一种化合物及包含其的有机电致发光器件、电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种化合物及包含其的有机电致发光器件、电子设备，所述化合物具有如式I所示结构，可用于有机电致发光器件的空穴传输材料，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括空穴传输层。本发明专利技术提供的化合物具有较浅的LUMO、合适的HOMO能级和较高的三线态能级E

A compound and organic electroluminescent devices and electronic devices containing it

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及包含其的有机电致发光器件、电子设备
本专利技术属于有机电致发光材料
，具体涉及一种化合物及包含其的有机电致发光器件、电子设备。
技术介绍
近年来，有机电致发光器件(OLED)迅速成为人们的研究热点，并具有极大的潜力替代主流的液晶显示器，成为显示领域的明星技术。显示领域日益增长的需求也带动了OLED器件结构以及有机光电类材料的飞速发展，具体表现为具有新的结构、官能团以及取代基的化合物及材料不断涌现，同时OLED器件结构被不断优化，从初始的三明治结构逐渐发展为多种功能层构成的复杂结构。在OLED器件的设计中，能级匹配至关重要，以经典的有机电致发光器件为例，其层叠结构包括阴极、阳极和位于阴极和阳极之间的有机膜层，有机膜层中包含发光层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层以及电子注入层。目前，手机消费品等中小尺寸OLED屏大多采用R、G、B子像素显示方式，为了提高生产良率，往往会将一些功能层设计为公共层，这样就可以少采用精细金属遮罩(FFM)，其中，空穴传输层经常采用公共层。现有技术中已经公开了多种可作为空穴传输层材料的有机化合物，并实现了产业化应用。例如EP0721935A1公开了一种可用于OLED器件空穴传输层的化合物，该化合物的分子结构为其纵向迁移率较高，横向的迁移率不会很高，不会出现像素间的串扰(Crosstalk)；但是该化合物的溶解性欠佳，三线态较低。CN103108859A公开了用于有机电致发光器件的材料，所述材料的代表性化合物为该化合物具有较好的溶解性能，同时迁移率较高；但是其过快的迁移率会导致横向漏电流，形成串扰，影响器件的发光性能。随着有机电致发光器件的进一步发展，人们逐渐发现，空虚传输层的基本作用是提高空穴在器件中的传输速率，并有效将电子阻挡在发光层内，实现载流子的最大复合，同时降低空穴在注入过程中的能量势垒，提高空穴的注入效率。然而，现有的空穴传输材料技术存在以下五个问题：第一，材料溶解性不好，会导致量产时的蒸镀掩膜板(Mask)清洗效果不好；第二，材料的迁移率较慢，会导致器件的整体电压偏高；第三，材料的迁移率过快，尤其是材料横向迁移率过快，导致相邻像素的串扰；第四，材料的LUMO能级太深，不能有效地阻挡可能越过发光层的电子迁移；第五，材料的三线态能级较低，不能同时有效实现RGB三色中空穴的传输，增加Mask的数量，提升工艺难度。因此，开发具有合适的迁移率、溶解性以及能级特性的空穴传输材料，是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
为了开发具有合适的迁移率、溶解性以及能级特性的空穴传输材料，本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物具有如式I所示结构：式I中，Ar选自取代或未取代的C6～C18芳基、取代或未取代的C6～C18杂芳基中的任意一种。其中，所述C6～C18可以是C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17或C18。式I中，L选自取代或未取代的C1～C20直链或支链亚烷基、取代或未取代的C6～C40亚芳基、取代或未取代的C3～C40亚杂芳基中的任意一种。式I中，R1、R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C3～C40杂芳基中的任意一种；R1、R2之间的虚弧线表示R1、R2彼此不连接或连接成环，下文涉及到相同的表述(R1、R2之间的虚弧线)时，具有相同的意义。式I中，R3、R4各自独立地选自C1～C20直链或支链烷基、C3～C20环烷基、C6～C30芳烃基、C3～C30杂芳烃基中的任意一种。其中，所述C1～C20可以是C2、C4、C6、C8、C10、C13、C15、C17或C19等。所述C6～C40可以是C7、C8、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C28、C30、C33、C35、C37或C39等。所述C3～C40可以是C4、C5、C6、C8、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C28、C30、C33、C35、C37或C39等。所述C3～C20可以是C4、C5、C6、C8、C10、C13、C15、C17或C19等。所述C6～C30可以是C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等。所述C3～C30可以是C4、C5、C6、C8、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等。所述“R1、R2彼此不连接或连接成环”意指R1、R2可以彼此不连接，或者R1、R2通过化学键相互连接成环，本专利技术对具体的连接成环方式不做限定。下文涉及到相同的描述时，具有相同的意义。式I中，m为1～3的整数，例如1、2或3；且当m为2或3时，R1相同或不同，R2相同或不同，R3相同或不同，R4相同或不同，L相同或不同。式I中，n为0或1。本专利技术的目的之二在于提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括空穴传输层；所述空穴传输层包括如上所述的化合物。本专利技术的目的之三在于提供一种电子设备，所述电子设备包括如上所述的有机电致发光器件。相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的化合物中含有芳基并吡咯的特殊结构，具有较浅的LUMO和合适的HOMO能级，可以有效的提升空穴的传输能力，有效阻挡电子的跃迁；所述化合物具有较高的三线态能级ET，可以有效阻挡激子的传输，将激子限制在发光层中，提升空穴的传输；同时具有高的电子迁移率、优异的热稳定性和薄膜稳定性。本专利技术提供的化合物作为有机电致发光器件的空穴传输材料，使材料具有良好的溶解性、合适的迁移率，有效地避免像素之间的串扰，利于提升发光效率和器件寿命。附图说明图1为本专利技术提供的有机电致发光器件的结构示意图，其中101为阳极，102为阴极，103为发光层，104为第一有机薄膜层，105为第二有机薄膜层，104中包括空穴传输层。具体实施方式下面通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物具有如式I所示结构：式I中，Ar选自取代或未取代的C6～C18芳基、取代或未取代的C6～C18杂芳基中的任意一种。其中，所述C6～C18可以是C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17或C18。式I中，L选自取代或未取代的C1～C20直链或支链亚烷基、取代或未取代的C6～C40亚芳基、取代或未取代的C3～C40亚杂芳基中的任意一种。式I中，R1、R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C3～C40杂芳基中的任意一种；R1、R2之间的虚弧线表示R1、R2彼此不连接或连接成环，下文涉及到相同的表述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有如式I所示结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有如式I所示结构：



