一种晶圆打点设备制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆打点设备，其结构包括：机体、反应箱体、输送辊筒、动力轴、底脚，所述机体顶部位置设有反应箱体，本发明专利技术的有益效果：通过在结构上设有反应箱体来解决这个问题，利用反应箱体中的电场装置改变电子的物理性质，通过带动分子急速变化与粒子频率实现同步，同时借助粒子挡板独特的空心三角锥构造避免粒子弹起后撞到粒子挡板后再次下落对圆晶产生二次溅镀作用，并且配有粒子吸收器加速吸收反弹的粒子，最大化程度减少粒子对圆晶产生的二次不良反应影响。

A kind of wafer dotting equipment

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆打点设备
本专利技术涉及圆晶生产领域，尤其是涉及到一种晶圆打点设备。
技术介绍
圆晶作为一种价值极高的芯片载体，其处理工艺相当复杂，一般是先将圆晶适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在圆晶上完成束层电路及元件加工制作，其中溅镀也叫打点，是用高速粒子撞击固体表面将固体表面的原子撞击出来，利用这一现象来形成薄膜，在此过程中，由于电场的振荡频率变化太快，很容易使正离子跟不上变化而让固体表面呈现阴极效应造成打点失败，同时粒子在撞击的过程中会再次下落对圆晶形成二次溅镀作用影响最终的成品效果，基于以上前提，本案研发了一种晶圆打点设备以解决这个问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种晶圆打点设备，其结构包括：机体、反应箱体、输送辊筒、动力轴、底脚，所述机体顶部位置设有反应箱体，反应箱体侧边连接输送辊筒与动力轴，输送辊筒、动力轴两者彼此相连并联动，底脚位于机体底部四角，机体整体为长方体结构，其为高强度金属板块组成并且内有空腔可用于装载设备的其他构件，一方面是用于承载构建的安装与连接，为其提供装配空间，另一方面则是用于为构件提供防护，外壳能够保护构件在受到外界冲击时最大程度的降低对内部构件的损害，避免冲击力导致设备故障，反应箱体为设备对圆晶实施加工的结构，输送辊筒为设备在加工完圆晶之后对其进行输出的结构，主要是用于圆晶完整制作后的成品输出，其整体为空心圆柱体构造，柱体尺寸相较与圆晶的圆形直径较大，采用螺旋式输出方式可有效避免圆晶受到损伤，动力轴为设备的核心动力结构，主要用于驱动输送辊筒以旋转方式运作将圆晶推出，同时为机体的其他构件起到动力供给的作用，底脚为机体的底部承重结构，其采用高强度橡胶材料制成，具有防滑、耐摩擦的作用，能够起到防止偏移的效果，避免设备在运转时产生的轻微震动力传递至地面造成输送辊筒抖动，有效提高圆晶的完整率。作为本专利技术进一步技术补充，所述反应箱体由反应腔、电场装置、发射板、靶材腔、粒子挡板、圆晶放置板、正极板、粒子吸收器组成，所述反应腔顶部位置设有电场装置并与其相连，电场装置底部通过发射板连接靶材腔，靶材腔下方位置对应设有粒子挡板，粒子挡板下则设有圆晶放置板与正极板，粒子吸收器位于反应腔两侧并对应粒子挡板，反应腔为反应箱体的内部空腔结构，主要作为圆晶生产加工的操作反应空间，在圆晶处于加工的过程中会形成一个全封闭式的加工环境，可有效避免加工的粒子物质泄露，提升设备的操作安全性，发射板用于发射高速粒子以反应生成原子，靶材腔为放置撞击所产生原子的指向靶材料，其形状构造为矩形空腔结构，大面积的靶面能有效提升撞击的效率与原子析出的数量，圆晶放置板用于平放需要进行溅镀的圆晶半成品，其面积尺寸与发射板相等，能够有效避免发射的粒子撞击在圆晶放置位置的盲区，该结构能够保证粒子全部处于圆晶的铺设范围内，正极板用于释放电场正极电荷和圆晶相互反应。作为本专利技术进一步技术补充，所述电场装置由机座、转鼓、电极管、控制块、集液盘、液体导管组成，所述机座连接转鼓，转鼓内设有电极管与控制块，控制块通过集液盘连接液体导管,所述机座中端位置设有转鼓并与其相连，转鼓内设有电极管与控制块，控制块通过集液盘连接液体导管，机座为电场装置的外壳结构，其包含顶部、侧边以及底部的结构，为装置的承载结构，用于构件的连接与防护，转鼓为装置中的转动部件，是用于电场在里面反转的回转圆筒，当齿轮带动转鼓整体转动时，鼓内的电场受到不断的弯曲、伸展等机械动作的影响从而改变其物理性质，电荷会受到影响并产生改变，电极管用于释放电流产生电场，控制块的作用是控制电场的场域以改变电场电荷分子的性质，通过带动分子急速变化与粒子频率实现同步，集液盘用于装设电场改变所用的特殊导电液体，液体导管则是用于输入导电液体的管道结构，其自身为绝缘防水材料，可避免自身受到导电液体的影响造成其物理性质发生改变。作为本专利技术进一步技术补充，所述粒子挡板由环形轨道座、滑轨杆、渗透孔、三角挡块、通孔组成，所述环形轨道座连接滑轨杆，滑轨杆设有渗透孔并联通三角挡块，三角挡块内设有通孔，环形轨道座其整体构造为半圆环型轨道结构，其由若干个长度不等、直径相同的空心弧形圆柱体结构组成，表面设有与滑轨杆相互嵌合的沟槽，同时被滑轨杆整根贯穿，由前端至末端位置与滑轨杆均相互嵌合并处于可滑动连接的状态，滑轨杆一方面是作为环形轨道座的移动载体，另一方面则是粒子挡板的支撑结构，用于支撑起整个粒子挡板的框架结构，渗透孔则是分布于滑轨杆表面且贯穿整个杆体的细小孔洞结构，其主要作用在于为粒子穿透滑轨杆提供传输通道，粒子撞击在圆晶表面的瞬间会有一部分受到反震力的影响向上弹起，为了避免粒子弹起后撞到粒子挡板后再次下落对圆晶产生二次溅镀作用，用渗透孔作为通道使粒子在向上弹的过程中直接穿过滑轨杆,三角挡块为具有空腔结构的三角锥板块组成，其入口位置与渗透孔相互对应，独特的广角开口能够全面接受粒子并受到出口位置的尖角影响产生聚集效果，同时通过末端的通孔将粒子输出以避免粒子对圆晶产生不良反应。作为本专利技术进一步技术补充，所述粒子吸收器由风机、负压腔、冷却管、抽吸板组成，所述风机联通负压腔，负压腔设有冷却管且与其相连，冷却管相邻位置设有抽吸板，风机为粒子吸收器的动力驱动结构与风力制造结构，利用产生的锋利将其转化为吸力，同时吸力经过负压腔的腔体结构转化会由底部方向吸收变为侧边吸收，负压腔不仅承担着引导吸力方向的作用，而且是粒子吸收器的粒子处理空间，当粒子被吸入腔体中会沉积并等待粒子反应消失，冷却管用于为吸收进来的具有一定热量的粒子能量降低温度，避免持续吸收粒子的过程中温度始终处于上升状态，防止粒子温度对结构产生破坏，抽吸板为侧边壳体结构，用于减缓粒子在吸入的瞬间对结构产生的冲击力的减弱，同时能起到堆积一定量的粒子的作用，避免粒子直接对结构内部产生冲击，在长时间使用后性能下降的前提下还可进行更替以保证减震与吸收性能的高效需求。有益效果本专利技术应用于晶圆打点技术方面，主要是为了解决电场的振荡频率变化太快使正离子跟不上变化而让固体表面呈现阴极效应造成打点失败，同时粒子在撞击的过程中会再次下落对圆晶形成二次溅镀作用影响最终的成品效果的问题；本专利技术通过在结构上设有反应箱体来解决这个问题，利用反应箱体中的电场装置改变电子的物理性质，通过带动分子急速变化与粒子频率实现同步，同时借助粒子挡板独特的空心三角锥构造避免粒子弹起后撞到粒子挡板后再次下落对圆晶产生二次溅镀作用，并且配有粒子吸收器加速吸收反弹的粒子，最大化程度减少粒子对圆晶产生的二次不良反应影响。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术一种晶圆打点设备的外部结构示意图。图2为本专利技术一种晶圆打点设备的反应箱体结构正剖图。图3为本专利技术一种晶圆打点设备的反应箱体的电场装置结构正剖图。图4为本专利技术一种晶圆打点设备的反应箱体的粒子挡板结构正剖图。...

