一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法制造方法及图纸

在本发明专利技术提供一种Micro Led巨量转移装置，其包括转移Micro LED的转移头、接收Micro LED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带Micro LED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙且Micro LED的侧壁由绝缘层包裹。本发明专利技术Micro Led巨量转移装置及其转移方法，通过绝缘层具有流动性，使在Micro Led巨量转移的过程中同时让绝缘层固定Micro Led，解决Micro Led偏移和侧壁保护的问题。

A huge transfer device of micro led and its transfer method

【技术实现步骤摘要】
一种MicroLed巨量转移装置及其转移方法
本专利技术涉及MicroLed的
，尤其涉及一种MicroLed巨量转移装置及其转移方法。
技术介绍
在MicroLED显示面板的制作过程中，巨量转移是关键步骤之一。目前采用转移头吸取MicroLED放置到接收电极的方法，会存在MicroLED偏移预定位置的现象。同时，垂直型MicroLED的侧壁需要被绝缘层保护以防止P侧和N侧短路。目前采用的方法是先转移LED后制备整面绝缘层，再去除LED表面的绝缘层。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种解决MicroLed偏移和侧壁保护的问题的及一种MicroLed巨量转移装置及其转移方法。本专利技术提供一种MicroLed巨量转移装置，其包括转移MicroLED的转移头、接收MicroLED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带MicroLED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与MicroLED之间的空隙且MicroLED的侧壁由绝缘层包裹。优选地，MicroLED固定在绝缘层后，MicroLED的顶端的绝缘层经所述转移头挤压形成凹槽。优选地，所述绝缘层采用光阻材料制成的。优选地，所述绝缘层采用正性光阻材料制成的。优选地，所述绝缘层采用负性光阻材料制成的。优选地，所述绝缘层的高度为H1,MicroLED的高度为H2，H1大于H2；绝缘层的外径为R1，转移头的外径为R2，R1大于R2；开孔的内径为r1，MicroLED的外径为r2。优选地，0＜H1-H2≤3um；3um＜R1-R2；0＜r1-r2≤3um。本专利技术还提供一种MicroLed巨量转移方法，包括如下步骤：S1：携带MicroLED的转移头向接收电极靠近；S2：MicroLED伸入开孔的过程中，转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与MicroLED之间的空隙内并把MicroLED的侧壁保护起来；S3：撤掉转移头。优选地，MicroLED固定在绝缘层后，MicroLED的顶端不会被绝缘层覆盖，MicroLED的顶端的绝缘层经所述转移头挤压形成凹槽。本专利技术MicroLed巨量转移装置及其转移方法，通过绝缘层具有流动性，使在MicroLed巨量转移的过程中同时让绝缘层固定MicroLed，解决MicroLed偏移和侧壁保护的问题。附图说明图1为本专利技术MicroLed巨量转移装置的结构示意图；图2为图1所示MicroLed巨量转移装置的俯视图；图3为本专利技术MicroLed巨量转移过程之一的示意图；图4为本专利技术MicroLed巨量转移过程之一的示意图；图5为本专利技术MicroLed巨量转移过程之一的示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。本专利技术MicroLed巨量转移装置及其转移方法，如图1和图2所示，转移装置包括转移MicroLED的转移头40、承载MicroLED的接收电极10、设置在接收电极10上绝缘层20以及位于接收电极10上且开设在绝缘层20上的开孔30，其中，接收电极10采用负极材料制成；绝缘层20在压力下具有流动性，绝缘层20可以是光阻材料，具体为正性光阻材料或负性光阻材料。绝缘层20通过曝光和显影形成开孔30。绝缘层20的高度为H1,MicroLED100的高度为H2，H1大于H2，优选地，0＜H1-H2≤3um；绝缘层20的外径为R1，转移头40的外径为R2，R1大于R2，优选地，3um＜R1-R2；开孔的内径为r1，MicroLED的外径为r2，优选地，0＜r1-r2≤3um。开孔30为MicroLED100预留的位置，绝缘层20较MicroLED100高出，转移头40在放下MicroLED100的同时挤压绝缘层20使其只包覆在MicroLED100的侧壁，MicroLED固定在绝缘层20内后，MicroLED100的顶端设有凹槽21。工作是，携带MicroLED的转移头40靠近接收电极10的同时挤压绝缘层20使绝缘层20发生形变，绝缘层20填充在开孔30与MicroLED100之间的空隙且MicroLED100的侧壁由绝缘层20包裹。MicroLED100固定在绝缘层20后，MicroLED100的顶端的绝缘层20经所述转移头40挤压形成凹槽21，即icroLED100的顶端为凹槽21。MicroLed巨量转移方法，包括如下步骤：S1：如图3所示，携带MicroLED100的转移头40向接收电极10靠近；S2：如图4所示，MicroLED100伸入开孔30的过程中，转移头40靠近接收电极10的同时挤压绝缘层20使绝缘层20发生形变，绝缘层20填充在开孔30与MicroLED100之间的空隙内并把MicroLED100的侧壁保护起来，同时MicroLED100的顶端不会被绝缘层20覆盖；S3：如图5所示，撤掉转移头40。针对步骤S2，MicroLED固定在绝缘层后，由于是转移头40在挤压绝缘层20，MicroLED的顶端不会被绝缘层覆盖，故在挤压绝缘层20的过程中，MicroLED100的顶端的绝缘层20经所述转移头40挤压形成凹槽21。本专利技术MicroLed巨量转移装置及其转移方法，通过绝缘层具有流动性，使在MicroLed巨量转移的过程中同时让绝缘层固定MicroLed，解决MicroLed偏移和侧壁保护的问题。以上详细描述了本专利技术的优选实施方式，但是本专利技术并不限于上述实施方式中的具体细节，在本专利技术的技术构思范围内，可以对本专利技术的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro Led巨量转移装置，其特征在于，其包括转移Micro LED的转移头、接收Micro LED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带Micro LED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙且MicroLED的侧壁由绝缘层包裹。/n

【技术特征摘要】
1.一种MicroLed巨量转移装置，其特征在于，其包括转移MicroLED的转移头、接收MicroLED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带MicroLED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与MicroLED之间的空隙且MicroLED的侧壁由绝缘层包裹。


2.根据权利要求1所述的MicroLed巨量转移装置，其特征在于，MicroLED固定在绝缘层后，MicroLED的顶端为凹槽。


3.根据权利要求1所述的MicroLed巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用光阻材料制成的。


4.根据权利要求3所述的MicroLed巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用正性光阻材料制成的。


5.根据权利要求3所述的MicroLed巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用负性光阻材料制成的。


6.根据权利要求1所述的MicroL...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐尚君，王鸣昕，黄洪涛，朱景辉，高威，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32