OPC方法技术

本发明专利技术揭示了一种OPC方法，本发明专利技术提供的OPC方法包括：提供待优化结构，包括第一模块和第二模块，分别具有相邻且朝向的第一边界和第二边界；测量第一模块的第一边界和第二模块的第二边界之间的最小间距，若所述最小间距小于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界距离所述第一模块的第一边界最小间距处的位置计算EPE作为所述第二模块的第二边界的EPE。由此，本发明专利技术的OPC方法可以有效的确保通孔的关键尺寸处于正常状态，同时避免桥接缺陷产生。

OPC method

【技术实现步骤摘要】
OPC方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种OPC方法。
技术介绍
集成电路的生产制造是一个非常复杂的过程，其中，光刻技术是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要动力，光刻技术的强大与否直接决定着芯片的性能。光刻工艺通常是将需要制造的电路结构设计在掩膜版上，之后通过光刻机台将掩膜版上的电路结构放大，复制到硅片上。但是，由于光波的性质和实际投影曝光系统的问题，会有衍射受限或者成像系统的非线性滤波造成严重的能量损失，即光学近似效应(OpticalProximityEffect，OPE)，从而不可避免的就会使得在将电路结构放大复制的过程中，会产生失真，尤其是对于180微米以下工艺阶段，这种失真的影响将非常巨大，完全能够让整个制程失败。为了避免这种情况发生，业界采用光学近似修正(OpticalProximityCorrection，OPC)方法，对电路结构进行预先的修正，使得修正后能够补偿OPE效应所带来的缺失部分。OPC过程中通常涉及对各式各样的且相互之间可能产生影响的图形及单元的处理，如何使得相关图形及单元之间不受彼此影响，引起业界的注意。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OPC方法以及OPC修正方法，较好的实现EUV/DUV光刻，避免桥接缺陷产生。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种OPC方法，包括：提供待优化结构，包括第一模块和第二模块，分别具有相邻且朝向的第一边界和第二边界；测量第一模块的第一边界和第二模块的第二边界之间的最小间距，若所述最小间距小于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界距离所述第一模块的第一边界最小间距处的位置计算EPE作为所述第二模块的第二边界的EPE。可选的，对于所述的OPC方法，若所述最小间距大于等于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界的多个选择点处的EPE的均值作为所述第二模块的第二边界的EPE。可选的，对于所述的OPC方法，所述第一模块为栅极结构，所述第二模块为通孔结构。可选的，对于所述的OPC方法，所述第一模块和所述第二模块皆呈矩形，所述第一模块的长度大于所述第二模块的长度，且所述第一模块和所述第二模块在长度方向的边相面对。可选的，对于所述的OPC方法，至少一个所述第二模块位于相邻两个所述第一模块之间。可选的，对于所述的OPC方法，所述第二模块在宽度方向的边的EPE为所述第二模块的宽度方向的边的多个选择点处的EPE的均值。可选的，对于所述的OPC方法，EPE计算方法包括：在所述第二模块中设置一圆滑图形；将所述第二模块的边界按照所述第二边界划分为多个部分；在每个部分中分别设置至少一个选择点；以及在每个选择点处沿所述第二模块中心方向插入辅助模块，所述第二模块的边界与所述圆滑图形之间的所述辅助模块的长度作为对应的选择点处的EPE。可选的，对于所述的OPC方法，若所述最小间距小于第一设定值，则在所述第二模块的第二边界中设置1个选择点，且该选择点距离所述圆滑图形最近。可选的，对于所述的OPC方法，所述第一设定值为小于等于15nm。可选的，对于所述的OPC方法，所述待优化结构还包括第三模块，所述第二模块和所述第三模块分别具有相邻且朝向的第三边界和第四边界，若所述第三模块的第四边界和第二模块的第三边界之间的最小间距小于第二设定值，则选定所述第二模块的第三边界距离所述第三模块的第四边界最小间距处的位置计算EPE作为所述第二模块的第三边界的EPE。可选的，对于所述的OPC方法，所述第一模块、所述第二模块和所述第三模块皆呈矩形，所述第一模块的长度大于所述第二模块的长度和所述第三模块的长度，且所述第一模块和所述第二模块在长度方向的边相面对，所述第一模块和所述第三模块在长度方向的边相面对。可选的，对于所述的OPC方法，所述第二设定值为小于等于15nm。本专利技术提供的OPC方法中，所述OPC方法包括：提供待优化结构，包括第一模块和第二模块，分别具有相邻且朝向的第一边界和第二边界；测量第一模块的第一边界和第二模块的第二边界之间的最小间距，若所述最小间距小于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界距离所述第一模块的第一边界最小间距处的位置计算EPE作为所述第二模块的第二边界的EPE。由此，本专利技术的OPC方法可以有效的确保通孔的关键尺寸处于正常状态，同时避免桥接缺陷产生。进一步的，若所述最小间距大于等于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界的多个选择点处的EPE的均值作为所述第二模块的第二边界的EPE。这样，可以进一步确保通孔的关键尺寸更合理。附图说明图1为一种OPC方法的示意图；图2为图1中对通孔进行OPC处理的示意图；图3为图1中OPC方法所致通孔异常的示意图；图4为本专利技术一个实施例中OPC方法的流程示意图；图5为本专利技术一个实施例中测量第一模块和第二模块之间的最小间距的示意图；图6为本专利技术一个实施例中最小间距小于第一设定值时进行的EPE计算的示意图；图7为本专利技术一个实施例中一个选择点的EPE的测量示意图；图8为本专利技术一个实施例中最小间距大于等于第一设定值时进行的EPE计算的示意图；图9为本专利技术一个实施例中还包括第三模块的待优化结构的示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的OPC方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。随着技术节点的不断缩小，OPC过程面临着愈发严峻的挑战，例如如何确保图形之间的关键尺寸，就是一个重要研究方向。图1示出了一种OPC过程的图形分布情况，包括第一模块1，第二模块2，例如，所述第一模块1可以是栅极结构，所述第二模块2可以是通孔结构。通常，在设计图形中，通孔结构为方形，考虑到光学效应，如图1中所示的第二模块2将在OPC后转变为圆滑图案3，例如是圆形，椭圆形，或者近似圆形等。如图2示出了对第二模块2(即通孔)的OPC处理过程，包括：在所述第二模块2中设置一圆滑图形6；将第二模块2分为4个部分，具体的，可以是每个边作为一个部分。在每个部分中分别设置至少一个选择点；在每个选择点处沿所述第二模块2中心方向插入辅助模块4、5，所述第二模块2的边界与所述圆滑图形6之间的所述辅助模块4、5的长度作为对应的选择点处的EPE；以及将每个部分的各个选择点处的EPE进行统计，即可获得每部分的EPE。进一步的，考虑到每部分不同位置处的选择点所插入的辅助模块4、5在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OPC方法，其特征在于，包括：/n提供待优化结构，包括第一模块和第二模块，分别具有相邻且朝向的第一边界和第二边界；/n测量第一模块的第一边界和第二模块的第二边界之间的最小间距，若所述最小间距小于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界距离所述第一模块的第一边界最小间距处的位置计算EPE作为所述第二模块的第二边界的EPE。/n

【技术特征摘要】
1.一种OPC方法，其特征在于，包括：
提供待优化结构，包括第一模块和第二模块，分别具有相邻且朝向的第一边界和第二边界；
测量第一模块的第一边界和第二模块的第二边界之间的最小间距，若所述最小间距小于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界距离所述第一模块的第一边界最小间距处的位置计算EPE作为所述第二模块的第二边界的EPE。


2.如权利要求1所述的OPC方法，其特征在于，若所述最小间距大于等于第一设定值，则选定所述第二模块的第二边界的多个选择点处的EPE的均值作为所述第二模块的第二边界的EPE。


3.如权利要求1或2所述的OPC方法，其特征在于，所述第一模块为栅极结构，所述第二模块为通孔结构。


4.如权利要求1或2所述的OPC方法，其特征在于，所述第一模块和所述第二模块皆呈矩形，所述第一模块的长度大于所述第二模块的长度，且所述第一模块和所述第二模块在长度方向的边相面对。


5.如权利要求4所述的OPC方法，其特征在于，至少一个所述第二模块位于相邻两个所述第一模块之间。


6.如权利要求5所述的OPC方法，其特征在于，所述第二模块在宽度方向的边的EPE为所述第二模块的宽度方向的边的多个选择点处的EPE的均值。


7.如权利要求4所述的OPC方法，其特征在于，EPE计算方法包括：
在所述第二模块中设置一圆滑图形；

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，张婉娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31