【技术实现步骤摘要】
图像传感器本申请是申请号为201821013097.X，申请日为2018年6月28日，专利技术创造性名称为“图像传感器”的技术专利申请的分案申请。
本申请各方面整体涉及图像传感器。更具体的实施方式涉及包含电容器的堆叠式图像传感器。
技术介绍
图像传感器通过响应于入射电磁辐射传送信号来传达与图像有关的信息。图像传感器用于多种设备中，包括智能电话、数码相机、夜视设备、医疗成像器和许多其他设备。基于具体的入射电磁辐射，不同的图像传感器需要不同的动态范围容量。
技术实现思路
图像传感器的实施方式可包括第一管芯，该第一管芯包括图像传感器阵列和第一多个互连件。该图像传感器阵列也可包括第二管芯，该第二管芯包括第二多个互连件和多个电容器，每个电容器选自由深沟槽电容器、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)电容器和3D堆叠式电容器构成的组。第一管芯可通过第一多个互连件且通过第二多个互连件耦接到第二管芯。图像传感器的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任何一者：所述图像传感...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：/n第一管芯，所述第一管芯包括图像传感器阵列和多个第一互连件；以及/n第二管芯，所述第二管芯包括多个第二互连件和多个电容器，每个电容器选自由深沟槽电容器、金属-绝缘体-金属电容器、多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器和3D堆叠式电容器构成的组；/n其中所述第一管芯通过所述多个第一互连件且通过所述多个第二互连件耦接到所述第二管芯；以及/n其中每个电容器包括至少100fF的总电容，并且具有至少25fF/μm
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
第一管芯，所述第一管芯包括图像传感器阵列和多个第一互连件；以及
第二管芯，所述第二管芯包括多个第二互连件和多个电容器，每个电容器选自由深沟槽电容器、金属-绝缘体-金属电容器、多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器和3D堆叠式电容器构成的组；
其中所述第一管芯通过所述多个第一互连件且通过所述多个第二互连件耦接到所述第二管芯；以及
其中每个电容器包括至少100fF的总电容，并且具有至少25fF/μm2的密度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器阵列包括多个光电二极管，所述多个光电二极管中的每个光电二极管电耦接到所述多个电容器中的仅一个电容器。
3.一种图像传感器，其特征在于，包括：
光电二极管管芯，所述光电二极管管芯包括图像传感器阵列；
像素设备管芯，所述像素设备管芯包括第一侧和第二侧，所述第一侧接合到所述光电二极管管芯，所述像素设备管芯包括从由深沟槽电容器、金属-绝缘体-金属电容器、多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器和3D堆叠式电容器构成的组选择中的多个电容器；以及
数字信号处理器管芯，所述数字信号处理器管芯接合到所述像素设备管芯的所述第二侧；
其中硅通孔将所述像素设备管芯与所述数字信号处理器管芯电耦接，并且
其中所述多个电容器中的每个电容器具有至少25fF/μm2的密度。
技术研发人员：杰弗里·P·甘比诺，安赫尔·罗德里格斯，大卫·T·普赖斯，杰弗里·艾伦·尼尔斯，肯尼思·安德鲁·贝茨，R·莫里兹森，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
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