深度感测器元件制造技术

本发明专利技术为一种深度感测器元件，其于基板的感光区域中形成有感光栅极，该感光栅极的两相对侧分别间隔形成有一第一及第二传送栅极，又该基板上对应该第一及第二传送栅极的外侧分别间隔形成有一第一及第二浮接掺杂区，基板上形成有半导体区，半导体区上形成有轻掺杂区，感光栅极、第一及第二传送栅极、第一及第二浮接掺杂区下方共用该轻掺杂区，该轻掺杂区的杂质与该半导体区的杂质极性相异，该轻掺杂区的杂质与该第一及第二浮接掺杂区的杂质极性相同，藉由轻掺杂区的设置，来影响当施予驱动信号时对多数载子在表层的深度位置，则影响多数载子在感光栅极中移动的线性表现，进而达到加快感测反应速率的目的。

Depth sensor element

【技术实现步骤摘要】
深度感测器元件
本专利技术关于一种深度感测器元件，尤指一种互补式金氧半导体深度感测器元件。
技术介绍
随着科技的进步，电子产品日新月异，对电子产品的输入方式也随之进步。由传统式的实体按键输入，演进到虚拟的触控面板输入，近期更发展出非接触式的输入方式，使用者无须接触电子装置，电子装置通过非接触式的感测器来侦测使用者于空中操作的手势，加以辨识后执行相对应的指令。尤其对于具有扩增实境(AugmentedReality,AR)功能的设备而言，使用非接触式的输入可使得输入更加直觉化，使用上可更加便利。而针对非接触式的输入，现有技术中可采用一种深度感测器元件来加以感测，然而，现有技术的深度感测器元件的半导体结构中，多数载子的传送速度慢，因此，目前深度感测器元件的半导体结构不利于高速影像感测器发展，故有必要进一步改良之。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术针对现有技术的深度感测器元件加以改良，以提供较快速的感测反应速率。为达到上述的专利技术目的，本专利技术所采用的技术手段为一种深度感测器元件，包括：r>一基板，包含有一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深度感测器元件，其特征在于，包括：/n一基板，包含有一感光区域，该基板形成有一半导体区；/n一感光栅极，形成于该半导体区上，并对应该感光区域且具有一第一侧及一第二侧；/n一第一传送栅极，形成于该半导体区上并具有一第一侧及一第二侧，且该第一传送栅极的第二侧相邻于该感光栅极的第一侧，并与其保持一第一间隙；/n一第二传送栅极，形成于该半导体区上并具有一第一侧及一第二侧，且该第二传送栅极的第一侧相邻于该感光栅极的第二侧，并与其保持一第二间隙；/n一轻掺杂区，形成于该基板的半导体区中，并相对位于该感光栅极、该第一传送栅极及该第二传送栅极下；/n一第一浮接掺杂区，形成于该轻掺杂区中，该第一浮接掺杂...

【技术特征摘要】
20180719 TW 1071250151.一种深度感测器元件，其特征在于，包括：
一基板，包含有一感光区域，该基板形成有一半导体区；
一感光栅极，形成于该半导体区上，并对应该感光区域且具有一第一侧及一第二侧；
一第一传送栅极，形成于该半导体区上并具有一第一侧及一第二侧，且该第一传送栅极的第二侧相邻于该感光栅极的第一侧，并与其保持一第一间隙；
一第二传送栅极，形成于该半导体区上并具有一第一侧及一第二侧，且该第二传送栅极的第一侧相邻于该感光栅极的第二侧，并与其保持一第二间隙；
一轻掺杂区，形成于该基板的半导体区中，并相对位于该感光栅极、该第一传送栅极及该第二传送栅极下；
一第一浮接掺杂区，形成于该轻掺杂区中，该第一浮接掺杂区的一侧对应连接导通该第一传送栅极的第一侧，以作为一第一传送节点；以及
一第二浮接掺杂区，形成于该该轻掺杂区中，该第二浮接掺杂区的一侧对应连接导通该第二传送栅极的第二侧，以作为第二传送节点；
其中该感光栅极、第一传送栅极及第二传送栅极共同对应到相同的轻掺杂区，该轻掺杂区的杂质与该第一及第二浮接掺杂区的杂质极性相同，且该轻掺杂区的杂质与该半导体区的杂质极性相异。


2.如权利要求1所述的深度感测器元件，其特征在于，进一步包含：
一第一重置晶体管，其包含有一第一栅极及一第一漏/源极掺杂区，该第一栅极的二侧分别对应连接导通该第一浮接掺杂区及该第一漏/源极掺杂区；
一第二重置晶体管，其包含有一第二栅极及一第二漏/源极掺杂区，该第二栅极的二侧分别对应连接导通该第二浮接掺杂区及该第二漏/源极掺杂区；
一第一沟渠绝缘区，该第一漏/源极掺杂区的二侧分别对应该第一栅极及该第一沟渠绝缘区；及
一第二沟渠绝缘区，该第二漏/源极掺杂区的二侧分别对应该第二栅极及该第二沟渠绝缘区；其中该第一及第二漏/源极掺杂区的杂质极性与该半导体区的杂质极性相...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴高彬，张鸿德，
申请(专利权)人：义明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71