【技术保护点】
1.一种晶圆打点设备，其结构包括：机体（1）、反应箱体（2）、输送辊筒（3）、动力轴（4）、底脚（5），其特征在于：/n所述机体（1）顶部位置设有反应箱体（2），反应箱体（2）侧边连接输送辊筒（3）与动力轴（4），输送辊筒（3）、动力轴（4）两者彼此相连并联动，底脚（5）位于机体（1）底部四角。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆打点设备，其结构包括：机体（1）、反应箱体（2）、输送辊筒（3）、动力轴（4）、底脚（5），其特征在于：
所述机体（1）顶部位置设有反应箱体（2），反应箱体（2）侧边连接输送辊筒（3）与动力轴（4），输送辊筒（3）、动力轴（4）两者彼此相连并联动，底脚（5）位于机体（1）底部四角。


2.根据权利要求1所述一种晶圆打点设备，其特征在于：所述反应箱体（2）由反应腔（7）、电场装置（8）、发射板（9）、靶材腔（10）、粒子挡板（11）、圆晶放置板（12）、正极板（13）、粒子吸收器（14）组成，所述反应腔（7）顶部位置设有电场装置（8）并与其相连，电场装置（8）底部通过发射板（9）连接靶材腔（10），靶材腔（10）下方位置对应设有粒子挡板（11），粒子挡板（11）下则设有圆晶放置板（12）与正极板（13），粒子吸收器（14）位于反应腔（7）两侧并对应粒子挡板（11）。


3.根据权利要求2所述一种晶圆打点设备，其特征在于：所述电场装置（8）由机座（16）、转鼓（17）、电极管（18）、控...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭燕玲，
申请(专利权)人：谭燕玲，
类型：发明
国别省市：广东;44