicon, ingot, silicon wafer and epitaxial silicon wafer of n-type monocrystalline silicon

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片
本专利技术涉及一种n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片。
技术介绍
近年来，移动电话等移动设备已广泛普及。关于这种移动设备，强烈要求能够长时间携带使用，进行了内置于移动设备的电池的大容量化或降低移动设备本身的电力消耗的研究。为了降低移动设备本身的电力消耗，需要降低搭载于移动设备内部的半导体器件的电力消耗。例如，作为移动设备的电力用器件而使用的低耐压功率MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)当成为通电状态时在其内部具有某一恒定的电阻，因此其本身对应于流到低耐压功率MOSFET的电流而消耗电力。因此，若能够减小低耐压功率MOSFET成为通电状态时的内部电阻，则能够降低移动设备的电力消耗。基于这种背景，为了减小低耐压功率MOSFET成为通电状态时的电阻，强烈要求低电阻率的n型单晶硅。但是，以往，在通过提拉法的单晶硅的制造方法中，专利文献1中公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液中提拉单晶硅并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法的特征在于，/n使用内径为所述单晶硅的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚，进行所述单晶硅的一部分的电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅的提拉。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170425 JP 2017-086530;20170425 JP 2017-0865321.一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液中提拉单晶硅并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法的特征在于，
使用内径为所述单晶硅的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚，进行所述单晶硅的一部分的电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅的提拉。


2.根据权利要求1所述的n型单晶硅的制造方法，其特征在于，
所述单晶硅的直体直径为201mm以上且230mm以下，
所述石英坩埚的内径为所述单晶硅的直体直径的2.1倍以上且2.3倍以下。


3.根据权利要求2所述的n型单晶硅的制造方法，其特征在于，
所述单晶硅的一部分的电阻率为0.5mΩcm以上且0.7mΩcm以下。


4.根据权利要求1所述的n型单晶硅的制造方法，其特征在于，
所述单晶硅的直体直径为301mm以上且330mm以下，
所述石英坩埚的内径为所述单晶硅的直体直径的1.7倍以上且2.0倍以下。


5.根据权利要求4所述的n型单晶硅的制造方法，其特征在于，
所述单晶硅的一部分的电阻率为0.8mΩcm以上且1.0mΩcm以下。


6.一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有砷作为主要掺杂剂的硅熔液中提拉单晶硅并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法的特征在于，
使用内径为所述单晶硅的直体直径的1.7倍以上且2.0倍以下的石英坩埚，进行所...

【专利技术属性】
技术研发人员：前川浩一，鸣嶋康人，川上泰史，小川福生，木原亚由美，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP