喷淋头装置及MOCVD设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种喷淋头装置及MOCVD设备，该喷淋头装置包括固定部件(1)和旋转部件(2)，固定部件(1)和旋转部件(2)通过第一动密封结构(3)密封对接，形成一封闭空间(4)，其中，在固定部件(1)中设置有进气口(5)，该进气口(5)与封闭空间(4)连通；旋转部件(2)包括位于封闭空间(4)底部的喷淋板(21)，该喷淋板(21)能够相对于固定部件(1)围绕自身轴线旋转，且在喷淋板(21)中设置有多个出气口(211)，用于将封闭空间(4)中的气体喷出。本实用新型专利技术提供的喷淋头装置，可以提高混气均匀性，从而可以流场均匀性和气源利用率。

Sprinkler and MOCVD equipment

【技术实现步骤摘要】
喷淋头装置及MOCVD设备
本技术涉及半导体
，特别涉及一种喷淋头装置及MOCVD设备。
技术介绍
金属有机物化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，以下简称MOCVD)是制备化合物半导体薄膜材料和器件的一种气相外延新技术，近年来在外延生长GaN、GaAs、InP等的化合物半导体领域起到了重要作用。MOCVD反应腔室的流场均匀性很大程度上影响了外延薄膜的晶体质量，尤其是衬底表面附近气流的均匀性直接影响了沉积膜层的厚度均匀性，从而影响了光电器件的性能。反应腔室中的气流形成稳定的层流是薄膜生长的基本要求，气流不稳定、气体浓度不均匀均会造成薄膜厚度不均匀。为此，现有的MOCVD反应腔室多采用垂直进气的喷淋头结构，但是，由于现有的喷淋头结构的混气均匀性较差，仍然会存在流场不均匀、气源利用率不高的问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种喷淋头装置及MOCVD设备，其可以提高混气均匀性，从而可以流场均匀性和气源利用率。r>为实现上述目的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种喷淋头装置，其特征在于，包括固定部件(1)和旋转部件(2)，所述固定部件(1)和旋转部件(2)通过第一动密封结构(3)密封对接，形成一封闭空间(4)，其中，/n在所述固定部件(1)中设置有进气口(5)，所述进气口(5)与所述封闭空间(4)连通；/n所述旋转部件(2)包括位于所述封闭空间(4)底部的喷淋板(21)，所述喷淋板(21)能够相对于所述固定部件(1)围绕自身轴线旋转，且在所述喷淋板(21)中设置有多个出气口(211)，用于将所述封闭空间(4)中的气体喷出。/n

【技术特征摘要】
1.一种喷淋头装置，其特征在于，包括固定部件(1)和旋转部件(2)，所述固定部件(1)和旋转部件(2)通过第一动密封结构(3)密封对接，形成一封闭空间(4)，其中，
在所述固定部件(1)中设置有进气口(5)，所述进气口(5)与所述封闭空间(4)连通；
所述旋转部件(2)包括位于所述封闭空间(4)底部的喷淋板(21)，所述喷淋板(21)能够相对于所述固定部件(1)围绕自身轴线旋转，且在所述喷淋板(21)中设置有多个出气口(211)，用于将所述封闭空间(4)中的气体喷出。


2.根据权利要求1所述的喷淋头装置，其特征在于，所述喷淋头装置还包括旋转驱动机构，所述旋转驱动机构包括旋转轴(9)和第二动密封结构(6)，其中，
所述旋转轴(9)可围绕其轴线旋转；
在所述固定部件(1)中设置有安装孔(101)，所述旋转轴(9)竖直穿设于所述安装孔(101)中，且所述旋转轴(9)的下端与所述喷淋板(21)连接；所述旋转轴(9)的轴线与所述喷淋板(21)的轴线重合；
所述第二动密封结构(6)用于对所述旋转轴(9)与所述安装孔(101)之间的间隙进行密封。


3.根据权利要求2所述的喷淋头装置，其特征在于，所述第一动密封结构(3)包括磁流体密封件；所述第二动密封结构(6)包括磁流体密封件。


4.根据权利要求1所述的喷淋头装置，其特征在于，在所述固定部件(1)中设置有用于输送冷却媒介的冷却通道，及分别与所述冷却通道的两端连通的入口(7)和出口(8)。


5.根据权利要求1所述的喷淋头装置，其特征在于，所述喷淋头装置还包括气...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾蕾，童翔，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11