光学近似修正方法技术

本发明专利技术揭示了一种OPC方法，本发明专利技术提供的OPC方法包括：提供多个参考结构，所述多个参考结构的宽度不同；对每个参考结构的端部进行样条建模，分别获得各自的第一目标曲线；利用第一目标曲线进行曝光模拟，得到模拟曝光图形，并由所述模拟曝光图形的轮廓定义出第二目标曲线；提供待优化结构，在所述待优化结构的端部引入所述第二目标曲线；以及依据所述第二目标曲线计算所述待优化结构的端部的EPE。由此，本发明专利技术的OPC方法能够有效的确保待优化结构的端部EPE的可靠性，从而有助于提高OPC精度，并且适用性广范，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
光学近似修正方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种光学近似修正(OPC)方法。
技术介绍
集成电路的生产制造是一个非常复杂的过程，其中，光刻技术是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要动力，光刻技术的强大与否直接决定着芯片的性能。光刻工艺通常是将需要制造的电路结构设计在掩膜版上，之后通过光刻机台将掩膜版上的电路结构放大，复制到硅片上。但是，由于光波的性质和实际投影曝光系统的问题，会有衍射受限或者成像系统的非线性滤波造成严重的能量损失，即光学近似效应(OpticalProximityEffect，OPE)，从而不可避免的就会使得在将电路结构放大复制的过程中，会产生失真，尤其是对于180微米以下工艺阶段，这种失真的影响将非常巨大，完全能够让整个制程失败。为了避免这种情况发生，业界采用光学近似修正(OpticalProximityCorrection，OPC)方法，对电路结构进行预先的修正，使得修正后能够补偿OPE效应所带来的缺失部分。OPC过程中通常涉及对各式各样的且相互之间可能产生影响的图形及单元的处理，如何使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学近似修正方法，其特征在于，包括：/n提供多个参考结构，所述多个参考结构的宽度不同；/n对每个参考结构的端部进行样条建模，分别获得各自的第一目标曲线；/n利用第一目标曲线进行曝光模拟，得到模拟曝光图形，并由所述模拟曝光图形的轮廓定义出第二目标曲线；/n提供待优化结构，在所述待优化结构的端部引入所述第二目标曲线；以及/n依据所述第二目标曲线计算所述待优化结构的端部的EPE。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学近似修正方法，其特征在于，包括：
提供多个参考结构，所述多个参考结构的宽度不同；
对每个参考结构的端部进行样条建模，分别获得各自的第一目标曲线；
利用第一目标曲线进行曝光模拟，得到模拟曝光图形，并由所述模拟曝光图形的轮廓定义出第二目标曲线；
提供待优化结构，在所述待优化结构的端部引入所述第二目标曲线；以及
依据所述第二目标曲线计算所述待优化结构的端部的EPE。


2.如权利要求1所述的光学近似修正方法，其特征在于，所述矩形的宽度范围是30nm～100nm。


3.如权利要求2所述的光学近似修正方法，其特征在于，所述参考结构呈矩形，所述矩形的宽度包括45nm、50nm和60nm。


4.如权利要求1或2所述的光学近似修正方法，其特征在于，采用多次曲线进行所述样条建模。


5.如权利要求1或2所述的光学近似修正方法，其特征在于，所述待优化结构为矩形，所述第二目标曲线在所述待优化结构内部与所述待优化结构的短边相切，且所述第二目标曲线的两端分别与所述待优化结构的长边相接触。


6.如权利要求5所述的光学近似修正方法，其特征在于，依据所述第二目标曲线计算所述待优化结构的端部的EPE的步骤包括：
将引入所述第二目标曲线后的所述待优化结构的端部划分为多个段，所述多个段包括所述待优化...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31