受光元件、测距模块和电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种受光元件、测距模块和电子设备。受光元件包括片上透镜、配线层、以及设置在片上透镜和配线层之间的半导体层。半导体层包括：光电二极管；第一传输晶体管，其将在光电二极管中产生的电荷传输到第一电荷存储部；第二传输晶体管，其将在光电二极管中产生的电荷传输到第二电荷存储部；以及像素间分离部，其针对半导体层的深度方向上的至少一部分将相邻像素的半导体层彼此分开。配线层具有包括遮光构件的至少一层。遮光构件设置成在平面图中与光电二极管重叠。测距模块包括受光元件、光源和发光控制器。电子设备包括测距模块。根据本发明专利技术，能够改善传感器的特性。

Receiving element, ranging module and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
受光元件、测距模块和电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月18日提交的日本在先专利申请JP2018-135395的权益，其全部内容通过引用结合于此。
本技术涉及一种受光元件、测距模块和电子设备，更特别地，涉及一种被设计成能够改善特性的受光元件、测距模块和电子设备。
技术介绍
使用间接飞行时间(ToF：timeofflight)方法的测距系统是众所周知的。在这样的测距系统中，通过接收从发光二极管(LED：lightemittingdiode)或激光器以特定相位发射并被物体反射的有源光(activelight)的反射光而获得的信号电荷以高速分配到不同区域。因此，需要能够分配的传感器。鉴于此，例如已经提出了一种技术：通过将电压直接施加到基板并因此在基板中产生电流，能够对传感器的基板中的宽区域进行高速调制(例如，参见专利文献1)。这种传感器也称为电流辅助光子解调器(CAPD：currentassistedphotonicdemodulator)传感器。引用列表专利文献专利文献1JP2011-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种受光元件，其包括：/n片上透镜；/n配线层；以及/n半导体层，所述半导体层布置在所述片上透镜和所述配线层之间，/n其中，所述半导体层包括：/n光电二极管；/n第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将在所述光电二极管中产生的电荷传输到第一电荷存储部；/n第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将在所述光电二极管中产生的电荷传输到第二电荷存储部；以及/n像素间分离部，所述像素间分离部针对所述半导体层的深度方向上的至少一部分将相邻像素的所述半导体层彼此分离开，/n所述配线层具有包括遮光构件的至少一层，并且/n所述遮光构件被布置成在平面图中与所述光电二极管重叠。/n

【技术特征摘要】
20180718 JP 2018-1353951.一种受光元件，其包括：
片上透镜；
配线层；以及
半导体层，所述半导体层布置在所述片上透镜和所述配线层之间，
其中，所述半导体层包括：
光电二极管；
第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将在所述光电二极管中产生的电荷传输到第一电荷存储部；
第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将在所述光电二极管中产生的电荷传输到第二电荷存储部；以及
像素间分离部，所述像素间分离部针对所述半导体层的深度方向上的至少一部分将相邻像素的所述半导体层彼此分离开，
所述配线层具有包括遮光构件的至少一层，并且
所述遮光构件被布置成在平面图中与所述光电二极管重叠。


2.根据权利要求1所述的受光元件，
其中，所述像素间分离部在所述深度方向上穿透所述半导体层。


3.根据权利要求1所述的受光元件，
其中，所述半导体层还包括：
第一附加电容器；
第一开关晶体管，所述第一开关晶体管将所述第一附加电容器连接到所述第一电荷存储部；
第二附加电容器；以及
第二开关晶体管，所述第二开关晶体管将所述第二附加电容器连接到所述第二电荷存储部。


4.根据权利要求3所述的受光元件，
其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蛯子芳树，闺宏司，佐野拓也，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP