一种防溅罩及化学机械抛光机台制造技术

本发明专利技术公开了一种防溅罩及化学机械抛光机台，属于半导体制造技术领域，所述防溅罩环绕工作机台设置，用于阻挡所述工作机台甩溅出来的液体，所述防溅罩由多个罩部件组成，每个所述罩部件固定安装于一升降台；所述升降台连接一驱动装置，所述驱动装置驱动所述升降台上下运动。化学机械抛光机台应用了如上所述的防溅罩。本发明专利技术通过将一体式防溅罩改为组合式防溅罩，从而大大降低了对各个驱动装置同步性的要求，且当个别驱动装置发生故障不能正常升起或下降时，不会对整个防溅罩产生扯拽，进而也不会影响到其他正常工作的驱动装置，组合式防溅罩的设计可以仅仅针对损坏的罩部件进行更换，节约了维修费用。

A splash proof cover and a chemical mechanical polishing machine

【技术实现步骤摘要】
一种防溅罩及化学机械抛光机台
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种防溅罩及化学机械抛光机台。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)工艺又称化学机械平坦化工艺或化学机械研磨工艺，是目前主流的抛光工艺，用于降低晶圆表面粗糙度或对晶圆进行减薄。化学机械抛光机台在进行研磨作业的过程中，旋转的研磨平台会将废液从研磨平台的表面甩向研磨平台的四周，这些废液中含有大量的研磨液成分，因此，当废液挥发后会析出大量结晶物，这些结晶物不仅对化学抛光机台上的各运动部件造成阻碍，还会对金属部件造成腐蚀，影响到机台的使用寿命。在现有技术中，通过在研磨平台的四周增设一防溅罩来阻挡废液甩溅到平台周围的部件上，防溅罩环绕在研磨平台的四周设置，且罩体采用塑料材质，防溅罩与三个位于不同方位的气缸固定连接，且连接方式采用气缸与防溅罩点接触的方式，当研磨头与研磨平台配合进行研磨作业时，防溅罩需要在气缸的带动下升起，从而罩住研磨平台，研磨平台进行研磨作业过程中甩出的废液便会被防溅罩承接，然后顺着防溅罩流向排水口排走；当研磨作业完成后，研磨头需要转动至下一止点，此时，气缸带动防本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防溅罩，所述防溅罩环绕工作机台设置，用于阻挡所述工作机台甩溅出来的液体，其特征在于，/n所述防溅罩由多个罩部件组成，每个所述罩部件固定安装于一升降台；/n所述升降台连接一驱动装置，所述驱动装置驱动所述升降台上下运动。/n

【技术特征摘要】
1.一种防溅罩，所述防溅罩环绕工作机台设置，用于阻挡所述工作机台甩溅出来的液体，其特征在于，
所述防溅罩由多个罩部件组成，每个所述罩部件固定安装于一升降台；
所述升降台连接一驱动装置，所述驱动装置驱动所述升降台上下运动。


2.根据权利要求1所述的防溅罩，其特征在于，所述多个罩部件大小相同。


3.根据权利要求1所述的防溅罩，其特征在于，所述多个罩部件依次排列，所述罩部件之间的缝隙小，以罩住所述工作机台。


4.根据权利要求1所述的防溅罩，其特征在于，相邻的两个所述罩部件内外交错设置，并在连接处部分重叠。


5.根据权利要求1所述的防溅罩，其特征在于，所述驱动装置为电机。


6.根据权利要求1所述的防溅罩...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡堃，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42