显示面板及显示装置制造方法及图纸

本揭示提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底基板、薄膜晶体管器件层、钝化层以及导电膜层，导电膜层通过第一过孔与薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的栅极电连接，导电膜层与薄膜晶体管的源/漏极相对应的区域至少部分重叠并用以形成第一电容结构，同时薄膜晶体管的源/漏极与薄膜晶体管的栅极相对应的重叠区域形成第二电容，第一电容与第二电容形成并联结构，从而提升了驱动电路中的升压电容的电容值，压缩了驱动电路的设计空间，实现窄边框产品的设计。

Display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本揭示涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
在液晶显示器不断向着低成本高品质方向发展的背景下，阵列基板行驱动(GateDriverOnArray，GOA)技术以其低成本和高集成度等优点得到了广泛的应用。显示面板中包括多个GOA驱动电路，在典型的GOA电路中，如时钟信号(CK)线上第二列第一个(T21)TFT分别连接时钟信号和像素的栅极(Gate)线，电路在工作时，往往会在T21的栅极和源极(Source)之间增加一个电容，即升压(Boost)电容，当GOA电路在输出时，由于耦合的作用，Boost电容会使T21的Gate的电位进一步的升高，从而提升了电路的输出能力。但是，一般的Boost电容值比较大，在电路设计时，Boost电容会占用很大的空间，使得GOA区域的宽度难以压缩，这样对窄边框产品的设计是非常不利的，也不利于产品成本的控制。综上所述，现有的GOA电路中，存在着Boost电容所占据的设计空间较大，GOA区域的宽度难以压缩，不利于窄边框产品的设计，并且生产成本高等问题。
技术实现思路
本揭示提供一种显示面板及显示装置，以解决现有的GOA电路中，GOA区域较宽难以压缩，Boost电容所占据的设计空间较大，产品生产成本高等问题。为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板，包括：衬底基板；薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底基板上；>钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管器件层上；以及导电膜层，所述导电膜层设置在所述钝化层上；其中，所述导电膜层通过第一过孔与所述薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的栅极电连接，所述导电膜层与所述薄膜晶体管的源/漏极相对应的区域至少部分重叠并用以形成第一电容结构。根据本揭示一实施例，所述第一过孔位于所述薄膜晶体管源极的一侧，所述第一过孔贯穿所述薄膜晶体管器件层和所述钝化层。根据本揭示一实施例，所述导电膜层完全覆盖所述钝化层。根据本揭示一实施例，所述导电膜层设置在所述钝化层上并覆盖部分所述薄膜晶体管的源极。根据本揭示一实施例，所述显示面板还包括第二电容，所述薄膜晶体管的源/漏极与所述薄膜晶体管的栅极相对应的重叠区域形成所述第二电容。根据本揭示一实施例，所述第一电容与所述第二电容并联设置。根据本揭示一实施例，所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值。根据本揭示一实施例，所述导电膜层为像素电极膜层。根据本揭示一实施例，所述钝化层的厚度为根据本揭示的第二方面，还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本揭示提供的显示面板。综上所述，本揭示实施例的有益效果为：本揭示提供一种新的薄膜晶体管及GOA驱动电路，通过在薄膜晶体管的结构中设置钝化层及氧化铟锡膜层，增加的钝化层及氧化铟锡膜层与其他膜层构成新的电容，使得GOA电路中的电容值进一步增大，进而将GOA区域的宽度进行压缩，减小其设计空间，实现窄边框产品的设计。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有设计的显示面板中的一级GOA电路的等效电路图；图2为图1中GOA电路图的部分平面设计图；图3为本揭示实施例的GOA电路的部分平面设计图；图4为图3中本揭示实施例的显示面板的截面结构示意图；图5为本揭示另一种实施例的GOA电路的部分平面设计图；图6为图5中本揭示另一种实施例的显示面板的截面结构示意图；图7为本揭示实施例的显示装置示意图。具体实施方式下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。在本揭示的实施例中，如图1所示，图1为现有设计中的显示面板的一级GOA电路的等效电路图。图中时钟信号线上第二列第一个(T21)薄膜晶体管是GOA电路输出中最重要的器件，根据图中T21的连接关系，T21的TFT的源极与时钟信号线相连接，T21的TFT的漏极与栅极扫描线G(n)相连接，同时，为了提升GOA电路的输出能力，会在T21的栅极和源极之间增加一个电容，即图中的升压(Boost)电容100，在电路工作时，由于耦合作用，升压电容100会使T21的栅极上的电位进一步升高，使得GOA的电路的输出能力提高。如图2所示，图2为图1中GOA电路的部分平面设计图。其中包括第一时钟信号线(CK1)201、栅极扫描线200以及薄膜晶体管区域中的T21薄膜晶体管203。第一时钟信号线201与薄膜晶体管的漏极相连接。同时，图2中还包括GOA区域202，一般情况下，GOA电路中的升压电容100的电容值Cboost比较大，为了满足升压电容100的电容值，在设计时，GOA区域202的宽度D就会设置的较宽，而宽度D的数值越大，占据的设计空间就越大，这样对于窄边框产品的设计时非常不利的，因此，在设计时，需要尽可能的提高升压电容100的电容值，升压电容100的电容越大，所对应在GOA区域中的宽度D就越小，当宽度D的数值越小，面板的边框也变得较小，最终实现显示面板的窄边框设计。本揭示提供一种薄膜晶体管，在不改变现有GOA电路结构设计图的条件下，通过改变显示面板内部的结构来提高所述升压电容100的电容值，达到减小GOA宽度的效果。如图3所示，图3为本揭示实施例GOA电路的部分平面设计图。GOA电路中包括第一时钟信号线(CK1)301、栅极扫描线300以及T21薄膜晶体管303，其中还包括GOA区域302和设置在GOA区域302内的导电膜层304，所述导电膜层304可为像素电极膜层，所述像素电极膜层为氧化铟锡膜。以及T21薄膜晶体管303的栅极层305，多晶硅层306，设置在多晶硅层306上的源极307。在本实施例中，通过在GOA区域302内设置导电膜层304，以此来增大图1中的升压电容100的电容值Cboost。具体的，如图4所示，图4为图3中对应的本揭示实施例的显示面板的截面结构示意图。显示面板的结构包括：衬底基板400，设置在衬底基板400之上的栅极401，设置在栅极401之上的栅极绝缘层402，设置在栅极绝缘层402之上的多晶硅层405，以及薄膜晶体管的漏极406、源极407、设置在漏极405与源极407之间的沟道408。所述源极407和所述漏极406具有相同的材质，薄膜晶体管的栅极401、源/漏极、栅极绝缘层402以及多晶硅层405共同构成了一薄膜晶体管器件层。所述显示面板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底基板上；/n钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管器件层上；以及/n导电膜层，所述导电膜层设置在所述钝化层上；/n其中，所述导电膜层通过第一过孔与所述薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的栅极电连接，所述导电膜层与所述薄膜晶体管的源/漏极相对应的区域至少部分重叠并用以形成第一电容结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述衬底基板上；
钝化层，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管器件层上；以及
导电膜层，所述导电膜层设置在所述钝化层上；
其中，所述导电膜层通过第一过孔与所述薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的栅极电连接，所述导电膜层与所述薄膜晶体管的源/漏极相对应的区域至少部分重叠并用以形成第一电容结构。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔位于所述薄膜晶体管源极的一侧，所述第一过孔贯穿所述薄膜晶体管器件层和所述钝化层。


3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电膜层完全覆盖所述钝化层。


4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜鹏，宋乔乔，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44