【技术实现步骤摘要】
带遮挡的溅射沉积装置及方法
技术介绍
本披露总体上涉及一种带遮挡的溅射沉积装置和用于沉积一种溅射导电材料的方法。“薄膜”光伏材料是指在一个供应结构支撑的衬底上作为一个层来沉积的多晶或非晶的光伏材料。薄膜光伏材料与单晶半导体材料的区别在于有着较高的制造成本。一些提供高转换效率的薄膜光伏材料包括含硫族元素化合物半导体材料，诸如铜铟镓硒(“CIGS”)。薄膜光伏电池(也称为光伏电池)可以使用基于溅射、蒸发或化学气相沉积(CVD)技术的卷对卷涂布系统来制造。薄箔衬底，诸如箔网衬底，由一个卷以线性带状方式供给，穿过一系列单独的真空室或一个单个分开的真空室(在这里薄箔衬底接收所需的层)以形成薄膜光伏电池。在这样的一种系统中，可以在一个卷上供应一个具有有限长度的箔。新卷的末端可以偶联到前一个卷的末端，以提供一个连续进给的箔层。概要根据不同的实施例，供了一种包括工艺模块的溅射沉积系统，该工艺模块包括：一个设置为接收一个移动衬底的真空外壳；一个设置在该真空外壳中的溅射靶，每个溅射靶包括一种靶材；以及一个设置在该衬底和相邻溅射靶间隙空间之间的...
【技术保护点】
1.一种溅射沉积系统，包括一个工艺模块，所述工艺模块包括：/n一个真空外壳，配置为接收一个移动衬底；/n多个溅射靶，设置在所述真空外壳中，每个所述溅射靶包括一种靶材；以及/n一个外部遮蔽件，设置在所述衬底和相邻溅射靶的间隙空间之间，所述外部遮蔽件构造为至少部分地阻挡溅射靶材间接沉积在所述衬底上，并且允许所述溅射靶材直接沉积在所述衬底上。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20180705 US 16/028,1651.一种溅射沉积系统，包括一个工艺模块，所述工艺模块包括：
一个真空外壳，配置为接收一个移动衬底；
多个溅射靶，设置在所述真空外壳中，每个所述溅射靶包括一种靶材；以及
一个外部遮蔽件，设置在所述衬底和相邻溅射靶的间隙空间之间，所述外部遮蔽件构造为至少部分地阻挡溅射靶材间接沉积在所述衬底上，并且允许所述溅射靶材直接沉积在所述衬底上。
2.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述外部遮蔽件包括多个孔，每个孔构造为将所述衬底的一部分直接暴露给一个相应的溅射靶。
3.如权利要求2所述的沉积系统，其中所述这些孔中的至少一个构造为使得与所述衬底的中央区域相比，所述衬底的相对的第一边缘区域和第二边缘区域暴露于更大量的间接沉积。
4.如权利要求2所述的沉积系统，其中所述这些孔中的至少一个构造为使得所述外部遮蔽件将所述衬底的相对的第一边缘区域和第二边缘区域暴露于来自所述这些溅射靶中至少一个的溅射靶材的间接沉积，并且实质上阻挡所述溅射靶材在所述衬底的中央区域上的全部间接沉积。
5.如权利要求2所述的沉积系统，其中
来自每个溅射靶的直接沉积的比率在所述溅射靶的中央区域是最高的，在所述溅射靶的相对的边缘区域是最低的；并且
所述外部遮蔽件构造为部分地阻挡所述间接沉积，使得所述间接沉积的比率在所述衬底的相对的边缘区域是最高的，在所述衬底的中央区域是最低的。
6.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述外部遮蔽件是电接地的或电浮置的，使得所述外部遮蔽件的极性与包括所述这些溅射靶中的磁控管的极性是不同的。
7.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述外部遮蔽件包括多个单独的遮蔽构件，这些遮蔽构件构造为至少部分地阻挡所述溅射靶材的间接沉积。
8.如权利要求7所述的沉积系统，其中所述这些遮蔽构件构造为阻挡相对较多的所述溅射靶材间接沉积在所述衬底的中央区域上，并且阻挡相对较少的所述溅射靶材间接沉积在所述衬底的相对的边缘区域上。
9.如权利要求7所述的沉积系统，其中每个所述遮蔽构件设置在所述衬底和相邻靶的间隙空间之间。
10.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述这些靶包括相同类型的靶材。
11.如权利要求10所述的沉积系统，其中所述靶材包括一种透明导电氧化物。
技术研发人员：蒂莫西·内格尔，托马斯·黑克尔，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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