具有双层增透膜的GaAs衬底结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有双层增透膜的GaAs衬底结构及其制备方法，包括：GaAs衬底；双层增透膜，位于GaAs衬底的至少一表面；双层增透膜包括第一增透膜层及第二增透膜层；第一增透膜层位于GaAs衬底的表面，第二增透膜层位于第一增透膜层远离GaAs衬底的表面，且第一增透膜层的折射率小于GaAs衬底的折射率，第二增透膜层的折射率小于第一增透膜层的折射率且大于空气的折射率。本发明专利技术通过在GaAs衬底表面沉积双层增透膜，从而实现了入射光透射率在1550nm为中心近红外波段的显著增强，本发明专利技术的具有双层增透膜的GaAs衬底结构在该波段的透射率达到95.6%以上，极大地减小了入射光的能量损耗，对于近红外波段基于半导体GaAs材料的光学器件具有很高的应用价值。

GaAs substrate structure with double antireflection film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
具有双层增透膜的GaAs衬底结构及其制备方法
本专利技术属于半导体光学器件领域，特别是涉及一种具有双层增透膜的GaAs衬底结构及其制备方法。
技术介绍
半导体GaAs材料是一种应用广泛的近红外光学材料，它具是直接能隙特性，可以用来发光，同时可以用于光学器件制作。然而，GaAs材料的折射率较高，使得入射光在GaAs材料的光学器件表面反射损耗较大，导致入射光透射系数较低，表面光能反射损失较高，从而影响实际的光能利用率。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种具有双层增透膜的GaAs衬底结构及其制备方法，用于解决现有技术中GaAs材料用于光学器件时由于自身折射率较高而导致的入射光在GaAs材料的光学器件表面反射损耗较大，入射光透射系数较低，表面光能反射损失较高，从而影响实际的光能利用率等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种具有双层增透膜的GaAs衬底结构，所述具有双层增透膜的GaAs衬底结构包括：GaAs衬底；双层增透膜，位于所述GaAs衬底的至少一表面；所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有双层增透膜的GaAs衬底结构，其特征在于，所述具有双层增透膜的GaAs衬底结构包括：/nGaAs衬底；/n双层增透膜，位于所述GaAs衬底的至少一表面；所述双层增透膜包括第一增透膜层及第二增透膜层；其中，所述第一增透膜层位于所述GaAs衬底的表面，所述第二增透膜层位于所述第一增透膜层远离所述GaAs衬底的表面，且所述第一增透膜层的折射率小于所述GaAs衬底的折射率，所述第二增透膜层的折射率小于所述第一增透膜层的折射率且大于空气的折射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有双层增透膜的GaAs衬底结构，其特征在于，所述具有双层增透膜的GaAs衬底结构包括：
GaAs衬底；
双层增透膜，位于所述GaAs衬底的至少一表面；所述双层增透膜包括第一增透膜层及第二增透膜层；其中，所述第一增透膜层位于所述GaAs衬底的表面，所述第二增透膜层位于所述第一增透膜层远离所述GaAs衬底的表面，且所述第一增透膜层的折射率小于所述GaAs衬底的折射率，所述第二增透膜层的折射率小于所述第一增透膜层的折射率且大于空气的折射率。


2.根据权利要求1所述的具有双层增透膜的GaAs衬底结构，其特征在于，所述双层增透膜位于所述GaAs衬底相对的两表面。


3.根据权利要求1所述的具有双层增透膜的GaAs衬底结构，其特征在于，
所述第一增透膜层的厚度满足如下公式：



其中，d1为所述第一增透膜层的厚度，λ为入射光的波长，n1为所述第一增透膜层的折射率；
所述第二增透膜层的厚度满足如下公式：



其中，d2为所述第二增透膜层的厚度，λ为入射光的波长，n2为所述第二增透膜层的折射率。


4.根据权利要求2至3中任一项所述的具有双层增透膜的GaAs衬底结构，其特征在于，所述第一增透膜层包括Si3N4层，所述第二增透膜层包括SiO2层。


5.根据权利要求4所述的具有双层增透膜的GaAs衬底结构，其特征在于，所述第一增透膜层的厚度范围为80nm～120nm，所述第二增透膜层的厚度范围为100nm～150nm。


6.一种具有双层增透膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田立君，王硕，鹿建，韩琦，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31