阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，能够减小在第一金属层和第二金属层交叠区域第二金属层产生断路或第一金属层和第二金属层产生短路的风险，保证阵列基板的良率。阵列基板包括衬底、依次层叠设置于衬底上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层；第一金属层包括至少一条第一信号线，第二金属层包括至少一条第二信号线，第一信号线与第二信号线交叉；在第一信号线靠近衬底一侧，且第一信号线与第二信号线交叠的区域设置有凹槽，第一信号线中与第二信号线交叠的部分位于凹槽内。

Array substrate and its preparation method, display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
目前，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是液晶显示面板和自发光显示装置例如有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板的主要驱动元件。在制作TFT的过程中，由于工艺的原因会导致相互交叉的第一信号线和第二信号线之间的交叠区域发生断线或者短路，使显示面板无法正常工作，降低了显示面板的良率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，能够减小在第一金属层和第二金属层交叠区域第二金属层产生断路或第一金属层和第二金属层产生短路的风险，保证阵列基板的良率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：衬底、依次层叠设置于所述衬底上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层。所述第一金属层包括至少一条第一信号线，所述第二金属层包括至少一条第二信号线，所述第一信号线与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、依次层叠设置于所述衬底上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层；/n所述第一金属层包括至少一条第一信号线，所述第二金属层包括至少一条第二信号线，所述第一信号线与所述第二信号线交叉；/n在所述第一信号线靠近所述衬底一侧，且所述第一信号线与所述第二信号线交叠的区域设置有凹槽，所述第一信号线中与所述第二信号线交叠的部分位于所述凹槽内。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、依次层叠设置于所述衬底上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层；
所述第一金属层包括至少一条第一信号线，所述第二金属层包括至少一条第二信号线，所述第一信号线与所述第二信号线交叉；
在所述第一信号线靠近所述衬底一侧，且所述第一信号线与所述第二信号线交叠的区域设置有凹槽，所述第一信号线中与所述第二信号线交叠的部分位于所述凹槽内。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置于所述第一金属层靠近所述衬底一侧的缓冲层，缓冲层包括所述凹槽；
或者，
所述凹槽设置于所述衬底上。


3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，至少一条所述第一信号线包括多条栅线，至少一条所述第二信号线包括多条数据线。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述凹槽设置于缓冲层的情况下，所述第一信号线位于所述凹槽中的部分的上表面与所述缓冲层的上表面齐平。


5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置于每个亚像素区的至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底上的有源图案、第一栅绝缘图案、栅极和源极、漏极；
所述栅极和所述第一信号线同层，所述源极和所述漏极与所述第二信号线同层；
所述阵列基板还包括设置于所述衬底与缓冲层之间的遮光图案；
在每个亚像素区，所述遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖至少一个所述薄膜晶体管的有源图案在所述衬底上的正投影。


6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板所述的显示面板，所述显示面板为液晶显示面板或者自发光显示面板。


7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成缓冲层，所述缓冲层包括多个凹槽；
在所述缓冲层上依次形成第一金属层、第一绝缘层、第二金属层；所述第一金属层包括至少一条第一信号线，所述第二金属层包括至少一条第二信号线，所述第一信号线与所述第二信号线交叉；其中，所述第一信号线中与所述第二信号线交叠的部分位于一个所述凹槽内。


8.根据权利要求7所述阵列基板的制备方法，其特征在于，至少一条所述第一信号线包括多...

【专利技术属性】
技术研发人员：方金钢，丁录科，张扬，焦超，闫梁臣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11