一种多芯片封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片封装结构及其制备方法，上部分封装结构和下部分封装结构，下部分封装结构在基板的上部，上部分封装结构在下部分封装结构的上部；下部分封装结构主要用于放置引线较多的芯片，上部分封装结构主要用于放置相对于控制芯片较少引线的芯片，使得整个芯片中的多布线芯片和少布线芯片能够分开设置，进而整个芯片结构能够根据实际需要多放置芯片，塑封体表面布线，实现电源和部分信号的合并，减少基板承担的布线压力，增加芯片数量承载能力。同时也因为将芯片分为两层，使得该封装结构内部能够放置其他的器件，提高了整体封装结构集成度，同时第一塑封体能够保护在其内部塑封的埋入芯片，防止芯片因承担上层压力造成损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片封装结构及其制备方法
本专利技术属于多芯片封装
，具体涉及一种多芯片封装结构及其制备方法。
技术介绍
半导体芯片封装尤其是存储类芯片封装趋势是封装厚度薄，体积小，集成度高，对于超薄芯片封装，多芯片堆叠的可靠性和高集成度成为了封装的一大趋势，是这个行业技术人员的挑战。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种多芯片封装结构及其制备方法；该结构和制备方法用于提高芯片堆叠的可靠性和高集成度。为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：一种多芯片封装结构，包括基板，基板的上部固定设置有第一塑封体，第一塑封体的上部固定设置有第二塑封体；第一塑封体内部包裹有埋入芯片，埋入芯片和基板电连接；第二塑封体内部包裹有若干个上层芯片，每一个上层芯片分别和第一塑封体电连接。本专利技术的进一步改进在于：优选的，所述第一塑封体内部设置有第三导电体，第一塑封体的上表面铺设有塑封体上表面线路；塑封体上表面线路分别和第三导电体的上端及上层芯片电连接，第三导电体的下端和基板电连接。优选的，所述塑封体上表面线路在第一塑封体上表面有两个铺设位置，分别为第一位置和第二位置；第一位置处的塑封体上表面线路和第三导电体的上端电连接，第二位置处的塑封体上表面线路和上层芯片电连接；第一位置处的塑封体上表面线路和第二位置处的塑封体上表面线路连接。优选的，每一个上层芯片均通过单独的第三金属引线和塑封体上表面线路电连接；埋入芯片通过第一金属引线和基板电连接；每一个埋入芯片对应的第一金属引线的个数多于每一个上层芯片对应的第三金属引线的个数。优选的，第一塑封体内通过钻孔电镀形成填充有第三导电体的孔洞；塑封体上表面线路通过化学镀、电镀或喷涂加电镀设置在第一塑封体的上表面。优选的，所述若干个上层芯片堆叠设置，相邻上层芯片的边部错位设置；相邻的上层芯片之间通过第二金属引线电连接，相邻的上层芯片之间通过第二粘着层固定连接；最下部的上层芯片通过第二粘着层固定设置在第一塑封体的上表面。优选的，第一塑封体的上表面固定设置上层芯片的区域为第三位置，第三位置处铺设有塑封体上表面线路。优选的，第一塑封体内部包裹有器件，所述器件固定设置在基板上。优选的，埋入芯片通过第一粘着层固定设置在基板的上表面。一种多芯片封装结构的制备方法，包括以下步骤：(1)在基板的上表面固定设置埋入芯片，电连接埋入芯片和基板；(2)在基板的上表面设置第一塑封体，第一塑封体将埋入芯片包裹在其内部；(3)在第一塑封体的上表面固定设置若干个上层芯片，电连接每一个上层芯片和第一塑封体；(4)在第一塑封体的上表面设置第二塑封体，第二塑封体将所有的上层芯片包裹在其内部。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术公开了一种多芯片封装结构，该封装结构通过第一塑封体包裹上层芯片，第二塑封体包裹埋入芯片，使得基板、埋入芯片和上层芯片形成新的导电结构，且对应的形成新的布线结构。该结构为分层塑封的结构，将部分芯片埋入第一塑封体中，其余芯片放置在第一塑封体表面。本专利技术通过第一塑封体包住部分底层芯片，能够实现对底层芯片的保护，防止由于底层芯片承重出现的裂片或者其他可靠性问题。通过第一塑封体表面重新布线，实现上层芯片部分电性能网络连接合并，可以有效减少底层基板的布线压力，变相增加第一塑封体表面上可容纳芯片数量，提高产品集成度。进一步的，第一塑封体内部设置有导电体和塑封体上表面线路，实现上层芯片打线连接到第一塑封体表面重布线结构，再通过第一塑封体中导电结构和基板实现上层芯片与第一塑封体中芯片以及基板的电性连接。进一步的，本专利技术中特别针对埋入芯片对应的金属引线数量多于上层芯片的金属引线的情况，减轻基板的布线压力。进一步的，通过在第一塑封体内钻孔电镀形成导电结构，通过在塑封体表面重新布线形成重布线结构。进一步的，上层芯片堆叠设置时，边部不对齐，保证每一个上层芯片的上表面的边部裸露，用于电连接。进一步的，第一塑封体在放置有上层芯片的区域处铺设有塑封体表面导电线路，便于上层芯片的散热。进一步的，第一塑封体内部包裹有器件，因为本专利技术中分层塑封，使得整个塑封结构内能够更多的放入其他器件，提高整个芯片的集成度和功能度。本专利技术还公开了一种多芯片封装结构的制备方法，该方法在通过将芯片分别包裹在两个不同的塑封体内部，形成分层的上部塑封体和下部塑封体，塑封方法简单，易于实现。【附图说明】图1为本专利技术的封装结构图；图2为本专利技术在基板上设置埋入芯片的步骤图；图3为本专利技术将埋入芯片塑封的步骤图；图4为在第一塑封体上设置上层芯片并塑封的步骤图。其中：1-基板；2-第二导电体；3-基板线路；4-第二塑封体；5-第三金属引线；6-上层芯片；7-塑封体上表面线路；8-第三导电体；9-埋入芯片；10-第一粘着层；11-第一塑封体；12-第一导电体；13-第一金属引线；14-器件；15-第二粘着层；16-第-二金属引线；7-1-第一位置；7-2-第二位置；7-3-第三位置。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术做进一步详细描述：在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。参见图1，本专利技术包括基板1，基板1为芯片封装领域内的常见材质，基板1可以为硅、玻璃、树脂或其他适宜的芯片封装材料，基板1内分散设置有若干第一导电体12，基板1的上表面和下表面的内部均铺设有基板线路3，每一个第一导电体12的上端和基板1上表面的基板线路3连通，第一导电体12的下端和基板1下表面的基板线路3连通；基板1的下表面固定连接有第二导电体2，基板1下表面的基板线路3和第二导电体2相接触实现电连接，整个封装后的多芯片封装结构通过第二导电体2实现电连接。第一导电体12可以是铜、金、镍或合金等可导电的材料，第二导电体12可以是铜、金、镍或合金等可导电的材料。基板1的上表面固定连接有第一粘着层10，第一粘着层10的上表面粘结有埋入芯片9，埋入芯片9通过第一粘着层10固定设置在基板1上，第一粘着层10并未满铺基板1的上表面，而是设置在埋入芯片9的安装位置处；埋入芯片9的上表面通过第一金属引线13和基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片封装结构，其特征在于，包括基板(1)，基板(1)的上部固定设置有第一塑封体(11)，第一塑封体(11)的上部固定设置有第二塑封体(4)；第一塑封体(11)内部包裹有埋入芯片(9)，埋入芯片(9)和基板(1)电连接；第二塑封体(4)内部包裹有若干个上层芯片(6)，每一个上层芯片(6)分别和第一塑封体(11)电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种多芯片封装结构，其特征在于，包括基板(1)，基板(1)的上部固定设置有第一塑封体(11)，第一塑封体(11)的上部固定设置有第二塑封体(4)；第一塑封体(11)内部包裹有埋入芯片(9)，埋入芯片(9)和基板(1)电连接；第二塑封体(4)内部包裹有若干个上层芯片(6)，每一个上层芯片(6)分别和第一塑封体(11)电连接。