其中，Ar选自取代或未取代的C6～C18芳基、取代或未取代的C6～C18杂芳基中的任意一种；
L选自取代或未取代的C1～C20直链或支链亚烷基、取代或未取代的C6～C40亚芳基、取代或未取代的C3～C40亚杂芳基中的任意一种；
R1、R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C3～C40杂芳基中的任意一种，R1、R2之间的虚弧线表示R1、R2彼此不连接或连接成环；
R3、R4各自独立地选自C1～C20直链或支链烷基、C3～C20环烷基、C6～C30芳烃基、C3～C30杂芳烃基中的任意一种；
m为1～3的整数；且当m为2或3时，R1相同或不同，R2相同或不同，R3相同或不同，R4相同或不同，L相同或不同；
n为0或1。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述取代的芳基、取代的杂芳基、取代的亚烷基、取代的亚芳基、取代的亚杂芳基中的取代基选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C20芳基、C3～C20杂芳基或氰基中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar为取代或未取代的C6～C18芳基；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C20芳基、C3～C20杂芳基或氰基中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基中的任意一种；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C20芳基、C3～C20杂芳基或氰基中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述m为2或3。


6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有如式II-1～式II-12任意一种所示结构：




其中，R1、R2、R3、R4、L各自独立地具有与权利要求1相同的限定范围；
n为0或1。


7.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述n为1。


8.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述L选自取代或未取代的C6～C20亚芳基、取代或未取代的C3～C20亚杂芳基中的任意一种；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自C1～C10直链或支链烷基、C6～C20芳基或氰基中的至少一种。


9.根据权利要求8所述的化合物，其特征在于，所述L选自如下基...

【专利技术属性】
技术研发人员：代文朋，高威，牛晶华，张磊，肖文静，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31