空白掩模和光掩模制造技术

本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。

Blank mask and photomask

【技术实现步骤摘要】
空白掩模和光掩模相关申请的交叉引用本申请要求来自2018年7月13日在韩国知识产权局申请的第10-2018-0081353号和2018年8月13日在韩国知识产权局申请的第10-2018-0094127号韩国专利申请的优先权，所述申请的公开以引用的方式并入本文中。
本申请涉及一种空白掩模(blankmask)和一种光掩模(photomask)以及制造其的方法，且更特定地说，涉及一种空白掩模和一种光掩模以及制造其的方法，其中提供一种硬掩模膜(hardmaskfilm)以供制造呈32纳米或32纳米以下(特定来说14纳米或14纳米以下)类别的半导体装置。
技术介绍
当今，高水平半导体微型制造技术已变得非常重要以符合因大规模集成电路的高度集成所致的电路图案小型化的需求。在高度集成电路的情况下，对因集成所致的电路布置或类似物、用于层间连接的接触孔图案(contactholepattern)以及针对高速操作和低功耗的电路布线小型化的技术需求已增加。为了满足这些需求，制造在其中记录初始电路图案的光掩模(photomask)时已需要用于将高分辨率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空白掩模，包括：/n透明衬底；/n遮光膜，设置在所述透明衬底上；以及/n硬掩模膜，设置在所述遮光膜上且包括铬以及一个或多个种类的金属。/n

【技术特征摘要】
20180713 KR 10-2018-0081353;20180813 KR 10-2018-001.一种空白掩模，包括：
透明衬底；
遮光膜，设置在所述透明衬底上；以及
硬掩模膜，设置在所述遮光膜上且包括铬以及一个或多个种类的金属。


2.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述金属包括在以下当中选出的一个或多个种类的金属：钼、钛、锆、钒、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、锗、铌、钌、铑、钯、银、镉、铟、锡、铪、钽、钨、锇、铱、铂、金、铝、镁、锂以及硒。


3.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜仅包括所述金属以及所述铬，或除所述金属以及所述铬外还包括在氧、碳以及氮当中的一个或多个种类的轻元素。


4.根据权利要求1所述的空白掩模，其中所述硬掩模膜仅包括钼铬，或除所述钼铬外还包括在氧、碳以及氮当中的一个或多个种类的轻元素。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：申澈，李锺华，梁澈圭，崔珉箕，
申请(专利权)人：思而施技术株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR