【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示面板制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及显示面板、显示面板制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是以透明玻璃为基材制成的一种具有多种功能薄膜层的场效应晶体管，它对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。TFT式显示屏是一类有源矩阵液晶显示设备，它的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管阵列来驱动，工艺上常使用薄膜晶体管阵列技术来改善画面品质，因而被广泛应用于手机、平板、电脑显示器、电视等电子显示设备中。顶栅型TFT是TFT类型中的一种，它具有短沟道的特点，使其工作时的开态电流可以得到有效提升。另外，顶栅型TFT的栅极与源漏极重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，因而可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。由于顶栅型TFT具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。目前顶栅型TFT大都采用具有高载流子迁移率的IGZO(铟镓锌氧化物)半导体做有源层。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板、以及显示面板制备方
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征包括：/n衬底基板，以及/n所述衬底基板上的遮光层和多个阵列排布的薄膜晶体管；/n所述遮光层由多个遮光单元构成,每个所述遮光单元与所述薄膜晶体管一一对应，位于所述薄膜晶体管靠近所述衬底基板的方向一侧；/n在所述衬底基板远离所述遮光层方向上设置有缓冲层；/n所述薄膜晶体管包括在远离所述缓冲层方向上依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极层；/n所述有源层包括所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影非交叠的导体化区，以及所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影交叠的沟道区；/n所述源漏极层包括第一电极和第二电极；/n所述遮光单元包括...
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征包括：
衬底基板，以及
所述衬底基板上的遮光层和多个阵列排布的薄膜晶体管；
所述遮光层由多个遮光单元构成,每个所述遮光单元与所述薄膜晶体管一一对应，位于所述薄膜晶体管靠近所述衬底基板的方向一侧；
在所述衬底基板远离所述遮光层方向上设置有缓冲层；
所述薄膜晶体管包括在远离所述缓冲层方向上依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极层；
所述有源层包括所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影非交叠的导体化区，以及所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影交叠的沟道区；
所述源漏极层包括第一电极和第二电极；
所述遮光单元包括第一遮光区和第二遮光区，所述第二遮光区包围所述第一遮光区设置；
所述沟道区在衬底基板的投影位于所述第二遮光区在所述衬底基板的投影之内；
所述薄膜晶体管朝着远离所述衬底基板的方向上依次设置有钝化层和阳极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述层间绝缘层包括第一过孔和第二过孔；
所述第一遮光区与所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域；
所述第二遮光区与所述第二过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第一电极至少一部分位于在所述第一过孔内；所述第一遮光区与所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域完全重叠，通过所述第一过孔与所述第一电极相接触。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第二电极至少一部分位于在所述第二过孔内；所述第二遮光区位于所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域外，通过所述第二过孔与所述第二电极相接触。
5.根据权利要求1～2所述的显示面板，其中，在所述遮光单元内，所述第一遮光区与所述第二遮光区通过缝隙相互隔离，互不连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述缝隙在所述衬底基板上的投影完全落在所述沟道区在所述衬底基板上的投影区域外。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一遮光区与所述第二遮光区材料包括铝、钼或铝钼铌合金等金属导电材料，厚度为0.20～0.25um。
8.根据权利要求1～2所述的显示面板，其中，所述第一遮光区与所述第二遮光区为一体无缝连接。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一遮光区为绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，刘军，王庆贺，程磊磊，胡迎宾，周斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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