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本发明为一种深度感测器元件，其于基板的感光区域中形成有感光栅极，该感光栅极的两相对侧分别间隔形成有一第一及第二传送栅极，又该基板上对应该第一及第二传送栅极的外侧分别间隔形成有一第一及第二浮接掺杂区，基板上形成有半导体区，半导体区上形成有轻掺...
该专利属于义明科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过义明科技股份有限公司授权不得商用。

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