【技术实现步骤摘要】
散射条添加方法
本申请涉及微电子版图数据光学修正领域,具体涉及一种散射条添加方法。
技术介绍
进入28nm及以下技术节点,由于图形特征尺寸越来越小,其所容许的尺寸误差范围也越小,对应的工艺条件浮动范围也越小,半导体光刻制程中微影成像的工艺窗口越来越受重视。然而工艺机台所能达到的控制工艺条件浮动范围并没有明显提高,因此提高图形转移过程中的所有图形的共同工艺窗口就尤为重要。在光学临近修正处理中,光学散射条(scatterbar)已经广泛应用于55nm及以下技术节点的关键层次出版过程中,光学散射条能够增加部分图形的微影工艺窗口,而光学散射条本身不会在硅片上成像,通过对部分工艺窗口偏小图形添加合适的光学散射条,改善局部的微影工艺窗口,提高所有图形的共同工艺窗口。目前普遍采用基于规则的散射条添加方法,然而受到散射条尺寸和间距的严格限制,部分区域无法在合适的位置添加所需要的散射条,造成散射条的添加结果无法达到最优。
技术实现思路
本申请提供了一种散射条添加方法,可以解决相关技术中在部分角落区域因散射条 ...
【技术保护点】
1.一种散射条添加方法,其特征在于,所述方法包括:/n获取目标图形;/n在所述目标图形的外侧添加k圈散射条,每圈散射条包括线条形散射条和种子散射条;k为正整数;/n根据散射条之间的最小间距和目标值限制性放大所述种子散射条;/n滤除线宽小于预定线宽的种子散射条,得到散射条添加图形,所述散射条添加图形包括所述线条形散射条和放大后的种子散射条;/n其中,所述种子散射条的每条边向外延伸的最大距离为(x-m)/2,m表示种子散射条的边长,x表示目标值,x>m。/n
【技术特征摘要】
1.一种散射条添加方法,其特征在于,所述方法包括:
获取目标图形;
在所述目标图形的外侧添加k圈散射条,每圈散射条包括线条形散射条和种子散射条;k为正整数;
根据散射条之间的最小间距和目标值限制性放大所述种子散射条;
滤除线宽小于预定线宽的种子散射条,得到散射条添加图形,所述散射条添加图形包括所述线条形散射条和放大后的种子散射条;
其中,所述种子散射条的每条边向外延伸的最大距离为(x-m)/2,m表示种子散射条的边长,x表示目标值,x>m。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述目标图形的外侧添加k圈散射条,包括:
以所述目标图形为中心,向外添加k圈散射条,每圈散射条中的线条形散射条与所述目标图形的边平行,每圈散射条中的种子散射条与所述目标图形的角相对;
其中,不同散射条圈中的种子散射条的边长不相等。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据散射条之间的最小间距和目标值限制性放大所述种子散射条,包括:
令所述第i圈散射条中第i种子散射条的每条边根据所述散射条之间的最小间距和所述目标值向外延伸;
令i=i+1,检测i是否大于k,若检测到i不大于k,则重新执行所述令所述第i圈散射条中第i种子散射条的每条边根据所述散射条之间的最小间距和所述目标值向外延伸的步骤;
其中,i的初始值为1;
...
【专利技术属性】
技术研发人员:何大权,陈翰,张辰明,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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