2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装结构，其特征在于，所述第一塑封体(11)内部设置有第三导电体(8)，第一塑封体(11)的上表面铺设有塑封体上表面线路(7)；塑封体上表面线路(7)分别和第三导电体(8)的上端及上层芯片(6)电连接，第三导电体(8)的下端和基板(1)电连接。


3.根据权利要求2所述的一种多芯片封装结构，其特征在于，所述塑封体上表面线路(7)在第一塑封体(11)上表面有两个铺设位置，分别为第一位置(7-1)和第二位置(7-2)；第一位置(7-1)处的塑封体上表面线路(7)和第三导电体(8)的上端电连接，第二位置(7-2)处的塑封体上表面线路(7)和上层芯片(6)电连接；第一位置(7-1)处的塑封体上表面线路(7)和第二位置(7-2)处的塑封体上表面线路(7)连接。


4.根据权利要求2所述的一种多芯片封装结构，其特征在于，每一个上层芯片(6)均通过单独的第三金属引线(5)和塑封体上表面线路(7)电连接；埋入芯片(9)通过第一金属引线(13)和基板(1)电连接；每一个埋入芯片(9)对应的第一金属引线(13)的个数多于每一个上层芯片(6)对应的第三金属引线(5)的个数。


5.根据权利要求2所述的一种多芯片封装结构，其特征在于，第一塑封体(11)内通过钻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婕，马晓建，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61